Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 7032)

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SISH110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 7,8 mOhm; 13,5A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSISH110dn Infos
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SISH110DN-T1-GE3 RoHS || SISH110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix PPAK1212
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SISH110DN-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
PPAK1212  
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
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650
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PPAK1212 VISHAY 13,5A 20V 20V 1,5W SMD 7,8mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SISS22DN-T1-GE3 Vishay Siliconix N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5mOhm; 90,6A; 65,7 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSISS22dn Infos
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SISS22DN-T1-GE3 RoHS || SISS22DN-T1-GE3 Vishay Siliconix PPAK-SO8
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SISS22DN-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
PPAK-SO8
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,8134 1,4352 1,2234 1,1231 1,0662
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PPAK-SO8 VISHAY 90,6A 60V 20V 65,7W SMD 5mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SIZ240DT-T1-GE3 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 12mOhm/13mOhm; 48A/47A; 33W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSIZ240dt Infos
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SIZ240DT-T1-GE3 RoHS || SIZ240DT-T1-GE3 || SIZ240DT-T1-GE3 POWERPAIR08(3.3x3.3)
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SIZ240DT-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
POWERPAIR08(3.3x3.3)
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,7747 1,4079 1,2735 1,2029 1,1824
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20
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POWERPAIR08(3.3x3.3) VISHAY 48A 40V 20V 33W SMD 13mOhm -55°C ~ 150°C 2xN-MOSFET
 
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SIZ240DT-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
POWERPAIR08(3.3x3.3)  
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SK3402 SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 65mOhm; 4,2A; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3402;
Micros Symbol: TSK3402 Infos
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SK3402 RoHS || SK3402 SHIKUES SC59
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SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SK3402 RoHS Präzisionsgehäuse:
SC59
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1779 0,0845 0,0476 0,0360 0,0324
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3000
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SC59 SHIKUES 4,2A 30V 12V SMD 65mOhm -50°C ~ 150°C N-MOSFET
SK3407 SHIKUES P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 100 mOhm; 4.1A; 25 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3407;
Micros Symbol: TSK3407 Infos
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SK3407 RoHS || SK3407 SHIKUES SC59
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SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SK3407 RoHS Präzisionsgehäuse:
SC-59 t/r
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,1829 0,0866 0,0485 0,0367 0,0333
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500
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SC59 SHIKUES 4,1A 30V 20V SMD 100mOhm 25°C ~ 150°C P-MOSFET
SK3414 SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3414;
Micros Symbol: TSK3414 Infos
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SK3414 RoHS || SK3414 SHIKUES SC59
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SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SK3414 RoHS Präzisionsgehäuse:
SC-59 t/r
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270 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2044 0,0966 0,0540 0,0410 0,0371
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500
Menge (mehrere 1)
SC59 SHIKUES 4,5A 30V 12V 1,4W SMD 60mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SKML2502 SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 55mOhm; 4,5A; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
Micros Symbol: TSKML2502 Infos
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SKML2502 RoHS || SKML2502 SHIKUES SOT23
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SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SKML2502 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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2480 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1930 0,0916 0,0515 0,0392 0,0351
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 SHIKUES 4,5A 30V 12V SMD 55mOhm -50°C ~ 150°C N-MOSFET
SKML6401 SHIKUES P-Channel-MOSFET-Transistor; 16V; 8V; 140 mOhm; 3A; 25 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
Micros Symbol: TSKML6401 Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
SKML6401 RoHS || SKML6401 SHIKUES SOT23
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SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SKML6401 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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750 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1718 0,0686 0,0399 0,0333 0,0312
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1000
Menge (mehrere 1)
SOT23 SHIKUES 3A 16V 8V SMD 140mOhm 25°C ~ 150°C P-MOSFET
SKQ55P02AD SHIKUES P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 15mOhm; 55A; 38W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSKQ55P02ad Infos
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SKQ55P02AD RoHS || SKQ55P02AD SHIKUES DFN08(3.3x3.3)
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SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SKQ55P02AD RoHS Präzisionsgehäuse:
DFN08(3.3x3.3)
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180 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2392 0,1526 0,1071 0,0929 0,0870
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
DFN08(3.3x3.3) SHIKUES 55A 20V 10V 38W SMD 15mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SMP5116 Transistor JFET 50mA, -40V P-Channel; vDS -15V; Vgs 30V; Gate-Source 4V;
Micros Symbol: TSMP5116 Infos
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SMP5116 RoHS || SMP5116 SOT23
Hersteller:
INTERFET Hersteller-Teilenummer:
SMP5116 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23
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10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 110+
Preis netto (EUR) 3,0778 2,7384 2,5333 2,4308 2,3670
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110
Menge (mehrere 1)
SOT23 InterFET -25mA -15V 30V SMD P-MOSFET
SPA11N80C3 N-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 1,05 Ohm; 11A; 34W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPA11N80C3XKSA1; SPA11N80C3XKSA2;
Micros Symbol: TSPA11n80c3 Infos
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SPA11N80C3XKSA1 RoHS || SPA11N80C3XKSA1 || SPA11N80C3 TO220iso
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPA11N80C3XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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16 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 4,2328 3,5836 3,1917 2,9388 2,8409
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220iso Infineon Technologies 11A 800V 20V 34W THT 1,05Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPA11N80C3XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
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265 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 2,8409
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1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		TO220iso Infineon Technologies 11A 800V 20V 34W THT 1,05Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SPB17N80C3 N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 670 mOhm; 17A; 227W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPB17N80C3ATMA1;
Micros Symbol: TSPB17n80c3 Infos
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SPB17N80C3 RoHS || SPB17N80C3 TO263 (D2PAK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPB17N80C3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263t/r (D2PAK)
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Auf Lager:
15 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 3,1393 2,6996 2,5265 2,4354 2,4149
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
TO263 (D2PAK) Infineon Technologies 17A 800V 20V 227W SMD 670mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SPD06N80C3 N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 2,1 Ohm; 6A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPD06N80C3ATMA1; SPD06N80C3BTMA1;
Micros Symbol: TSPD06n80c3 Infos
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SPD06N80C3ATMA1 RoHS || SPD06N80C3 TO252 (DPAK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPD06N80C3ATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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Auf Lager:
8 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,7316 3,1416 2,7862 2,6108 2,5037
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPAK) Infineon Technologies 6A 800V 20V 83W SMD 2,1Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SPD07N60C3 N-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 1,46 Ohm; 7,3A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; SPD07N60C3ATMA1; SPD07N60C3BTMA1; SPD07N60C3ATMA1-0;
Micros Symbol: TSPD07n60c3 Infos
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SPD07N60C3 RoHS || SPD07N60C3 TO252 (DPAK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPD07N60C3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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0 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,0958 0,7677 0,6516 0,5969 0,5764
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPACK) Infineon Technologies 7,3A 650V 20V 83W SMD 1,46Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SPD09P06PL G P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 400 mOhm; 9,7A; 42W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SPD09P06PLGBTMA1;
Micros Symbol: TSPD09p06pl Infos
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SPD09P06PLGBTMA1 RoHS || SPD09P06PL G TO252 (DPAK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPD09P06PLGBTMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPAK)
Datenblatt
Auf Lager:
12 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 0,9523 0,6994 0,5604 0,4807 0,4534
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPAK) Infineon Technologies 9,7A 60V 20V 42W SMD 400mOhm -55°C ~ 175°C P-MOSFET
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPD09P06PLGBTMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 0,9523 0,6994 0,5604 0,4807 0,4534
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPAK) Infineon Technologies 9,7A 60V 20V 42W SMD 400mOhm -55°C ~ 175°C P-MOSFET
SPD15P10PL G P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 270 mOhm; 15A; 128 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SPD15P10PLGBTMA1;
Micros Symbol: TSPD15p10pl Infos
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SPD15P10PLGBTMA1 RoHS || SPD15P10PL G TO252 (DPAK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPD15P10PLGBTMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,8020 1,3350 1,1687 1,0844 1,0593
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPAK) Infineon Technologies 15A 100V 20V 128W SMD 270mOhm -55°C ~ 175°C P-MOSFET
SPD18P06P G P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 130 mOhm; 18,6A; 80W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SPD18P06PGBTMA1;
Micros Symbol: TSPD18p06p Infos
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SPD18P06PG RoHS || SPD18P06P G TO252 (DPAK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPD18P06PG RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
31 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,0001 0,7336 0,5878 0,5058 0,4761
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPAK) Infineon Technologies 18,6A 60V 20V 80W SMD 130mOhm -55°C ~ 175°C P-MOSFET
SPD30P06P G P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 75mOhm; 30A; 125 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SPD30P06PGBTMA1;
Micros Symbol: TSPD30p06p Infos
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SPD30P06PGBTMA1 RoHS || SPD30P06P G TO252 (DPAK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPD30P06PGBTMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,1550 0,8816 0,7290 0,6402 0,6083
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPAK) Infineon Technologies 30A 60V 20V 125W SMD 75mOhm -55°C ~ 175°C P-MOSFET
SPD50P03L G P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 12,5 mOhm; 50A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SPD50P03LGBTMA1;
Micros Symbol: TSPD50p03l Infos
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SPD50P03LGBTMA1 RoHS || SPD50P03L G TO252 (DPAK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPD50P03LGBTMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
9 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 9+ 36+ 117+
Preis netto (EUR) 1,4671 1,1140 0,9295 0,8179 0,7723
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Standard-Verpackung:
9
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPAK) Infineon Technologies 50A 30V 20V 150W SMD 12,5mOhm -55°C ~ 175°C P-MOSFET
SPP04N80C3 N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPP04N80C3XKSA1;
Micros Symbol: TSPP04n80c3 Infos
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SPP04N80C3XKSA1 RoHS || SPP04N80C3 TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPP04N80C3XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,2940 0,9887 0,8179 0,7176 0,6812
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 Infineon Technologies 4A 800V 20V 63W THT 3Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SPP06N80C3 N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 2,1 Ohm; 6A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPP06N80C3XKSA1;
Micros Symbol: TSPP06N80C3 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SPP06N80C3 RoHS || SPP06N80C3XKSA1 || SPP06N80C3 TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPP06N80C3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
35 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,4899 1,1368 0,9409 0,8247 0,7837
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 Infineon Technologies 6A 800V 20V 83W THT 2,1Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPP06N80C3XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
596 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 1,2190
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		TO220 Infineon Technologies 6A 800V 20V 83W THT 2,1Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SPP08N80C3 N-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 1,5 Ohm; 8A; 104W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPP02N80C3XKSA1;
Micros Symbol: TSPP08N80C3 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SPP08N80C3 RoHS || SPP08N80C3 TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPP08N80C3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
28 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,7633 1,4785 1,3145 1,2143 1,1755
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 Infineon Technologies 8A 800V 20V 104W THT 1,5Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SPP11N80C3XKSA1 N-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 1,05 Ohm; 11A; 156W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSPP11n80c3 Infos
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SPP11N80C3XKSA1 RoHS || SPP11N80C3XKSA1 TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPP11N80C3XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 3,6223 3,0664 2,7315 2,5151 2,4308
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 Infineon Technologies 11A 800V 20V 156W THT 1,05Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SPP18P06P P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 130 mOhm; 18,7A; 81,1 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SPP18P06PH; SPP18P06PHXKSA1;
Micros Symbol: TSPP18p06p Infos
Datenblatt
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SPP18P06PHXKSA1 RoHS || SPP18P06PHXKSA1 || SPP18P06P TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPP18P06PHXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 0,9044 0,6629 0,5331 0,4556 0,4306
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 Infineon Technologies 18,7A 60V 20V 81,1W THT 130mOhm -55°C ~ 175°C P-MOSFET
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPP18P06PHXKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
396 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 1,6215
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		TO220 Infineon Technologies 18,7A 60V 20V 81,1W THT 130mOhm -55°C ~ 175°C P-MOSFET
SPP20N60S5 N-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 430 mOhm; 20A; 208W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPP20N60S5HKSA1; SPP20N60S5XKSA1;
Micros Symbol: TSPP20n60s5 Infos
Datenblatt
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SPP20N60S5XKSA1 RoHS || SPP20N60S5XKSA1 || SPP20N60S5 TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPP20N60S5XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
39 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 100+
Preis netto (EUR) 7,2013 6,1123 5,4448 5,0028 4,8981
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 Infineon Technologies 20A 600V 20V 208W THT 430mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPP20N60S5XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
923 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 4,8981
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		TO220 Infineon Technologies 20A 600V 20V 208W THT 430mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SPP20N65C3XKSA1 N-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 430 mOhm; 20,7A; 208W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPP20N65C3HKSA1;
Micros Symbol: TSPP20n65c3 Infos
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SPP20N65C3XKSA1 RoHS || SPP20N65C3XKSA1 || SPP20N65C3XKSA1 TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPP20N65C3XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 3,8114 3,2259 2,8750 2,6472 2,5584
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 Infineon Technologies 20,7A 650V 20V 208W THT 430mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPP20N65C3XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 3,1395
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		TO220 Infineon Technologies 20,7A 650V 20V 208W THT 430mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SPP24N60C3 N-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 340 mOhm; 24,3A; 240 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPP24N60C3XKSA1;
Micros Symbol: TSPP24n60c3 Infos
Datenblatt
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SPP24N60C3 RoHS || SPP24N60C3 TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPP24N60C3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 3,4583 3,0869 2,8637 2,7178 2,6609
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 Infineon Technologies 24,3A 650V 20V 240W THT 340mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SPP80P06PHXKSA1 P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 23mOhm; 80A; 340 W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TSPP80p06ph Infos
Datenblatt
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SPP80P06PHXKSA1 RoHS || SPP80P06PHXKSA1 || SPP80P06PHXKSA1 TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPP80P06PHXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,4581 2,0617 1,8316 1,6904 1,6380
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 Infineon Technologies 80A 60V 20V 340W THT 23mOhm -55°C ~ 175°C P-MOSFET
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPP80P06PHXKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
2246 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 2,4725
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		TO220 Infineon Technologies 80A 60V 20V 340W THT 23mOhm -55°C ~ 175°C P-MOSFET
SPW20N60S5 N-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 430 mOhm; 20A; 208W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPW20N60S5FKSA1;
Micros Symbol: TSPW20n60s5 Infos
Datenblatt
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SPW20N60S5FKSA1 RoHS || SPW20N60S5 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPW20N60S5FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
77 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 7,3972 6,2718 5,5838 5,2329 5,0325
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Standard-Verpackung:
30/90
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 20A 600V 20V 208W THT 430mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SPW32N50C3 N-Channel-MOSFET-Transistor; 560V; 20V; 270 mOhm; 32A; 284W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPW32N50C3FKSA1;
Micros Symbol: TSPW32n50c3 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SPW32N50C3 RoHS || SPW32N50C3 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPW32N50C3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247  
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 20+ 50+
Preis netto (EUR) 7,9121 7,4086 7,0942 6,9803 6,8801
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 32A 560V 20V 284W THT 270mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
1    74  75  76  77  78  79  80  81  82    235