Tranzystory IGBT (wyszukane: 394)
| Produkt | Koszyk |
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Ładunek bramki
|
Obudowa
|
Montaż
|
Producent
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SL40T120FL SLKOR
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 718W; 4,5V~6,5V; 165nC; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 80A | 160A | 718W | 4,5V ~ 6,5V | 165nC | TO247 | THT | SLKOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
SL40T65FL SLKOR
Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 80A; 160A; 375W; 4,0V~6,0V; 219nC; -40°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 20V | 80A | 160A | 375W | 4,0V ~ 6,0V | 219nC | TO247 | THT | SLKOR | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
SL50T120FZ SLKOR
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 200A; 535W; 4,5V~6,5V; 311nC; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 100A | 200A | 535W | 4,5V ~ 6,5V | 311nC | TO264 | THT | SLKOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
SL75T120FZ SLKOR
Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 115A; 230A; 625W; 4,5V~6,5V; 270nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 30V | 115A | 230A | 625W | 4,5V ~ 6,5V | 270nC | TO264 | THT | SLKOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
|
IM393M6FXKLA1
IPM IGBT; 600V; 5V; 10A; 15A; 20W; 13,5~16,5V; -40°C~125°C; IM393M6FXKLA1
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 5V | 10A | 15A | 20W | 13,5V ~ 16,5V | SIP22 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 125°C | |||||||||||||
|
AOT10B60D
Tranzystor IGBT; 600V; 20V; 10A; 40A; 163W; 5,6V; 17,4nC; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOT10B60D RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
13 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 10A | 40A | 163W | 5,6V | 17,4nC | TO220 | THT | ALPHA&OMEGA | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
AOT15B60D
Tranzystor IGBT; 600V; 20V; 30A; 60A; 167W; 5,6V; 25,4nC; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOT15B60D RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 30A | 60A | 167W | 5,6V | 25,4nC | TO220 | THT | ALPHA&OMEGA | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
FGA60N60UFDTU
Trans IGBT ; 600V; 20V; 120A; 180A; 298W; 4,0~6,5V; 188nC; -55°C~150°C; OBSOLETE
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FGA60N60UFDTU RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
2 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 120A | 180A | 298W | 4,0V ~ 6,5V | 188nC | TO-3P | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
|
FGA60N65SMD
Trans IGBT ; 650V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FGA60N65SMD RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
68 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/150 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 20V | 120A | 180A | 600W | 3,5V ~ 6,0V | 284nC | TO 3P | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
FGAF40N60SMD
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 115W; 3,5~6,0V; 119nC; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
18 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 80A | 120A | 115W | 3,5V ~ 6,0V | 119nC | TO-3Piso | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
FGH20N60SFDTU TO-247AB-3
Trans IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 165W; 4,0~6,5V; 65nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FGH20N60SFDTU RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
28 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 40A | 60A | 165W | 4,0V ~ 6,5V | 65nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
|
FGH40N60SFDTU
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FGH40N60SFDTU RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
32 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/90 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 80A | 120A | 290W | 4,0V ~ 6,5V | 120nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
|
FGH40N60SMD
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 349W; 3,5~6,0V; 119nC; -55°C~175°C; Odpowiednik: FGH40N60SMD-F085 AUTOMOTIVE; FGH40N60SMD_F085;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FGH40N60SMD RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/90 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 80A | 120A | 349W | 3,5V ~ 6,0V | 119nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
FGH40N60UFDTU
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FGH40N60UFDTU RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
28 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 80A | 120A | 290W | 4,0V ~ 6,5V | 120nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
|
FGH40N65UFDTU
Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 20V | 80A | 120A | 290W | 4,0V ~ 6,5V | 120nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
|
FGH40T120SMD TO-247-3L
Trans IGBT ; 1200V; 25V; 80A; 160A; 555W; 4,9~7,5V; 370nC; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FGH40T120SMD RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 25V | 80A | 160A | 555W | 4,9V ~ 7,5V | 370nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
FGH60N60SMD
Trans IGBT ; 600V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C; Odpowiednik: FGH60N60SMD-F085 (AUTOMOTIVE);
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FGH60N60SMD RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
13 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 120A | 180A | 600W | 3,5V ~ 6,0V | 284nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
FGH75T65UPD TO247AB
Trans IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 375W; 4,0~7,5V; 578nC; -55°C~175°C; Podobny do : FGH75T65UPD-F085; FGH75T65UPD-F155;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FGH75T65UPD RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
28 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 20V | 150A | 225A | 375W | 4,0V ~ 7,5V | 578nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
HGTG11N120CND
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: HGTG11N120CND RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
35 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 43A | 80A | 298W | 6,0V ~ 6,8V | 150nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
|
IHW30N160R5XKSA1
Trans IGBT ; 1600V; 20V; 60A; 90A; 263W; 4,5V~5,8V; 205nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IHW30N160R5XKSA1; IHW30N160R5;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1600V | 20V | 60A | 90A | 263W | 4,5V ~ 5,8V | 205nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IHW30N160R5XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
120 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
1600V | 20V | 60A | 90A | 263W | 4,5V ~ 5,8V | 205nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IHW30N160R5XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
470 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
1600V | 20V | 60A | 90A | 263W | 4,5V ~ 5,8V | 205nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IHW30N160R5XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
1319 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
1600V | 20V | 60A | 90A | 263W | 4,5V ~ 5,8V | 205nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
HGTG40N60A4
Trans IGBT ; 600V; 20V; 75A; 300A; 625W; 4,5V~7,0V; 520nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: HGTG40N60A4 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
17 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 75A | 300A | 625W | 4,5V ~ 7,0V | 520nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
|
HGTP20N60A4
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: HGTP20N60A4 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
47 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 70A | 280A | 290W | 4,5V ~ 7,0V | 210nC | TO220 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
|
IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies
Trans IGBT ; 600V; 20V; 24A; 30A; 110W; 4,1V~5,7V; 62nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGB10N60T;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
27 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 24A | 30A | 110W | 4,1V ~ 5,7V | 62nC | TO263 (D2PAK) | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGB10N60TATMA1 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
1455 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
600V | 20V | 24A | 30A | 110W | 4,1V ~ 5,7V | 62nC | TO263 (D2PAK) | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | |||||||||||||
|
IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies
Trans IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 88W; 4,1V~5,7V; 42nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGD06N60TXT;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 12A | 18A | 88W | 4,1V ~ 5,7V | 42nC | TO252/3 (DPAK) | SMD | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
IGP30N60H3
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGP30N60H3XKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
46 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 60A | 120A | 187W | 4,1V ~ 5,7V | 165nC | TO220 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGP30N60H3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
450 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
600V | 20V | 60A | 120A | 187W | 4,1V ~ 5,7V | 165nC | TO220 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
IGW15N120H3FKSA1
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 30A | 60A | 217W | 5,0V ~ 6,5V | 75nC | TO247 | SMD | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW15N120H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
81 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
1200V | 20V | 30A | 60A | 217W | 5,0V ~ 6,5V | 75nC | TO247 | SMD | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW15N120H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
1992 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
1200V | 20V | 30A | 60A | 217W | 5,0V ~ 6,5V | 75nC | TO247 | SMD | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
IGW25N120H3
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
27 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 50A | 100A | 326W | 5,0V ~ 6,5V | 115nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW25N120H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
262 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
1200V | 20V | 50A | 100A | 326W | 5,0V ~ 6,5V | 115nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
IGW30N60T
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 45A | 90A | 187W | 4,1V ~ 5,7V | 167nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW30N60TFKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
600V | 20V | 45A | 90A | 187W | 4,1V ~ 5,7V | 167nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
IGW40N60H3FKSA1
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 160A; 306W; 4,1V~5,7V; 223nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW40N60H3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 80A | 160A | 306W | 4,1V ~ 5,7V | 223nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW40N60H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
430 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
600V | 20V | 80A | 160A | 306W | 4,1V ~ 5,7V | 223nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
IGW40N65F5
Trans IGBT ; 650V; 20V; 74A; 120A; 250W; 3,2V~4,8V; 95nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW40N65F5FKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 20V | 74A | 120A | 250W | 3,2V ~ 4,8V | 95nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW40N65F5FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
229 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
650V | 20V | 74A | 120A | 250W | 3,2V ~ 4,8V | 95nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||