Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 7032)

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Gehäuse
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Max. Drainstrom
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Drain-Source Spannung
Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Transistor-Typ
SI4470EY N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 13mOhm; 9A; 1,85 W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TSI4470ey Infos
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SI4470EY-T1-E3 RoHS || SI4470EY SOP08
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Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI4470EY-T1-E3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
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50 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 5+ 20+ 75+ 300+
Preis netto (EUR) 0,6083 0,4511 0,3326 0,2848 0,2643
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Standard-Verpackung:
75
Menge (mehrere 1)
SOP08 VISHAY 9A 60V 20V 1,85W SMD 13mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
SI4564DY-T1-GE3 Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 30A; 5,2 W; -55°C~150°C; SI4564DY-VB;
Micros Symbol: TSI4564dy Infos
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SI4564DY-T1-GE3 RoHS || SI4564DY-T1-GE3 SOIC08
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI4564DY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOIC08t/r  
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120 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,4717 1,0297 0,8748 0,8019 0,7746
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Standard-Verpackung:
400
Menge (mehrere 1)
SOIC08 VBsemi 30A 40V 20V 5,2W SMD 22mOhm -55°C ~ 150°C N/P-MOSFET
SI4686DY N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 14mOhm; 18,2A; 5,2 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4686DY-T1-E3;
Micros Symbol: TSI4686dy Infos
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SI4686DY RoHS || SI4686DY SOP08
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI4686DY RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
45 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 5+ 15+ 45+
Preis netto (EUR) 0,5650 0,3896 0,2802 0,2255
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Standard-Verpackung:
45
Menge (mehrere 1)
SOP08 VISHAY 18,2A 30V 20V 5,2W SMD 14mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SI4800BDY-e3 N-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 30mOhm; 6,5A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4800BDY-T1-E3; SI4800BDY-T1-GE3;
Micros Symbol: TSI4800bdy-e3 Infos
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SI4800BDY-T1-E3 RoHS || SI4800BDY-e3 SOP08
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Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI4800BDY-T1-E3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
60 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 225+ 1125+
Preis netto (EUR) 0,5035 0,3053 0,2347 0,2112 0,2016
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Standard-Verpackung:
225
Menge (mehrere 1)
SOP08 VISHAY 6,5A 30V 25V 1,3W SMD 30mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SI4816BDY-T1-GE3TR 2xN-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 22,5 mOhm/16 mOhm; 5,8A/8,2A; 1W/1,25W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4816BDY-T1-E3TR;
Micros Symbol: TSI4816bdy Infos
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SI4816BDY-T1-GE3 RoHS || SI4816BDY-T1-GE3TR SOP08
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI4816BDY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
54 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,0480 0,6971 0,5764 0,5194 0,4989
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
SOP08 VISHAY 8,2A 30V 20V 1,25W SMD 22,5mOhm -55°C ~ 150°C 2xN-MOSFET
SI4835DDY SMD P-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 30mOhm; 13A; 5,6 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4835DDY-T1-GE3; SI4835DDY-T1-E3;
Micros Symbol: TSI4835ddy Infos
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SI4835DDY-T1-E3 RoHS || SI4835DDY SMD SOP08
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI4835DDY-T1-E3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,9340 0,6197 0,5126 0,4625 0,4442
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
SOP08 VISHAY 13A 30V 25V 5,6W SMD 30mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SI4840BDY N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 12mOhm; 19A; 6W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4840BDY-T1-E3; SI4840BDY-E3; SI4840BDY-GE3;
Micros Symbol: TSI4840bdy Infos
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SI4840BDY RoHS || SI4840BDY-T1-GE3 || SI4840BDY SOP08
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI4840BDY RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
12 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,7496 1,4671 1,3054 1,2029 1,1664
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
SOP08 VISHAY 19A 40V 20V 6W SMD 12mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI4840BDY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
SOP08  
Externes Lager:
8000 Stk.
Anzahl der Stücke 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 1,1664
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		SOP08 VISHAY 19A 40V 20V 6W SMD 12mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SI4909DY P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 8A; 27mOhm; 3,2 W; -55°C~150°C; SI4909DY-T1-GE3; SI4909DY-T1-GE3; SI4909DY-T1-GE3;
Micros Symbol: TSI4909dy Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
SI4909DY-VB RoHS || SI4909DY SOP08
Hersteller:
VBsemi Hersteller-Teilenummer:
SI4909DY-VB RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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Auf Lager:
45 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,8794 0,5855 0,4852 0,4374 0,4192
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
SOP08 VBsemi 8A 40V 20V 3,2W SMD 27mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY 2xN-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 50mOhm; 5,8A; 2,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4936CDY-GE3;
Micros Symbol: TSI4936cdy Infos
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SI4936CDY-GE3 RoHS || SI4936CDY-T1-GE3 || SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY SOP08
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI4936CDY-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,5878 0,3691 0,3053 0,2734 0,2552
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
SOP08 VISHAY 5,8A 30V 20V 2,3W SMD 50mOhm -55°C ~ 150°C 2xN-MOSFET
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI4936CDY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
SOP08  
Externes Lager:
650 Stk.
Anzahl der Stücke 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,2877
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		SOP08 VISHAY 5,8A 30V 20V 2,3W SMD 50mOhm -55°C ~ 150°C 2xN-MOSFET
SI4946BEY 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 52mOhm; 6,5A; 3,7 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SI4946BEY-T1-GE3; SI4946BEY-T1-E3; SI4946BEY-E3;
Micros Symbol: TSI4946bey Infos
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SI4946BEY-T1-E3 RoHS || SI4946BEY SOP08
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI4946BEY-T1-E3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
15 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,6084 1,1915 1,0434 0,9682 0,9454
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
SOP08 VISHAY 6,5A 60V 20V 3,7W SMD 52mOhm -55°C ~ 175°C 2xN-MOSFET
SI4948BEY-T1-E3 Vishay Tranzystor 2xP-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 2,4A; 1,4W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: TSI4948bey Infos
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SI4948BEY-T1-E3 RoHS || SI4948BEY-T1-GE3 || SI4948BEY-T1-E3 Vishay SOIC08
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI4948BEY-T1-E3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOIC08t/r
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Auf Lager:
135 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 250+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8657 0,5468 0,4329 0,3896 0,3759
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Standard-Verpackung:
250
Menge (mehrere 1)
SOIC08 VISHAY 2,4A 60V 20V 1,4W SMD 150mOhm -55°C ~ 175°C 2xP-MOSFET
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI4948BEY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
SOIC08  
Externes Lager:
1750 Stk.
Anzahl der Stücke 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,6297
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		SOIC08 VISHAY 2,4A 60V 20V 1,4W SMD 150mOhm -55°C ~ 175°C 2xP-MOSFET
SI5618A-TP P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 240 mOhm; 1,6A; 1,2 W; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TSI5618A-TP Infos
Datenblatt
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SI5618A-TP RoHS || SI5618A-TP SOT23
Hersteller:
Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer:
SI5618A-TP RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2665 0,1419 0,1100 0,1016 0,0973
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 MCC 1,6A 60V 20V 1,2W SMD 240mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SI6968BEDQ 2xN-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 30mOhm; 5,2A; 1W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI6968bedq Infos
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SI6968BEDQ RoHS || SI6968BEDQ TSSOP08 t/r
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI6968BEDQ RoHS Präzisionsgehäuse:
TSSOP08 t/r  
Auf Lager:
64 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7222 0,4534 0,3759 0,3349 0,3144
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
TSSOP08 t/r VISHAY 5,2A 20V 12V 1W SMD 30mOhm -55°C ~ 150°C 2xN-MOSFET
SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 186 mOhm; 10,8A; 27,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI7113adn Infos
Datenblatt
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SI7113ADN-T1-GE3 RoHS || SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY PPAK-SO8
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI7113ADN-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
PPAK-SO8  
Auf Lager:
3 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,5537 1,1300 0,9249 0,8452 0,8179
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Standard-Verpackung:
4
Menge (mehrere 1)
PPAK-SO8 VISHAY 10,8A 100V 20V 27,8W SMD 186mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SI7137DP-T1-GE3 VISHAY Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO
Micros Symbol: TSI7137dp Infos
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SI7137DP-T1-GE3 RoHS || SI7137DP-T1-GE3 || SI7137DP-T1-GE3 VISHAY PPAK-SO8
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI7137DP-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
PPAK-SO8  
Auf Lager:
190 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3806 0,9659 0,8224 0,7518 0,7267
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
PPAK-SO8 VISHAY 42A 20V 12V 6,25W SMD 3,9mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
 
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI7137DP-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
PPAK-SO8  
Auf Lager:
90 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3806 0,9659 0,8224 0,7518 0,7267
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
PPAK-SO8 VISHAY 42A 20V 12V 6,25W SMD 3,9mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI7137DP-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
PPAK-SO8
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3806 0,9659 0,8224 0,7518 0,7267
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
PPAK-SO8 VISHAY 42A 20V 12V 6,25W SMD 3,9mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI7137DP-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
PPAK-SO8  
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,9960
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		PPAK-SO8 VISHAY 42A 20V 12V 6,25W SMD 3,9mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SI7139DP smd Vishay P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 9mOhm; 40A; 48W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI7139DP-GE3; SI7139DP-T1-GE3;
Micros Symbol: TSI7139dp Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI7139DP T1-GE3 RoHS || SI7139DP-T1-GE3 || SI7139DP smd Vishay SO-8
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI7139DP T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SO-8  
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,6608 1,3259 1,1345 1,0183 0,9773
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
SO-8 VISHAY 40A 30V 20V 48W SMD 9mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI7139DP-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
SO-8  
Externes Lager:
1375 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 1,0999
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		SO-8 VISHAY 40A 30V 20V 48W SMD 9mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SI7149ADP-TI-GE3 Vishay P-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 9,5 mOhm; 50A; 48W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI7149ADP-TI-E3; SI7149ADP-GE3;
Micros Symbol: TSI7149adp Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI7149ADP-T1-GE3 RoHS || SI7149ADP-TI-GE3 Vishay SO-8
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI7149ADP-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SO-8  
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,7609 0,4807 0,3805 0,3463 0,3303
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
SO-8 VISHAY 50A 30V 25V 48W SMD 9,5mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2026-12-25
Anzahl der Stücke: 3000
                     
SI7461DP-T1-E3 VISHAY P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 19mOhm; 8,6A; 1,9 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI7461DP; SI7461DP-T1-E3; SI7461DP-GE3; SI7461DP-T1-GE3;
Micros Symbol: TSI7461dp Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI7461DP-GE3 RoHS || SI7461DP-T1-E3 VISHAY PPAK-SO8
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI7461DP-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
PPAK-SO8  
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,7701 1,4056 1,2575 1,2006 1,1801
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Standard-Verpackung:
25
Menge (mehrere 1)
PPAK-SO8 VISHAY 8,6A 60V 20V 1,9W SMD 19mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SI7469DP-T1-E3 VISHAY Transistor P-Kanal MOSFET; 80V; 20V; 29mOhm; 10,2A; 5,2W; -55°C ~ 150°C; SI7469DP-T1-GE3
Micros Symbol: TSI7469dp Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI7469DP-T1-E3 RoHS || SI7469DP-T1-E3 || SI7469DP-T1-GE3 || SI7469DP-T1-E3 VISHAY PPAK-SO8
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI7469DP-T1-E3 RoHS Präzisionsgehäuse:
PPAK-SO8
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,8157 1,4398 1,2257 1,1254 1,0685
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
700
Menge (mehrere 1)
PPAK-SO8 VISHAY 10,2A 80V 20V 5,2W SMD 29mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI7469DP-T1-E3 Präzisionsgehäuse:
PPAK-SO8  
Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+
Preis netto (EUR) 1,0757
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
PPAK-SO8 VISHAY 10,2A 80V 20V 5,2W SMD 29mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI7469DP-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
PPAK-SO8  
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Preis netto (EUR) 1,0757
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3000
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PPAK-SO8 VISHAY 10,2A 80V 20V 5,2W SMD 29mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SI7615ADN-T1-GE3 P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 6mOhm; 22.1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3;
Micros Symbol: TSI7615adn Infos
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SI7615ADN-T1-GE3 RoHS || SI7615ADN-T1-GE3 || SI7615ADN-T1-GE3 PPAK1212
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI7615ADN-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
PPAK1212
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,7609 0,4807 0,3805 0,3463 0,3303
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Standard-Verpackung:
1
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PPAK1212 VISHAY 22,1A 20V 12V 52W SMD 6mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI7615ADN-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
PPAK1212
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,7609 0,4807 0,3805 0,3463 0,3303
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
PPAK1212 VISHAY 22,1A 20V 12V 52W SMD 6mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
 
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI7615ADN-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
PPAK1212
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,7609 0,4807 0,3805 0,3463 0,3303
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Standard-Verpackung:
9
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PPAK1212 VISHAY 22,1A 20V 12V 52W SMD 6mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI7615ADN-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
PPAK1212  
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3000 Stk.
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3000
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		PPAK1212 VISHAY 22,1A 20V 12V 52W SMD 6mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SI9430DY P-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 90mOhm; 5,8A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI9430dy Infos
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SI9430DY || SI9430DY SOP08
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI9430DY Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
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540 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2500+
Preis netto (EUR) 0,3007 0,1665 0,1105 0,0920 0,0861
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Standard-Verpackung:
2500
Menge (mehrere 1)
SOP08 VISHAY 5,8A 20V 20V 2,5W SMD 90mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SI9435BDY P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 70mOhm; 4.1A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9435BDY-E3;
Micros Symbol: TSI9435bdy Infos
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SI9435BDY RoHS || SI9435BDY SOP08
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI9435BDY RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,7336 0,4647 0,3668 0,3349 0,3189
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
SOP08 VISHAY 4,1A 30V 20V 1,3W SMD 70mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SI9933CDY 2xP-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1 W; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9933CDY-T1-GE3; SI9933CDY-GE3;
Micros Symbol: TSI9933cdy Infos
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SI9933CDY-T1-GE3 RoHS || SI9933CDY-T1-GE3 || SI9933CDY SOP08
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI9933CDY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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Auf Lager:
1163 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5513 0,3349 0,2574 0,2324 0,2208
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Standard-Verpackung:
2500
Menge (mehrere 1)
SOP08 VISHAY 4A 20V 12V 3,1W SMD 94mOhm -50°C ~ 150°C 2xP-MOSFET
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI9933CDY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
SOP08  
Externes Lager:
4550 Stk.
Anzahl der Stücke 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,3442
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		SOP08 VISHAY 4A 20V 12V 3,1W SMD 94mOhm -50°C ~ 150°C 2xP-MOSFET
SI9945AEY SOP8 TECH PUBLIC Dualer N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 26mOhm; 6A; 2W; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TSI9945aey TEC Infos
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SI9945AEY RoHS || SI9945AEY SOP8 TECH PUBLIC SOP08
Hersteller:
TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer:
SI9945AEY RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 0,6971 0,4351 0,3486 0,3121 0,3030
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Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
SOP08 TECH PUBLIC 6A 10V 60V 20V 2W SMD 26mOhm -55°C ~ 150°C 2xN-MOSFET
SI9945BDY 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 72mOhm; 5,3A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9945BDY-T1-GE3; SI9945BDY-GE3;
Micros Symbol: TSI9945bdy Infos
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SI9945BDY-T1-GE3 RoHS || SI9945BDY SOP08
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI9945BDY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7586 0,4761 0,3964 0,3531 0,3303
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
SOP08 VISHAY 5,3A 60V 20V 3,1W SMD 72mOhm -55°C ~ 150°C 2xN-MOSFET
SIA431DJ-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70
Micros Symbol: TSIA431dj Infos
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SIA431DJ-T1-GE3 RoHS || SIA431DJ-T1-GE3 PPAK-SC70-6
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SIA431DJ-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
PPAK-SC70-6
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6812 0,4306 0,3394 0,3098 0,2962
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
PPAK-SC70-6 VISHAY 9,6A 20V 8V 3,5W SMD 70mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SIA433EDJ-T1-GE3 P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 65mOhm; 12A; 19W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSIA433edj Infos
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SIA433EDJ-T1-GE3 RoHS || SIA433EDJ-T1-GE3 PPAK-SC70-6
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SIA433EDJ-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
PPAK-SC70-6
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8908 0,5650 0,4442 0,4055 0,3873
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
SC70-6 VISHAY 12A 20V 12V 19W SMD 65mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SIHG20N50C-E3 N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 270 mOhm; 20A; 250 W; -55 °C ~ 150 °C; VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT
Micros Symbol: TSIHG20n50c Infos
Datenblatt
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SIHG20N50C-E3 RoHS || SIHG20N50C-E3 TO247
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SIHG20N50C-E3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 2,3852 1,8932 1,6927 1,6198 1,5902
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Standard-Verpackung:
25/100
Menge (mehrere 1)
TO247 VISHAY 20A 500V 30V 250W THT 270mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistor N-Channel MOSFET; 600V; +/-30V; 49mOhm; 48A; 278W; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TSIHK045N60E-T1-GE3 Infos
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SIHK045N60E-T1-GE3 RoHS || SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix PPAK-SO8
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SIHK045N60E-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
PPAK-SO8
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 5,6453 5,2010 4,9277 4,7887 4,7044
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
PPAK-SO8 Siliconix 48A 600V 30V 278W SMD 49mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SIR426DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Micros Symbol: TSIR426dp Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SIR426DP-T1-GE3 RoHS || SIR426DP-T1-GE3 || SIR426DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PPAK
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SIR426DP-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
Preis netto (EUR) 1,2348 0,8634 0,7131 0,6584 0,6493
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
PowerPAK SO-8 VISHAY 30A 40V 20V 41,7W SMD 12,5mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SIR426DP-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
PPAK  
Externes Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 1,1717
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		PowerPAK SO-8 VISHAY 30A 40V 20V 41,7W SMD 12,5mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
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