Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 7032)

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Gehäuse
Hersteller
Max. Drainstrom
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Drain-Source Spannung
Max. Gate-Source Spannung
Maximaler Leistungsverlust
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Widerstand im offenen Kanal
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Transistor-Typ
PSMN4R0-40YS N-MOSFET-Transistor; 40V; 40V; 20V; 8mOhm; 100A; 106W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: PSMN4R0-40YS,115;
Micros Symbol: TPSMN4r0-40ys Infos
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PSMN4R0-40YS RoHS || PSMN4R0-40YS LFPAK
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
PSMN4R0-40YS RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK
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40 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,0001 0,6652 0,5513 0,4966 0,4761
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
LFPAK NXP 100A 40V 40V 20V 106W SMD 8mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
PV563BA P-Channel-MOSFET-Transistor; -40V; 25V; 17mOhm; -9,5A; 3W; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TPV563BA NIKO Infos
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PV563BA RoHS || PV563BA SOP08
Hersteller:
NIKO SEMICONDUCTOR Hersteller-Teilenummer:
PV563BA RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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30 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 90+ 300+
Preis netto (EUR) 0,5650 0,3531 0,2939 0,2620 0,2460
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
SOP08 NIKO SEMICONDUCTOR -9,5A -40V 25V 3W SMD 17mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
R6004KNX Rohm Semiconductor N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 1,36 Ohm; 4A; 40W; -55 °C ~ 150 °C; TO-220-3 Full Pack
Micros Symbol: TR6004knx Infos
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R6004KNX RoHS || R6004KNX Rohm Semiconductor TO220FP
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
R6004KNX RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
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10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,1482 0,8748 0,7245 0,6356 0,6037
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO220FP ROHM 4A 600V 30V 40W THT 1,36Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
R6007KNX Rohm Semiconductor N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 1,2 Ohm; 7A; 46W; -55 °C ~ 150 °C; TO-220-3 Full Pack
Micros Symbol: TR6007knx Infos
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R6007KNX RoHS || R6007KNX Rohm Semiconductor TO220FP
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
R6007KNX RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
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4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 20+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 2,4809 2,0845 1,8772 1,7929 1,7724
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Standard-Verpackung:
4
Menge (mehrere 1)
TO220FP ROHM 7A 600V 30V 46W THT 1,2Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
R6011KNX Rohm Semiconductor N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 720 mOhm; 11A; 53W; -55 °C ~ 150 °C; TO-220-3 Full Pack
Micros Symbol: TR6011knx Infos
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R6011KNX RoHS || R6011KNX Rohm Semiconductor TO220FP
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
R6011KNX RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
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Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 2,0663 1,6813 1,4603 1,3532 1,2917
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO220FP ROHM 11A 600V 30V 53W THT 720mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
RD02LUS2 N-MOSFET-Transistor; 25V; 10V; 2,2A; 15,6 W; -40 °C ~ 125 °C;
Micros Symbol: TRD02LUS2 Infos
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RD02LUS2-T113 RoHS || RD02LUS2 SOT89
Hersteller:
Mitsubishi Hersteller-Teilenummer:
RD02LUS2-T113 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT89 t/r
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4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 24+ 72+
Preis netto (EUR) 2,9844 2,6472 2,4445 2,3602 2,2964
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Standard-Verpackung:
24
Menge (mehrere 1)
SOT89 Mitsubishi Electric 2,2A 25V 10V 15,6W SMD -40°C ~ 125°C N-MOSFET
RD3G03BATTL1 P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 19,1 mOhm; 35A; 56W; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TRD3G03BATTL1 Infos
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RD3G03BATTL1 RoHS || RD3G03BATTL1 TO-252 (D-PAK)
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
RD3G03BATTL1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO-252 (D-PAK)
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Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,6608 1,3168 1,1209 1,0297 0,9773
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO-252 ROHM 35A 40V 20V 56W SMD 19,1mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
RD3P175SNFRATL Rohm Semiconductor N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 105 mOhm; 17,5A; 20W; -55°C~150°C; TO-252-3; DPak (2 Ableitungen + Tab); SC-63;
Micros Symbol: TRD3p175snfratl Infos
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RD3P175SNFRATL RoHS || RD3P175SNFRATL Rohm Semiconductor TO252 (DPACK) t/r
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
RD3P175SNFRATL RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,8772 1,5286 1,3259 1,2302 1,1733
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPACK) t/r ROHM 17,5A 100V 20V 20W SMD 105mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
RE1C002UNTCL N-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 4,8 Ohm; 200mA; 150 mW; -55 °C ~ 150 °C; SC-89, SOT-490
Micros Symbol: TRE1c002untcl Infos
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RE1C002UNTCL RoHS || RE1C002UNTCL SOT416FL
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
RE1C002UNTCL RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT416FL
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150 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 150+ 750+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1592 0,0633 0,0387 0,0312 0,0289
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Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
SOT416FL ROHM 200mA 20V 8V 150mW SMD 4,8Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
RFD14N05LSM N-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 10V; 100 mOhm; 14A; 48W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: RFD14N05LSM9A;
Micros Symbol: TRFD14N05lsm Infos
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RFD14N05LSM RoHS || RFD14N05LSM TO252 (DPAK)
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
RFD14N05LSM RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPAK)  
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Preis netto (EUR) 0,8862 0,5855 0,4830 0,4420 0,4215
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Standard-Verpackung:
75
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR 14A 50V 50V 10V 48W SMD 100mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
RFD3055LE N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 16V; 107mOhm; 11A; 38W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: RFD3055LESM9A;
Micros Symbol: TRFD3055le Infos
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RFD3055LESM9A RoHS || RFD3055LE TO251 (IPACK)
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
RFD3055LESM9A RoHS Präzisionsgehäuse:
TO251 (IPACK)  
Auf Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,7336 0,4647 0,3668 0,3349 0,3189
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Standard-Verpackung:
2500
Menge (mehrere 1)
TO251 (IPACK) ON SEMICONDUCTOR 11A 60V 60V 16V 38W THT 107mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
RFP12N10L N-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 10V; 200 mOhm; 12A; 60W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TRFP12N10l Infos
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RFP12N10L RoHS || RFP12N10L || RFP12N10L TO220
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
RFP12N10L RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220  
Auf Lager:
160 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,7860 0,4989 0,3918 0,3577 0,3417
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 ON SEMICONDUCTOR 12A 100V 100V 10V 60W THT 200mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
RFP12N10L Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
290 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,7705
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		TO220 ON SEMICONDUCTOR 12A 100V 100V 10V 60W THT 200mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
RFP50N06 N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 22mOhm; 50A; 131W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TRFP50N06 Infos
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RFP50N06 RoHS || RFP50N06 TO220
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
RFP50N06 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220  
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,7246 1,3737 1,1755 1,0571 1,0138
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 ON SEMICONDUCTOR 50A 60V 60V 20V 131W THT 22mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
RFP70N06 N-MOSFET 70A 60V 150W 0.014Ω RFP70N06
Micros Symbol: TRFP70N06 Infos
Datenblatt
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RFP70N06 RoHS || RFP70N06 TO220
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
RFP70N06 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220  
Auf Lager:
37 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,0481 1,7177 1,5264 1,4079 1,3646
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 ON SEMICONDUCTOR 70A 60V 60V 20V 150W THT 14mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
RJP020N06T100 ROHM N-MOSFET-Transistor; 60V; 12V; 300 mOhm; 2A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TRJP020n06t100 Infos
Datenblatt
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RJP020N06T100 RoHS || RJP020N06T100 ROHM SOT89
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
RJP020N06T100 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT89 t/r
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Auf Lager:
82 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5490 0,3053 0,2415 0,2269 0,2196
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
SOT89 ROHM 2A 60V 12V 500mW SMD 300mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
RQ3E180AJTB N-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 5,8 mOhm; 30A; 30W; -55 °C ~ 150 °C; 8-PowerVDFN
Micros Symbol: TRQ3e180ajtb Infos
Datenblatt
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RQ3E180AJTB RoHS || RQ3E180AJTB SMT
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
RQ3E180AJTB RoHS Präzisionsgehäuse:
SMT
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6242 0,3941 0,3121 0,2848 0,2711
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Standard-Verpackung:
1500
Menge (mehrere 1)
SMT ROHM 30A 30V 12V 30W SMD 5,8mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
RQ6E035ATTCR P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 70mOhm; 3,5A; 1,25 W; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TRQ6e035attcr Infos
Datenblatt
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RQ6E035ATTCR RoHS || RQ6E035ATTCR TSOT23-6
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
RQ6E035ATTCR RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-6/t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5809 0,3691 0,2916 0,2643 0,2529
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TSOT23-6 ROHM 3,5A 30V 20V 1,25W SMD 70mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 25A; 45mOhm; 50W; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TRSJ250p10fratl Infos
Datenblatt
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RSJ250P10FRATL RoHS || RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor TO263 (D2PAK)
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
RSJ250P10FRATL RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263t/r (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,7086 1,3532 1,1528 1,0571 1,0047
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO263 (D2PAK) ROHM 25A 100V 20V 50W SMD 45mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
RSJ250P10TL Rohm Semiconductor P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 70mOhm; 25A; 50W; -55 °C ~ 150 °C; TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Micros Symbol: TRSJ250p10tl Infos
Datenblatt
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RSJ250P10TL LPTS RoHS || RSJ250P10TL Rohm Semiconductor D2PAK
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
RSJ250P10TL LPTS RoHS Präzisionsgehäuse:
D2PAK t/r
Datenblatt
Auf Lager:
12 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 40+ 120+
Preis netto (EUR) 1,7155 1,4330 1,2712 1,1801 1,1436
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Standard-Verpackung:
120
Menge (mehrere 1)
D2PAK ROHM 25A 100V 20V 50W SMD 70mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
JMTG030P02A JIEJIE P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 5,7 mOhm; 85A; 33W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TRTR030p02 JJ Infos
Datenblatt
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JMTG030P02A RoHS || JMTG030P02A JIEJIE PDFN08(6x5)
Hersteller:
Jiejie Microelectronics Hersteller-Teilenummer:
JMTG030P02A RoHS Präzisionsgehäuse:
PDFN08(6x5)  
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,8133 0,5103 0,4237 0,3759 0,3531
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
PDFN08(6x5) Jiangsu JieJie Microelectronics 85A 20V 12V 33W SMD 5,7mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SCT2450KEC N-Channel-MOSFET-Transistor; 1200V; 22V; 585 mOhm; 10A; 85W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SCT2450KEC: Rohm;
Micros Symbol: TSCT2450kec Infos
Datenblatt
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SCT2450KEC RoHS || SCT2450KEC TO247
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
SCT2450KEC RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 30+
Preis netto (EUR) 9,4794 9,0398 8,7276 8,4474 8,2424
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
TO247 ROHM 10A 1200V 22V 85W THT 585mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
SCT3060ALGC11 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 22V; 78mOhm; 39A; 165 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SCT3060ALGC11: Rohm;
Micros Symbol: TSCT3060algc11 Infos
Datenblatt
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SCT3060ALGC11 RoHS || SCT3060ALGC11 TO247
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
SCT3060ALGC11 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
Preis netto (EUR) 14,8650 14,3729 14,0153 13,6872 13,5141
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
TO247 ROHM 39A 650V 22V 165W THT 78mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
SCT3080ALGC11 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 22V; 104 mOhm; 30A; 134W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SCT3080ALGC11: Rohm;
Micros Symbol: TSCT3080algc11 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SCT3080ALGC11 RoHS || SCT3080ALGC11 TO247
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
SCT3080ALGC11 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
Preis netto (EUR) 12,0993 11,6209 11,2769 10,9648 10,8031
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
TO247 ROHM 30A 650V 22V 134W THT 104mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
SCT3080KLGC11 N-Channel-MOSFET-Transistor; 1200V; 22V; 104 mOhm; 31A; 165 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SCT3080KLGC11: Rohm;
Micros Symbol: TSCT3080klgc11 Infos
Datenblatt
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SCT3080KLGC11 RoHS || SCT3080KLGC11 || SCT3080KLGC11 TO247
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
SCT3080KLGC11 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
Preis netto (EUR) 14,8035 14,3137 13,9560 13,6280 13,4571
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
TO247 ROHM 31A 1200V 22V 165W THT 104mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
 
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
SCT3080KLGC11 Präzisionsgehäuse:
TO247  
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40 Euro überschreiten. 		TO247 ROHM 31A 1200V 22V 165W THT 104mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
SCT3160KLGC11 N-Channel-MOSFET-Transistor; 1200V; 22V; 208mOhm; 17A; 103W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SCT3160KLGC11: Rohm;
Micros Symbol: TSCT3160klgc11 Infos
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SCT3160KLGC11 RoHS || SCT3160KLGC11 TO247
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ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
SCT3160KLGC11 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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TO247 ROHM 17A 1200V 22V 103W THT 208mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
SDI2085 SHIKUES P-Channel-MOSFET-Transistor; 15V; 12V; 45mOhm; 8,5A; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSDI2085 Infos
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SDI2085 RoHS || SDI2085 SHIKUES DFN06(2x2)
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SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SDI2085 RoHS Präzisionsgehäuse:
DFN06(2x2)
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DFN06(2x2) SHIKUES 8,5A 15V 12V 3,3W SMD 45mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SDI3068 SHIKUES P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 50mOhm; 6,8A; 2,01 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSDI3068 Infos
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SDI3068 RoHS || SDI3068 SHIKUES DFN06(2x2)
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SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SDI3068 RoHS Präzisionsgehäuse:
DFN06(2x2)
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DFN06(2x2) SHIKUES 6,8A 30V 20V 2,01W SMD 50mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SDV3078 SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 30mOhm; 7,8A; 2,01 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSDV3078 Infos
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SDV3078 RoHS || SDV3078 SHIKUES DFN06(2x2)
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SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SDV3078 RoHS Präzisionsgehäuse:
DFN06(2x2)
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DFN06(2x2) SHIKUES 7,8A 30V 20V 2,01W SMD 30mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SDW2065 SHIKUES 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 45mOhm; 6,5A; 1,78 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSDW2065 Infos
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SDW2065 RoHS || SDW2065 SHIKUES DFN06(2x2)
Hersteller:
SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SDW2065 RoHS Präzisionsgehäuse:
DFN06(2x2)
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DFN06(2x2) SHIKUES 6,5A 20V 12V 1,78W SMD 45mOhm -55°C ~ 150°C 2xN-MOSFET
SDW3045 SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 65mOhm; 4,5A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSDW3045 Infos
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SDW3045 RoHS || SDW3045 SHIKUES DFN06(2x2)
Hersteller:
SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SDW3045 RoHS Präzisionsgehäuse:
DFN06(2x2)
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DFN06(2x2) SHIKUES 4,5A 30V 20V 1,25W SMD 65mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
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