Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 4355)
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Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Gehäuse
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Hersteller
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MOT2310B2 SOT23(T/R) MOT-MOS
60V 4A 1.66W 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: RC2310A; MOT2310B2; LGE2308; YFW3N06; TSM2308CX RFG;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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YFW60N03AD TO252(T/R) YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 80A; 46W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR8729PBF; IRLR8729TRLPBF; IRLR8729TRPBF; SP001574172; SP001552874; SP001569082;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TSM2308CX RFG-VB SOT23(T/R) VBSEMI
60V 4A 1.66W 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-09-30
Anzahl der Stücke: 500
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RC2310A Realchip
60V 4A 1.66W 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS Odpowiednik: TSM2308CX RFG; RC2310A; MOT2310B2; LGE2308; YFW3N06;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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YFW12N65AF TO220F YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 0,54Ohm; 33.2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NDT3055 SOT223(T/R) LGE
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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PTD40P20 TO252(DPAK) HT SEMI
Transistor -40V / -20A P-Channel Advanced Power MOSFET Podobny do: DMP4047SK3-13; FDD4243; Odpowiednik: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-08-30
Anzahl der Stücke: 2500
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NDT3055
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDT3055 Präzisionsgehäuse: SOT223 |
Externes Lager:
40000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 4000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDT3055 Präzisionsgehäuse: SOT223 |
Externes Lager:
40000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 4000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-08-30
Anzahl der Stücke: 200
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12N65 TO220F KEXIN
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 0,54Ohm; 33.2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRFS7537PBF-VB D2PAK(T/R) VBSEMI
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Podobny do : IRFS7537TRLPBF; IRFS7537PBF;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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PT2312 SOT23(T/R) HT SEMI
TRANZYSTOR Odpowiednik: IRLML6244; IRLML6244TRPBF; MOT2312B2; LGE8810; PT2312; YFW3416;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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CMF75NF75 TO220F CMOS
.ZMIENIĆ NA SYMBOL -FP
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MOT2301 SOT23 MOT
TRANS ODPOWIEDNIK: TSM2301ACX;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MOT2305 SOT23 MOT
TRANS ODPOWIEDNIK: IRLML6402;
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Hersteller:
MOT Hersteller-Teilenummer: MOT2305B2 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
6000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
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AOD403 TO-252(T/R) ElecSuper
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 8mOhm; 70A; 90W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD403 Alpha&Omega Semiconductor AOS; ESD403;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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ESPQ06R16 TO252(T/R) ELECSUPER
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 10A; 31,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR9024NTRPBF(ES); IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF; ESPQ06R16;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRFR4620PBF TO252 Toohong
TO-252 MOSFETs RoHS
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF3205STRLPBF(OSEN) TO263(T/R) OSEN
MOSFETs IRF3205STRLPBF-OSEN;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-09-30
Anzahl der Stücke: 1
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IRF9540NS TO263(T/R) MINOS
110V 35A 26mOhm@10V,15A 180W 2V 1 P-Channel TO-263 MOSFETs ROHS
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF9540NSTRLPBF TO263(T/R) TECH PUBLIC
100V 20A 79W 120mOhm@10V 4V@250uA TO-263 MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: IRF9540NSTRPBF-VB;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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LGE8810 SOT23 LGE
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6244TRPBF; IRLML6244PBF; IRLML6244; IRLML6244TR; IRLML6244TRPBF; IRLML6244TRPBF; MOT2312B2; LGE8810; PT2312; YFW3416;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-11-30
Anzahl der Stücke: 9000
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTBL045N065SC1 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
130 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SSM3K15AMFV,L3F(T
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM Äquivalent: SSM3K15AMFV,L3F; SSM3K15AMFV,L3F(B; SSM3K15AMFV,L3F(T;
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: SSM3K15AMFV,L3F(T Präzisionsgehäuse: VESM |
Externes Lager:
48000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 8000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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BCX56 SOT89-3L HT SEMI
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1A; 180MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX56,115; BCX56,135; BCX56E6327HTSA1; BCX56H6327XTSA1; BCX56TA; BCX56.115;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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2N7002KW SOT323 HT SEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 310mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002KW-FAI; 2N7002KW-YAN; 2N7002KW-TP;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MMBFJ108
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBFJ108 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
60000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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FDN338P SOT23(T/R) ElecSuper
20V 2A 1.8W 95mOhm@4.5V 1V@250uA 1 P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.