Tranzystory IGBT (wyszukane: 382)
Produkt | Koszyk |
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Ładunek bramki
|
Obudowa
|
Montaż
|
Producent
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FGH40N65UFDTU
Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 20V | 80A | 120A | 290W | 4,0V ~ 6,5V | 120nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
FGH40T120SMD TO-247-3L
Trans IGBT ; 1200V; 25V; 80A; 160A; 555W; 4,9~7,5V; 370nC; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH40T120SMD RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 25V | 80A | 160A | 555W | 4,9V ~ 7,5V | 370nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH40T120SMD Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
2152 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1200V | 25V | 80A | 160A | 555W | 4,9V ~ 7,5V | 370nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH40T120SMD Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
360 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1200V | 25V | 80A | 160A | 555W | 4,9V ~ 7,5V | 370nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH40T120SMD Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1200V | 25V | 80A | 160A | 555W | 4,9V ~ 7,5V | 370nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
FGH60N60SMD
Trans IGBT ; 600V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C; Odpowiednik: FGH60N60SMD-F085 (AUTOMOTIVE);
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH60N60SMD RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
8 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 120A | 180A | 600W | 3,5V ~ 6,0V | 284nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH60N60SMD Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
969 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 120A | 180A | 600W | 3,5V ~ 6,0V | 284nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH60N60SMD Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
210 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 120A | 180A | 600W | 3,5V ~ 6,0V | 284nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
FGH75T65UPD TO247AB
Trans IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 375W; 4,0~7,5V; 578nC; -55°C~175°C; Podobny do : FGH75T65UPD-F085; FGH75T65UPD-F155;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH75T65UPD RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
28 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 20V | 150A | 225A | 375W | 4,0V ~ 7,5V | 578nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH75T65UPD Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
450 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
650V | 20V | 150A | 225A | 375W | 4,0V ~ 7,5V | 578nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH75T65UPD Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
420 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
650V | 20V | 150A | 225A | 375W | 4,0V ~ 7,5V | 578nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
HGTG11N120CND
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HGTG11N120CND RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
8 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 43A | 80A | 298W | 6,0V ~ 6,8V | 150nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
IHW30N160R5XKSA1
Trans IGBT ; 1600V; 20V; 60A; 90A; 263W; 4,5V~5,8V; 205nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IHW30N160R5XKSA1; IHW30N160R5;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
16 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1600V | 20V | 60A | 90A | 263W | 4,5V ~ 5,8V | 205nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IHW30N160R5XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
59910 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1600V | 20V | 60A | 90A | 263W | 4,5V ~ 5,8V | 205nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IHW30N160R5XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
384 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1600V | 20V | 60A | 90A | 263W | 4,5V ~ 5,8V | 205nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IHW30N160R5XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
73 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1600V | 20V | 60A | 90A | 263W | 4,5V ~ 5,8V | 205nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
HGTG40N60A4
Trans IGBT ; 600V; 20V; 75A; 300A; 625W; 4,5V~7,0V; 520nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HGTG40N60A4 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
19 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 75A | 300A | 625W | 4,5V ~ 7,0V | 520nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
HGTP20N60A4
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: HGTP20N60A4 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 70A | 280A | 290W | 4,5V ~ 7,0V | 210nC | TO220 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies
Trans IGBT ; 600V; 20V; 24A; 30A; 110W; 4,1V~5,7V; 62nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGB10N60T;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
27 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 24A | 30A | 110W | 4,1V ~ 5,7V | 62nC | TO263 (D2PAK) | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGB10N60TATMA1 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 24A | 30A | 110W | 4,1V ~ 5,7V | 62nC | TO263 (D2PAK) | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGB10N60TATMA1 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1435 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 24A | 30A | 110W | 4,1V ~ 5,7V | 62nC | TO263 (D2PAK) | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | |||||||||||||
IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies
Trans IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 88W; 4,1V~5,7V; 42nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGD06N60TXT;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 12A | 18A | 88W | 4,1V ~ 5,7V | 42nC | TO252/3 (DPAK) | SMD | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGD06N60T Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 12A | 18A | 88W | 4,1V ~ 5,7V | 42nC | TO252/3 (DPAK) | SMD | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IGP30N60H3
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGP30N60H3XKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
8 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 60A | 120A | 187W | 4,1V ~ 5,7V | 165nC | TO220 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGP30N60H3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
450 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 60A | 120A | 187W | 4,1V ~ 5,7V | 165nC | TO220 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IGW15N120H3FKSA1
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 30A | 60A | 217W | 5,0V ~ 6,5V | 75nC | TO247 | SMD | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW15N120H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
55 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1200V | 20V | 30A | 60A | 217W | 5,0V ~ 6,5V | 75nC | TO247 | SMD | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW15N120H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
187 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1200V | 20V | 30A | 60A | 217W | 5,0V ~ 6,5V | 75nC | TO247 | SMD | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IGW25N120H3
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
27 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 50A | 100A | 326W | 5,0V ~ 6,5V | 115nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW25N120H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
348 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1200V | 20V | 50A | 100A | 326W | 5,0V ~ 6,5V | 115nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW25N120H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1433 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1200V | 20V | 50A | 100A | 326W | 5,0V ~ 6,5V | 115nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IGW30N60T
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 45A | 90A | 187W | 4,1V ~ 5,7V | 167nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW30N60TFKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
240 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 45A | 90A | 187W | 4,1V ~ 5,7V | 167nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IGW40N60H3FKSA1
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 160A; 306W; 4,1V~5,7V; 223nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW40N60H3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 80A | 160A | 306W | 4,1V ~ 5,7V | 223nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW40N60H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
2260 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 80A | 160A | 306W | 4,1V ~ 5,7V | 223nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW40N60H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
155 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 80A | 160A | 306W | 4,1V ~ 5,7V | 223nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW40N60H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 80A | 160A | 306W | 4,1V ~ 5,7V | 223nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IGW40N65F5
Trans IGBT ; 650V; 20V; 74A; 120A; 250W; 3,2V~4,8V; 95nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW40N65F5FKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 20V | 74A | 120A | 250W | 3,2V ~ 4,8V | 95nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW40N65F5FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
431 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
650V | 20V | 74A | 120A | 250W | 3,2V ~ 4,8V | 95nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW40N65F5FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
650V | 20V | 74A | 120A | 250W | 3,2V ~ 4,8V | 95nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IGW50N60H3
Trans IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; Odpowiednik:IGW50N60H3FKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 100A | 200A | 333W | 4,1V ~ 5,7V | 315nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW50N60H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
330 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 100A | 200A | 333W | 4,1V ~ 5,7V | 315nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IGW50N65F5FKSA1
Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 150A; 305W; 3,2V~4,8V; 120nC; -40°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 20V | 80A | 150A | 305W | 3,2V ~ 4,8V | 120nC | TO247 | SMD | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW50N65F5FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
610 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
650V | 20V | 80A | 150A | 305W | 3,2V ~ 4,8V | 120nC | TO247 | SMD | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW50N65F5FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
58 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
650V | 20V | 80A | 150A | 305W | 3,2V ~ 4,8V | 120nC | TO247 | SMD | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IGW60T120FKSA1
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 150A; 375W; 5,0V~6,5V; 280nC; -40°C~150°C; Odpowiednik: IGW60T120FKSA1; IGW60T120;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 100A | 150A | 375W | 5,0V ~ 6,5V | 280nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 150°C | ||||||||||||
IGW75N60T
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
35 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 150A | 225A | 428W | 4,1V ~ 5,7V | 470nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IHW15N120R3
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 30A | 45A | 254W | 5,1V ~ 6,4V | 165nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IHW20N135R3
Tranzystor IGBT ; 1350V; 20V; 40A; 60A; 310W; 5,1V~6,4V; 195nC; -40°C~175°C; IHW20N135R3FKSA1
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1350V | 20V | 40A | 60A | 310W | 5,1V ~ 6,4V | 195nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Technologies
IGBT 650V 15A TO220-3 TrenchStop -40+175°C OBSOLETE;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKA10N65ET6XKSA2 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKA10N65ET6XKSA2 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
182 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||||||||||
IKD04N60R
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 8A | 12A | 75W | 4,3V ~ 5,7V | 27nC | TO252 (DPAK) | SMD | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKD04N60RATMA1 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 8A | 12A | 75W | 4,3V ~ 5,7V | 27nC | TO252 (DPAK) | SMD | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IKD06N60RF
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKD06N60RFAATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
26 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 12A | 18A | 100W | 4,3V ~ 5,7V | 48nC | TO252 (DPAK) | SMD | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IKP15N60T
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
85 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 26A | 45A | 130W | 4,1V ~ 5,7V | 87nC | TO220 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKP15N60TXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2202 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 26A | 45A | 130W | 4,1V ~ 5,7V | 87nC | TO220 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IKP20N60T
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKP20N60TXKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
85 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 41A | 60A | 166W | 4,1V ~ 5,7V | 120nC | TO220 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKP20N60TXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 41A | 60A | 166W | 4,1V ~ 5,7V | 120nC | TO220 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKP20N60TXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
405 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 41A | 60A | 166W | 4,1V ~ 5,7V | 120nC | TO220 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IKW15N120H3FKSA1
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 30A | 60A | 217W | 5,0V ~ 6,5V | 75nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 30A | 60A | 217W | 5,0V ~ 6,5V | 75nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW15N120H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
92 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1200V | 20V | 30A | 60A | 217W | 5,0V ~ 6,5V | 75nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IKW15N120T2
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 235W; 5,2V~6,4V; 93nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW15N120T2FKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 30A | 60A | 235W | 5,2V ~ 6,4V | 93nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW15N120T2FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
482 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1200V | 20V | 30A | 60A | 235W | 5,2V ~ 6,4V | 93nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
IKW20N60T
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW20N60TFKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 40A | 60A | 166W | 4,1V ~ 5,7V | 120nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW20N60TFKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
217 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 40A | 60A | 166W | 4,1V ~ 5,7V | 120nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW20N60TFKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
144 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 40A | 60A | 166W | 4,1V ~ 5,7V | 120nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C |