Tranzystory IGBT (wyszukane: 346)
Produkt | Koszyk |
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Ładunek bramki
|
Obudowa
|
Montaż
|
Producent
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STGWA30M65DF2
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA30M65DF2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
150 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKW40N60DTPXKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW40N60DTPXKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
210 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKW40N65F5FKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW40N65F5FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
23 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKW50N60DTPXKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW50N60DTPXKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
5750 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKW50N65ES5XKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW50N65ES5XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
254 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGW75H65DFB2-4
Tranzystor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-4; Transistors - IGBTs - Single
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGW75H65DFB2-4 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
4380 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGW75H65DFB2-4 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1770 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGW75H65DFB2-4 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGWA40H65DFB2
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40 TO247-3 Transistors - IGBTs - Single
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA40H65DFB2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1438 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA40H65DFB2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
180 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA40H65DFB2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FGH50T65SQD-F155
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH50T65SQD-F155 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
8430 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH50T65SQD-F155 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
450 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 450 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DF80R12W2H3F_B11
IGBT Modules IGBT HighSpeed 3 DF80R12W2H3FB11BPSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: DF80R12W2H3FB11BPSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
60 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 15 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FGH40N60SMDF
Trans IGBT Chip N-CH; 600V; 20V; 80A; 120A; 349W; 3,5~6,0V; 119nC; -55°C~175°C; Odpowiednik: FGH40N60SMDF-F085 FGH40N60SMDF_F085;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH40N60SMDF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
100 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 80A | 120A | 349W | 3,5V ~ 6,0V | 119nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||
FGH40T120SMD-F155
Trans IGBT Chip N-CH; 1200V; 25V; 80A; 160A; 555W; 4,9~7,5V; 370nC; -55°C~75°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH40T120SMD-F155 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
720 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1200V | 25V | 80A | 160A | 555W | 4,9V ~ 7,5V | 370nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH40T120SMD-F155 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
420 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1200V | 25V | 80A | 160A | 555W | 4,9V ~ 7,5V | 370nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH40T120SMD-F155 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
450 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 450 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1200V | 25V | 80A | 160A | 555W | 4,9V ~ 7,5V | 370nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||
FGH30S130P
Trans IGBT ; 1300V; 25V; 60A; 90A; 500W; 4,5~7,5V; 372,3nC; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH30S130P Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
183 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1300V | 25V | 60A | 90A | 500W | 4,5V ~ 7,5V | 372,3nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||
HGTG10N120BND
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 35A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HGTG10N120BND Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
449 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1200V | 20V | 35A | 80A | 298W | 6,0V ~ 6,8V | 150nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||
IHW30N160R5XKSA1
Trans IGBT ; 1600V; 20V; 60A; 90A; 263W; 4,5V~5,8V; 205nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IHW30N160R5XKSA1; IHW30N160R5;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IHW30N160R5XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
976 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1600V | 20V | 60A | 90A | 263W | 4,5V ~ 5,8V | 205nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IHW30N160R5XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
58 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1600V | 20V | 60A | 90A | 263W | 4,5V ~ 5,8V | 205nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IHW30N160R5XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
98310 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1600V | 20V | 60A | 90A | 263W | 4,5V ~ 5,8V | 205nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||
IGB30N60H3ATMA1 Infineon Technologies
IGBT 600V 60A 187W TO263-3 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGB30N60H3ATMA1 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGB30N60H3ATMA1 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1450 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IGP15N60TXKSA1 Infineon Technologies
IGBT 600V 30A 130W TO220-3 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGP15N60TXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
80 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IGP20N65F5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGP20N65F5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGP20N65F5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
43 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IGP40N65F5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT 650V 74A 255W PG-TO220-3 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGP40N65F5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
105 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IGP40N65H5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGP40N65H5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
30 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IGW100N60H3FKSA1 Infineon Technologies
IGBT 600V 140A TO247-3 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW100N60H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
240 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IGW20N60H3FKSA1
IGBT 600V 40A 170W
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW20N60H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
180 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | ||||||||||||||
IGW25T120FKSA1 Infineon Technologies
IGBT 1200V 50A 190W TO247-3 TrenchStop -40+150°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW25T120FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
2605 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IGW30N65L5XKSA1
IGBT 650V 85A 227W
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW30N65L5XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
190 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | ||||||||||||||
IGW40N65H5FKSA1 Infineon Technologies
IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW40N65H5FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
90 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IHW20N135R5XKSA1
IGBT 1350V 40A 288W TO247 TrenchStop -40+175°C IHW20N135R5XKSA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IHW20N135R5XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
155 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IHW40N60RF
80A; 600V; 305W; IGBT w/ Diode
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IHW40N60RFFKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1440 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | ||||||||||||||
IKA08N65F5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT 650V 10.8A 31.2W TO220-3 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKA08N65F5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
96 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKA08N65F5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKA10N60TXKSA1 Infineon Technologies
IGBT 600V 11.7A 30W TO220-3 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKA10N60TXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
224 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Technologies
IGBT 650V 15A TO220-3 TrenchStop -40+175°C OBSOLETE;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKA10N65ET6XKSA2 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
182 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKB15N65EH5
TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode IKB15N65EH5ATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKB15N65EH5ATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory IGBT
W naszej ofercie znajdziesz wiele typów tranzystorów, w tym również te, określane skrótem IGBT. Tranzystory te są odmianą modeli bipolarnych o specjalnej konstrukcji, a mianowicie, posiadają izolowaną bramkę. W końcu rozwinięcie skrótu IGBT to – Insulated Gate Bipolar Transistor. Można uznać, że tranzystory IGBT są połączeniem tranzystorów MOSFET (wejście) i tranzystorów bipolarnych (wyjście). Co ciekawe, w przypadku wielu aplikacji tranzystor IGBT będzie tańszą alternatywą dla tradycyjnych modeli, ponieważ ma niższe napięcie w stanie załączenia. Jest tak choćby w porównaniu do tranzystorów MOSFET o podobnych zakresach napięć oraz analogicznych rozmiarach.
Co wyróżnia tranzystory typu IGBT?
Tranzystory IGBT wyróżniają się prądem o charakterze bipolarnym, który jest związany z przepływem dziur i elektronów. Wstrzykiwanie nośników dziurowych z obszaru p+ do n- znacząco zmniejsza efektywną rezystancję w obszarze dryftu. Dzięki temu zwiększona zostaje przewodność, co z kolei powoduje zmniejszenie wartości napięcia kolektor-emiter w stanie przewodzenia. Czynnik ten jest uznawany za główną zaletę tranzystorów IGBT, kiedy porówna się je do tradycyjnych tranzystorów typu MOSFET. Warto jednak mieć świadomość, że tranzystor mocy IGBT posiada niższe napięcie, które zostało uzyskane kosztem ograniczenia szybkości przełączania, ze szczególnym naciskiem na prędkość wyłączania.
Mocne i słabe strony tranzystora IGBT
Tranzystor IGBT doskonale sprawdzi się podczas pracy z większymi napięciami. Jednocześnie jednak należy mieć świadomość, że tranzystory IGBT nie nadają się raczej do łączenia ich w sposób równoległy. Urządzenia z tej kategorii, które znajdziesz w naszej ofercie, znajdują zastosowanie przede wszystkim w przemiennikach częstotliwości o mocach wynoszących nawet do kilkuset watów. Decydując się na wykorzystanie tranzystora IGBT, będziesz w stanie ograniczyć straty energii nawet do 60%. Ponadto uzyskasz szerszy zakres regulacji urządzeń oraz lepsze parametry. Jeżeli nie jesteś pewien, jakie tranzystory IGBT najlepiej sprawdzą się w przypadku Twoich urządzeń i projektów, skontaktuj się z naszymi pracownikami, którzy pomogą Ci w wyborze konkretnego modelu. Posiadamy też szereg innych tranzystorów – https://www.micros.com.pl/tranzystory/. Zachęcamy do zapoznania się z pełną ofertą.
IGBT - tranzystory dostępne w naszej ofercie?
W naszym sklepie znajdziesz różne modele tranzystorów IGBT od wiodących producentów. Poszczególne modele tych urządzeń mogą się różnić między innymi:
- napięciem kolektor-emiter,
- napięciem bramka-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- maksymalnym prądem kolektora w impulsie,
- maksymalną mocą rozpraszania,
- napięciem przewodzenia,
- ładunkiem bramki,
- obudową,
- marką,
- zakresem temperatur, w których mogą pracować.
Każdy określany skrótem IGBT tranzystor dostępny w naszej ofercie jest urządzeniem najwyższej jakości, które zostało zaprojektowane i stworzone z dbałością o szczegóły. Dzięki temu, decydując się na zakupy w naszym sklepie, możesz być pewny, że otrzymane tranzystory będą prawidłowo pełniły swoją funkcję