Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 4355)

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MOT2310B2 SOT23(T/R) MOT-MOS 60V 4A 1.66W 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: RC2310A; MOT2310B2; LGE2308; YFW3N06; TSM2308CX RFG;
MOT2310B2 SOT23(T/R) MOT-MOS SOT23
 
 
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YFW60N03AD TO252(T/R) YFW Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 80A; 46W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR8729PBF; IRLR8729TRLPBF; IRLR8729TRPBF; SP001574172; SP001552874; SP001569082;
YFW60N03AD TO252(T/R) YFW TO252
 
 
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TSM2308CX RFG-VB SOT23(T/R) VBSEMI 60V 4A 1.66W 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
TSM2308CX RFG-VB SOT23(T/R) VBSEMI SOT23
                         
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Geplantes Datum: 2025-09-30
Anzahl der Stücke: 500
                     
RC2310A Realchip 60V 4A 1.66W 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS Odpowiednik: TSM2308CX RFG; RC2310A; MOT2310B2; LGE2308; YFW3N06;
RC2310A Realchip SOT23
 
 
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YFW12N65AF TO220F YFW Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 0,54Ohm; 33.2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65;
YFW12N65AF TO220F YFW TO220iso
 
 
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NDT3055 SOT223(T/R) LGE Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
NDT3055 SOT223(T/R) LGE SOT223
 
 
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PTD40P20 TO252(DPAK) HT SEMI Transistor -40V / -20A P-Channel Advanced Power MOSFET Podobny do: DMP4047SK3-13; FDD4243; Odpowiednik: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
PTD40P20 TO252(DPAK) HT SEMI TO252 (DPACK)
                         
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NDT3055 Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
NDT3055 || NDT3055 SOT223
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
NDT3055
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
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Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
NDT3055
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
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12N65 TO220F KEXIN Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 0,54Ohm; 33.2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65;
12N65 TO220F KEXIN TO220iso
 
 
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IRFS7537PBF-VB D2PAK(T/R) VBSEMI Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Podobny do : IRFS7537TRLPBF; IRFS7537PBF;
IRFS7537PBF-VB D2PAK(T/R) VBSEMI D2PAK
 
 
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PT2312 SOT23(T/R) HT SEMI TRANZYSTOR Odpowiednik: IRLML6244; IRLML6244TRPBF; MOT2312B2; LGE8810; PT2312; YFW3416;
PT2312 SOT23(T/R) HT SEMI SOT23
 
 
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IRLML6244TRPBF-VB SOT23(T/R) VBSEMI SOT23
 
 
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IRLML2244 SOT23
 
 
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CMF75NF75 TO220F CMOS .ZMIENIĆ NA SYMBOL -FP
CMF75NF75 TO220F CMOS TO220F
 
 
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CMB75NF75 TO263 CMOS TO263
 
 
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MOT2301 SOT23 MOT TRANS ODPOWIEDNIK: TSM2301ACX;
MOT2301 SOT23 MOT SOT23
 
 
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MOT2305 SOT23 MOT TRANS ODPOWIEDNIK: IRLML6402;
MOT2305B2 RoHS || MOT2305 SOT23 MOT SOT23
Hersteller:
MOT
Hersteller-Teilenummer:
MOT2305B2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
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AOD403 TO-252(T/R) ElecSuper Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 8mOhm; 70A; 90W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD403 Alpha&Omega Semiconductor AOS; ESD403;
AOD403 TO-252(T/R) ElecSuper TO252 (DPACK)
 
 
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ESPQ06R16 TO252(T/R) ELECSUPER Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 10A; 31,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR9024NTRPBF(ES); IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF; ESPQ06R16;
ESPQ06R16 TO252(T/R) ELECSUPER TO252 (DPACK)
 
 
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IRFR4620PBF TO252 Toohong TO-252 MOSFETs RoHS
IRFR4620PBF TO252 Toohong TO252 (DPACK)
 
 
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IRF3205STRLPBF(OSEN) TO263(T/R) OSEN MOSFETs IRF3205STRLPBF-OSEN;
IRF3205STRLPBF(OSEN) TO263(T/R) OSEN TO263 (D2PAK)
                         
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Geplantes Datum: 2025-09-30
Anzahl der Stücke: 1
                     
IRF9540NS TO263(T/R) MINOS 110V 35A 26mOhm@10V,15A 180W 2V 1 P-Channel TO-263 MOSFETs ROHS
IRF9540NS TO263(T/R) MINOS TO263
 
 
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IRF9540NSTRLPBF TO263(T/R) TECH PUBLIC 100V 20A 79W 120mOhm@10V 4V@250uA TO-263 MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: IRF9540NSTRPBF-VB;
IRF9540NSTRLPBF TO263(T/R) TECH PUBLIC TO263
 
 
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LGE8810 SOT23 LGE Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6244TRPBF; IRLML6244PBF; IRLML6244; IRLML6244TR; IRLML6244TRPBF; IRLML6244TRPBF; MOT2312B2; LGE8810; PT2312; YFW3416;
LGE8810 SOT23 LGE SOT23
                         
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NTBL045N065SC1 || NTBL045N065SC1  
Hersteller:
ON-Semicoductor
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NTBL045N065SC1
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SSM3K15AMFV,L3F(T Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM Äquivalent: SSM3K15AMFV,L3F; SSM3K15AMFV,L3F(B; SSM3K15AMFV,L3F(T;
SSM3K15AMFV,L3F(T || SSM3K15AMFV,L3F(T VESM
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
SSM3K15AMFV,L3F(T
Präzisionsgehäuse:
VESM
 
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48000 Stk.
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8000
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BCX56 SOT89-3L HT SEMI Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1A; 180MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX56,115; BCX56,135; BCX56E6327HTSA1; BCX56H6327XTSA1; BCX56TA; BCX56.115;
BCX56 SOT89-3L HT SEMI SOT89
 
 
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2N7002KW SOT323 HT SEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 310mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002KW-FAI; 2N7002KW-YAN; 2N7002KW-TP;
2N7002KW SOT323 HT SEMI SOT323
 
 
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MMBFJ108 Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
MMBFJ108 || MMBFJ108 SOT23
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MMBFJ108
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
60000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1294
Standard-Verpackung:
3000
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
FDN338P SOT23(T/R) ElecSuper 20V 2A 1.8W 95mOhm@4.5V 1V@250uA 1 P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
FDN338P SOT23(T/R) ElecSuper SOT23
 
 
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.