Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 7032)

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Gehäuse
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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BSP170P P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 300 mOhm; 1,9A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP170PH6327XTSA1; BSP170P H6327;
Micros Symbol: TBSP170p Infos
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BSP170PH6327 RoHS || BSP170PH6327XTSA1 || BSP170P SOT223
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP170PH6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,5445 0,3417 0,2848 0,2529 0,2369
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100
Menge (mehrere 1)
SOT223 Infineon Technologies 1,9A 60V 20V 1,8W SMD 300mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
 
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP170PH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
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20625 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,7534
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25
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40 Euro überschreiten. 		SOT223 Infineon Technologies 1,9A 60V 20V 1,8W SMD 300mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
BSP171P P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 450 mOhm; 1,9A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP171PH6327XTSA1; BSP171P H6327
Micros Symbol: TBSP171 Infos
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BSP171P H6327 RoHS || BSP171PH6327XTSA1 || BSP171P SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP171P H6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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1280 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6333 0,4010 0,3167 0,2893 0,2757
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1000
Menge (mehrere 1)
SOT223 Infineon Technologies 1,9A 60V 20V 1,8W SMD 450mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
 
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP171PH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
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18950 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,4355
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25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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40 Euro überschreiten. 		SOT223 Infineon Technologies 1,9A 60V 20V 1,8W SMD 450mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
BSP250 JGSEMI P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSP250,115; BSP250,135;
Micros Symbol: TBSP250 JGS Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BSP250 RoHS || BSP250 JGSEMI SOT223
Hersteller:
JGSEMI Hersteller-Teilenummer:
BSP250 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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1944 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3258 0,1795 0,1410 0,1308 0,1253
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1000
Menge (mehrere 1)
SOT223 JGSEMI 5A 30V 20V 1,6W SMD 90mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
BSP250 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 400 mOhm; 3A; 5W; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP250.115; BSP250.135;
Micros Symbol: TBSP250 Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BSP250,115 RoHS || BSP250 SOT223
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSP250,115 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r  
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25 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,0867 0,7222 0,5969 0,5399 0,5171
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1000
Menge (mehrere 1)
SOT223 NXP 3A 30V 20V 5W SMD 400mOhm -65°C ~ 150°C P-MOSFET
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2027-08-20
Anzahl der Stücke: 1000
                     
BSP295 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 500 mOhm; 1,8A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP295H6327XTSA1; BSP295L6327;
Micros Symbol: TBSP295 Infos
Datenblatt
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BSP295H6327XTSA1 RoHS || BSP295H6327XTSA1 || BSP295 SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP295H6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5513 0,3486 0,2757 0,2506 0,2392
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
SOT223 Infineon (IRF) 1,8A 60V 20V 1,8W SMD 500mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP295H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
21050 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,5983
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25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		SOT223 Infineon (IRF) 1,8A 60V 20V 1,8W SMD 500mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSP296NH6327XTSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 800 mOhm; 1,2A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP296NH6433XTMA1;
Micros Symbol: TBSP296N Infos
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BSP296NH6327XTSA1 RoHS || BSP296NH6327XTSA1 || BSP296NH6327XTSA1 SOT223-4
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP296NH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223-4 t/r
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Auf Lager:
1136 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5240 0,3167 0,2438 0,2198 0,2091
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
SOT223-4 Infineon Technologies 1,2A 100V 20V 1,8W SMD 800mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP296NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223-4  
Externes Lager:
700 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,3437
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100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		SOT223-4 Infineon Technologies 1,2A 100V 20V 1,8W SMD 800mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSP297 N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 3Ohm; 660mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP297H6327XTSA1; BSP297H6327XTSA1/SN;
Micros Symbol: TBSP297 Infos
Datenblatt
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BSP297 RoHS || BSP297H6327XTSA1 || BSP297 SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP297 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6333 0,3987 0,3303 0,2939 0,2757
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
SOT223 Infineon Technologies 660mA 200V 20V 1,8W SMD 3Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP297H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
7175 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 1,2543
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		SOT223 Infineon Technologies 660mA 200V 20V 1,8W SMD 3Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSP299H N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 4Ohm; 400mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP299H6327XUSA1; BSP299L6327HUSA1; BSP299 H6327; BSP299H6327XUSA1/SN;
Micros Symbol: TBSP299h Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSP299 H6327 RoHS || BSP299H SOT223-4
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP299 H6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223-4 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,2735 0,8908 0,7564 0,6926 0,6698
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
SOT223-4 Infineon Technologies 400mA 500V 20V 1,8W SMD 4Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSP315P P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 1,4 Ohm; 1,17A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP315P; BSP315PH6327XTSA1; BSP315P H6327; BSP315PH6327;
Micros Symbol: TBSP315p Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BSP315PH6327XTSA1 RoHS || BSP315PH6327XTSA1 || BSP315P SOT223t/r
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP315PH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8270 0,5240 0,4146 0,3759 0,3600
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
SOT223t/r Infineon (IRF) 1,17A 60V 20V 1,8W SMD 1,4Ohm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP315PH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r  
Externes Lager:
6325 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,3600
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		SOT223t/r Infineon (IRF) 1,17A 60V 20V 1,8W SMD 1,4Ohm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
BSP315P JGSEMI P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 230 mOhm; 2A; 2W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1;
Micros Symbol: TBSP315p JGS Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BSP315P RoHS || BSP315P JGSEMI SOT223
Hersteller:
JGSEMI Hersteller-Teilenummer:
BSP315P RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
250 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,3189 0,2089 0,1501 0,1285 0,1223
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
SOT223 JGSEMI 2A 60V 20V 2W SMD 230mOhm -55°C ~ 125°C P-MOSFET
BSP315P SOT223 TEC P-Channel-MOSFET-Transistor; -60V; +/-20V; 130 mOhm; -3A; 2W; -55°C~150°C; Ähnlich zu: BSP315P; BSP315P-VB; BSP315PH6327; BSP315PH6327XTSA1;
Micros Symbol: TBSP315p TEC Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSP315P RoHS || BSP315P SOT223 TEC SOT223
Hersteller:
TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer:
BSP315P RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
493 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5263 0,3189 0,2438 0,2208 0,2100
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Standard-Verpackung:
493
Menge (mehrere 1)
SOT223 TECH PUBLIC -3A -60V 20V 2W SMD 130mOhm -55°C ~ 150°C MOSFET
 
Hersteller:
TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer:
BSP315P RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1467 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5263 0,3189 0,2438 0,2208 0,2100
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
SOT223 TECH PUBLIC -3A -60V 20V 2W SMD 130mOhm -55°C ~ 150°C MOSFET
BSP315P UMW P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 95mOhm; 1,17A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1;
Micros Symbol: TBSP315p UMW Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BSP315P RoHS || BSP315P UMW SOT223
Hersteller:
UMW Hersteller-Teilenummer:
BSP315P RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
170 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4966 0,3007 0,2324 0,2091 0,1989
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
SOT223 UMW 1,17A 60V 20V 1,8W SMD 95mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
BSP322P Infineon P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1Ohm; 1A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP322PH6327XTSA1; BSP322PL6327HTSA1;
Micros Symbol: TBSP322p Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSP322PH6327XTSA1 RoHS || BSP322P Infineon SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP322PH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4556 0,2529 0,1991 0,1877 0,1818
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
SOT223 Infineon Technologies 1A 100V 20V 1,8W SMD 1Ohm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
BSP372 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 270 mOhm; 1,8A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP372NH6327XTSA1;
Micros Symbol: TBSP372 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSP372N H6327 RoHS || BSP372NH6327XTSA1 || BSP372 SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP372N H6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
75 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,5285 0,3326 0,2757 0,2460 0,2301
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
SOT223 Infineon Technologies 1,8A 100V 20V 1,8W SMD 270mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP372NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
875 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,3160
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		SOT223 Infineon Technologies 1,8A 100V 20V 1,8W SMD 270mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSP76E6433HUMA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 42V; 12V; 200 mOhm; 1,4A; 3,8 W; -40°C~150°C; Äquivalent: BSP78E6433; BSP76E6433; BSP76E6433HUMA1; BSP76; BSP76E6327HUSA1;
Micros Symbol: TBSP76 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSP76E6433HUMA1 RoHS || BSP76E6433HUMA1 || BSP76E6433HUMA1 SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP76E6433HUMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,5537 1,0890 0,9249 0,8452 0,8179
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
SOT223 INFINEON 1,4A 42V 12V 3,8W SMD 200mOhm -40°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP76E6433HUMA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
13400 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 1,0005
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		SOT223 INFINEON 1,4A 42V 12V 3,8W SMD 200mOhm -40°C ~ 150°C N-MOSFET
BSP88H6327XTSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 240V; 20V; 15 Ohm; 350mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSP88h Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSP88H6327XTSA1 RoHS || BSP88H6327XTSA1 || BSP88H6327XTSA1 SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP88H6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4556 0,2529 0,1996 0,1882 0,1823
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
SOT223 Infineon Technologies 350mA 240V 20V 1,8W SMD 15Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP88H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
350 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,2916
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		SOT223 Infineon Technologies 350mA 240V 20V 1,8W SMD 15Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSP89 N-Channel-MOSFET-Transistor; 240V; 20V; 7,5 Ohm; 350mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP89.115; BSP89 L6327; BSP89H6327XTSA1; BSP89L6327HTSA1;
Micros Symbol: TBSP89 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSP89H6327XTSA1 RoHS || BSP89H6327XTSA1 || BSP89 SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP89H6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
107 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,4442 0,2916 0,2094 0,1793 0,1706
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
SOT223 Infineon Technologies 350mA 240V 20V 1,8W SMD 7,5Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP89H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
5425 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,4422
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		SOT223 Infineon Technologies 350mA 240V 20V 1,8W SMD 7,5Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSR606NH6327XTSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 90mOhm; 2,3A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSR606n Infos
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BSR606NH6327XTSA1 RoHS || BSR606NH6327XTSA1 SC59
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSR606NH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SC59
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Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 25+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,4306 0,2574 0,2160 0,1850 0,1722
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Standard-Verpackung:
25
Menge (mehrere 1)
SC59 Infineon Technologies 2,3A 60V 20V 500mW SMD 90mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSR802NL INFINEON N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 32mOhm; 3,7A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSR802NL6327HTSA1;
Micros Symbol: TBSR802nl Infos
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BSR802N L6327 RoHS || BSR802NL INFINEON SC-59
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSR802N L6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
SC-59 t/r
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Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4260 0,2347 0,1848 0,1711 0,1640
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
SC-59 Infineon (IRF) 3,7A 20V 8V 500mW SMD 32mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSS119NH6327 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10 Ohm; 190mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS119NH6327XTSA1; BSS119 L6327; BSS119NH6433XTMA1
Micros Symbol: TBSS119n Infos
Datenblatt
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BSS119NH6327XTSA1 RoHS || BSS119NH6327XTSA1 || BSS119NH6327 Infineon SOT23
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSS119NH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
2540 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2711 0,1497 0,0993 0,0829 0,0772
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 Infineon Technologies 190mA 100V 20V 500mW SMD 10Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSS119NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
3200 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,0772
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		SOT23 Infineon Technologies 190mA 100V 20V 500mW SMD 10Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSS123 CHIPNOBO N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Micros Symbol: TBSS123 CNB Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BSS123 RoHS || BSS123 CHIPNOBO SOT23
Hersteller:
CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer:
BSS123 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
1600 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0604 0,0232 0,0114 0,0090 0,0086
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 CHIPNOBO 170mA 100V 20V 350mW SMD 10Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSS123 GALAXY N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Micros Symbol: TBSS123 GAL Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BSS123 RoHS || BSS123 GALAXY SOT23
Hersteller:
GALAXY Hersteller-Teilenummer:
BSS123 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0715 0,0276 0,0135 0,0107 0,0102
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 GALAXY 170mA 100V 20V 350mW SMD 10Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSS123 HXY MOSFET N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Micros Symbol: TBSS123 HXY Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BSS123 RoHS || BSS123 HXY MOSFET SOT23
Hersteller:
HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer:
BSS123 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0747 0,0287 0,0141 0,0112 0,0107
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 HXY MOSFET 170mA 100V 20V 350mW SMD 9Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSS123 JSMICRO N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Micros Symbol: TBSS123 JSM Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BSS123 RoHS || BSS123 JSMICRO SOT23
Hersteller:
JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
BSS123 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1500 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0816 0,0321 0,0187 0,0137 0,0125
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 JSMICRO 170mA 100V 20V 350mW SMD 10Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSS123 JUXING N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Micros Symbol: TBSS123 JUX Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BSS123 0.323MM RoHS || BSS123 JUXING SOT23
Hersteller:
JUXING Hersteller-Teilenummer:
BSS123 0.323MM RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0715 0,0276 0,0135 0,0107 0,0102
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 JUXING 170mA 100V 20V 350mW SMD 10Ohm -50°C ~ 150°C N-MOSFET
BSS123 SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Micros Symbol: TBSS123 SHK Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BSS123 RoHS || BSS123 SHIKUES SOT23
Hersteller:
SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
BSS123 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1500 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0795 0,0314 0,0183 0,0134 0,0122
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 SHIKUES 170mA 100V 100V 20V 300mW SMD 10Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSS123 SLKOR N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Micros Symbol: TBSS123 SLK Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BSS123 RoHS || BSS123 SLKOR SOT23
Hersteller:
SLKOR Hersteller-Teilenummer:
BSS123 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0795 0,0308 0,0150 0,0119 0,0114
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 SLKOR 150mA 100V 20V 250mW SMD 6Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSS123 UMW N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Micros Symbol: TBSS123 UMW Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BSS123 RoHS || BSS123 UMW SOT23
Hersteller:
UMW Hersteller-Teilenummer:
BSS123 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
4550 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0816 0,0321 0,0187 0,0137 0,0125
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 UMW 170mA 100V 20V 350mW SMD 10Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSS123 smd N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI;
Micros Symbol: TBSS123 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BSS123LT1G RoHS || BSS123LT1G || BSS123 smd SOT23
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
BSS123LT1G RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
7430 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1993 0,0945 0,0533 0,0403 0,0362
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 ON SEMICONDUCTOR 170mA 100V 20V 225mW SMD 6Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
BSS123LT1G Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
1341080 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,0362
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		SOT23 ON SEMICONDUCTOR 170mA 100V 20V 225mW SMD 6Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2026-11-20
Anzahl der Stücke: 12000
                     
BSS123 N-Channel MOSFET 0.17A 100V 10000m? BSS123-YAN
Micros Symbol: TBSS123 c Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSS123 RoHS || BSS123 SOT23
Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer:
BSS123 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0668 0,0257 0,0125 0,0100 0,0095
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT-23 YFW 170mA 100V 20V 360mW SMD 6Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
1    25  26  27  28  29  30  31  32  33    235