Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 7032)

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Max. Drainstrom
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Drain-Source Spannung
Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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SH8JB5 P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 16V; 8,5A; 15,3 mOhm; 2W; -55°C~150°C; Äquivalent: SH8JB5TB1;
Micros Symbol: TSH8JB5 Infos
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SH8JB5TB1 RoHS || SH8JB5 SOP08
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ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
SH8JB5TB1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 2,5880 2,1073 1,8271 1,6950 1,6175
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10
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SOP08 ROHM 8,5A 40V 16V 2W SMD 15,3mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SH8JC5TB1 P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 7,5A; 32mOhm; 2W; -55°C~150°C; Äquivalent: SH8JC5TB1;
Micros Symbol: TSH8JC5TB1 Infos
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SH8JC5TB1 RoHS || SH8JC5TB1 SOP08
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
SH8JC5TB1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,1074 2,5698 2,2508 2,0959 2,0048
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10
Menge (mehrere 1)
SOP08 ROHM 7,5A 60V 20V 2W SMD 32mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SI1012R-T1-GE3 N-MOSFET-Transistor; 20V; 6V; 1,25 Ohm; 500mA; 150 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI1012r Infos
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SI1012R-T1-GE3 RoHS || SI1012R-T1-GE3 SC75-3 (SOT416)
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Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI1012R-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SC75-3 (SOT416)
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420 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,4329 0,2415 0,1898 0,1722 0,1668
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500
Menge (mehrere 1)
SC75-3 (SOT416) VISHAY 500mA 20V 6V 150mW SMD 1,25Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SI1022R-T1-GE3 VISHAY N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5Ohm; 330mA; 250 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI1022r Infos
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SI1022R-T1-GE3 RoHS || SI1022R-T1-GE3 VISHAY SC75-3 (SOT416)
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Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI1022R-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SC75-3 (SOT416)
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4442 0,2460 0,1943 0,1834 0,1775
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100
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SC75-3 (SOT416) VISHAY 330mA 60V 20V 250mW SMD 5Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SI1555DL SC70-6 N/P-MOSFET-Transistor; 20V/8V; 12V/8V; 630 mOhm/1,2 Ohm; 660mA/570mA; 270 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI1555dl Infos
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SI1555DL-T1-GE3 RoHS || SI1555DL SC70-6 SC70-6
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Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI1555DL-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SC70-6
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2870 0,1526 0,1182 0,1091 0,1046
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100
Menge (mehrere 1)
SC70-6 VISHAY 660mA 20V 12V 270mW SMD 1,2Ohm -55°C ~ 150°C N/P-MOSFET
KSI2300DS-T1-GE3 KUU N-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI2300ds KUU Infos
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KSI2300DS-T1-GE3 RoHS || KSI2300DS-T1-GE3 KUU SOT23
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kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer:
KSI2300DS-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
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240 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,1907 0,0955 0,0570 0,0472 0,0424
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300
Menge (mehrere 1)
SOT23 KUU 6A 20V 12V SMD 55mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SL2301 SLKOR P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 142 mOhm; 2,8A; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS-T1-GE3;
Micros Symbol: TSI2301 SLK Infos
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SL2301 RoHS || SL2301 SLKOR SOT23
Hersteller:
SLKOR Hersteller-Teilenummer:
SL2301 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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2995 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1025 0,0469 0,0255 0,0191 0,0171
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3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 SLKOR 2,8A 20V 12V 400mW SMD 142mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SI2301 SOT23-3 BORN P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 140 mOhm; 3A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI2301 BORN Infos
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SI2301 RoHS || SI2301 SOT23-3 BORN SOT23
Hersteller:
BORN Hersteller-Teilenummer:
SI2301 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,1879 0,0886 0,0494 0,0396 0,0342
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
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300
Menge (mehrere 1)
SOT23 BORN 3A 20V 10V 1,25W SMD 140mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SI2301 3A KUU P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 140 mOhm; 3A; 1W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI2301 KUU Infos
Datenblatt
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SI2301 3A RoHS || SI2301 3A KUU SOT23
Hersteller:
kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer:
SI2301 3A RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
400 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 600+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1303 0,0620 0,0349 0,0260 0,0237
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
600
Menge (mehrere 1)
SOT23 KUU 3A 20V 12V 1W SMD 140mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
YFW2301B Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 142mOhm; 2,8A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301; YFW2301B;
Micros Symbol: TSI2301 YFW Infos
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YFW2301B RoHS || YFW2301B SOT23t/r
Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer:
YFW2301B RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
5995 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0781 0,0308 0,0180 0,0132 0,0120
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 YFW 3A 20V 12V 1W SMD 64mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SI2301BDS P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 150 mOhm; 2,2A; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3;
Micros Symbol: TSI2301bds Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
SI2301BDS-T1-E3 RoHS || SI2301BDS SOT23
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2301BDS-T1-E3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 650+
Preis netto (EUR) 0,2802 0,1788 0,1248 0,1082 0,1023
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Standard-Verpackung:
650
Menge (mehrere 1)
SOT23 VISHAY 2,2A 20V 8V 700mW SMD 150mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
KSI2301CDS-T1-GE3 SOT23 KUU P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 115 mOhm; 3A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI2301cds KUU Infos
Datenblatt
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KSI2301CDS-T1-GE3 RoHS || KSI2301CDS-T1-GE3 SOT23 KUU SOT23
Hersteller:
kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer:
KSI2301CDS-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 600+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1643 0,0779 0,0440 0,0328 0,0298
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Standard-Verpackung:
600
Menge (mehrere 1)
SOT23 KUU 3A 20V 12V 1,25W SMD 115mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SI2301S SOT23 BORN P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 210mOhm; 2,3A; 1W; -50 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI2301s BORN Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI2301S RoHS || SI2301S SOT23 BORN SOT23
Hersteller:
BORN Hersteller-Teilenummer:
SI2301S RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1328 0,0531 0,0310 0,0257 0,0241
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
SOT23 BORN 2,3A 20V 10V 1W SMD 210mOhm -50°C ~ 150°C P-MOSFET
AS2302 N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 60mOhm; 3,5A; 1W; -55°C~150°C; Äquivalent: SI2302;
Micros Symbol: TSI2302 ANB Infos
Datenblatt
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AS2302 RoHS || AS2302 SOT23
Hersteller:
AnBon Hersteller-Teilenummer:
AS2302 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
8500 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 9000+
Preis netto (EUR) 0,1109 0,0442 0,0222 0,0177 0,0171
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Standard-Verpackung:
3000/9000
Menge (mehrere 10)
SOT23 AnBon 3,5A 20V 10V 1W SMD 60mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SI2302 SOT23 BORN N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 59mOhm; 3A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI2302 BORN Infos
Datenblatt
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SI2302 RoHS || SI2302 SOT23 BORN SOT23
Hersteller:
BORN Hersteller-Teilenummer:
SI2302 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 996+ 4980+
Preis netto (EUR) 0,1604 0,0642 0,0374 0,0310 0,0292
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Standard-Verpackung:
996
Menge (mehrere 1)
SOT23 BORN 3A 20V 10V 1,25W SMD 59mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SI2302 2.9A SOT23 KUU N-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 59mOhm; 2,9A; 1W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI2302 KUU Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI2302 2.9A RoHS || SI2302 2.9A SOT23 KUU SOT23
Hersteller:
kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer:
SI2302 2.9A RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
600 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 600+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1303 0,0620 0,0349 0,0260 0,0237
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Standard-Verpackung:
600
Menge (mehrere 1)
SOT23 KUU 2,9A 20V 10V 1W SMD 59mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SI2302CDS N-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 75mOhm; 2,6A; 710 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2302CDS-T1-GE3; SI2302CDS-T1;
Micros Symbol: TSI2302cds Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI2302CDS-T1-GE3 RoHS || SI2302CDS SOT23-3
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2302CDS-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
800 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3303 0,1825 0,1435 0,1328 0,1273
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
SOT23-3 VISHAY 2,6A 20V 8V 710mW SMD 75mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
KSI2302CDS-T1-GE3 KUU N-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 59mOhm; 2,9A; 1W; -55 °C ~ 150 °C; KSI2302CDS-T1-GE3;
Micros Symbol: TSI2302cds KUU Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
KSI2302CDS-T1-GE3 RoHS || KSI2302CDS-T1-GE3 KUU SOT23
Hersteller:
KUU Hersteller-Teilenummer:
KSI2302CDS-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
250 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 40+ 250+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1492 0,0533 0,0335 0,0289 0,0271
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
250
Menge (mehrere 1)
SOT23 KUU 2,9A 20V 10V 1W SMD 59mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SI2304BDS N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 105 mOhm; 2,6A; 750 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3;
Micros Symbol: TSI2304bds Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
SI2304BDS-T1-GE3 RoHS || SI2304BDS-T1-E3 Pbf L4Y0A || SI2304BDS SOT23
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2304BDS-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 40+ 150+ 600+
Preis netto (EUR) 0,4966 0,2984 0,2347 0,2094 0,1982
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Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
SOT23 VISHAY 2,6A 30V 20V 750mW SMD 105mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2304BDS-T1-E3 Pbf L4Y0A Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4944 0,2757 0,2164 0,2039 0,1975
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
SOT23 VISHAY 2,6A 30V 20V 750mW SMD 105mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SI2304BDS N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 105 mOhm; 2,6A; 750 mW; -55 °C ~ 150 °C; SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; Transistors - FETs, MOSFETs - Single; SI2304BDS-T1-GE3-VB;
Micros Symbol: TSI2304bds VBS Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
SI2304BDS-T1-GE3 RoHS || SI2304BDS SOT23
Hersteller:
VBsemi Hersteller-Teilenummer:
SI2304BDS-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3759 0,2460 0,1766 0,1545 0,1447
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
SOT23 VBsemi 2,6A 30V 20V 750mW SMD 105mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SI2305-CN CHIPNOBO P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 63mOhm; 5,4A; 1,20W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: SI2305B-TP;
Micros Symbol: TSI2305 CNB Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI2305-CN RoHS || SI2305-CN CHIPNOBO SOT23
Hersteller:
CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer:
SI2305-CN RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1567 0,0745 0,0419 0,0317 0,0285
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 CHIPNOBO 5,4A 20V 10V 1,2W SMD 63mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SI2305 SOT23-3 HOTTECH P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 250 mOhm; 3,2A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI2305 HOT Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI2305 RoHS || SI2305 SOT23-3 HOTTECH SOT23-3
Hersteller:
HOTTECH Hersteller-Teilenummer:
SI2305 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,1854 0,0877 0,0490 0,0369 0,0337
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
1719
Menge (mehrere 1)
SOT23-3 HOTTECH 3,2A 30V 12V 1,38W SMD 250mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
 
Hersteller:
HOTTECH Hersteller-Teilenummer:
SI2305 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,1854 0,0877 0,0490 0,0369 0,0337
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23-3 HOTTECH 3,2A 30V 12V 1,38W SMD 250mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SI2305-TP P-Channel-MOSFET-Transistor; 8V; 8V; 90mOhm; 4.1A; 1,4 W; -55°C~150°C; SI2305-TP-HF;
Micros Symbol: TSI2305-tp Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
SI2305-TP RoHS || SI2305-TP SOT23-3
Hersteller:
Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer:
SI2305-TP RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
4200 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2552 0,1412 0,0939 0,0784 0,0729
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23-3 MCC 4,1A 8V 8V 1,4W SMD 90mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
RDT2305A CREATEK P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 70mOhm; 4,1A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: SI2305B-TP;
Micros Symbol: TSI2305a CRE Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
RDT2305A RoHS || RDT2305A CREATEK SOT23
Hersteller:
Createk Microelectronics Hersteller-Teilenummer:
RDT2305A RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1353 0,0620 0,0337 0,0253 0,0226
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 CREATEK 4,1A 20V 12V 1,7W SMD 70mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SI2305B-TP Transistor-P-Channel-MOSFET; 20V; 10V; 80mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C~150°C; SI2305B-TP-HF; SI2305B-13P;
Micros Symbol: TSI2305b-tp MCC Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
SI2305B-TP RoHS || SI2305B-TP SOT23-3
Hersteller:
Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer:
SI2305B-TP RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2650 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2249 0,1244 0,0827 0,0690 0,0642
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23-3 MCC 4,2A 20V 10V 1,4W SMD 80mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
KSI2305CDS-T1-GE3 SOT23 KUU Mosfet P-ch 8V 5.8A SOT23-3 / Trans Mosfet P-ch 8V 4.4A 3-PIN SOT-23 T/r
Micros Symbol: TSI2305cds KUU Infos
Datenblatt
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SI2305CDS-T1-GE3 RoHS || KSI2305CDS-T1-GE3 SOT23 KUU SOT23
Hersteller:
KUU Hersteller-Teilenummer:
SI2305CDS-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 10+ 30+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 0,1868 0,1230 0,0695 0,0440 0,0339
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
SOT23 KUU 4A 20V 12V 1,1W SMD 85mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SI2305DS P-MOSFET-Transistor; 8V; 8V; 108mOhm; 3,5A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2305DS-T1-GE3; SI2305DS-T1-E3; SI2305CDS-T1; SI2305CDS-T1-GE3;
Micros Symbol: TSI2305ds Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI2305CDS-T1-GE3 RoHS || SI2305DS SOT23
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2305CDS-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
141 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,3873 0,2552 0,1832 0,1567 0,1492
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
SOT23 VISHAY 3,5A 8V 8V 1,25W SMD 108mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SI2307CDS Vishay P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 138 mOhm; 3,5A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2307CDS-T1-GE3; SI2307CDS-T1-BE3;
Micros Symbol: TSI2307cds Infos
Datenblatt
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SI2307CDS-T1-GE3 RoHS || SI2307CDS Vishay SOT23
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2307CDS-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2260 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3098 0,1645 0,1276 0,1178 0,1128
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 VISHAY 3,5A 30V 20V 1,8W SMD 138mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SI2308BDS N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 192 mOhm; 2,3A; 1,66 W; -55°C~150°C; Äquivalent: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND;
Micros Symbol: TSI2308bds Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
SI2308BDS-T1-GE3 RoHS || SI2308BDS SOT23
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2308BDS-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
5535 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3372 0,1857 0,1460 0,1351 0,1296
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 VISHAY 2,3A 60V 20V 1,66W SMD 192mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SI2309CDS-T1-GE3 P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 450 mOhm; 1,6A; 1,7 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3; G05P06L; SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS VISHAY;
Micros Symbol: TSI2309cds Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI2309CDS-T1-GE3 RoHS || SI2309CDS-T1-E3 || SI2309CDS-T1-GE3 SOT23
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2309CDS-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
990 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,3600 0,2369 0,1702 0,1458 0,1387
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Standard-Verpackung:
1500
Menge (mehrere 1)
SOT23 VISHAY 1,6A 60V 20V 1,7W SMD 450mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2309CDS-T1-E3 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,1387
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		SOT23 VISHAY 1,6A 60V 20V 1,7W SMD 450mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
1    71  72  73  74  75  76  77  78  79    235