Transistoren IGBT (Ergebnisse: 389)

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IXGH30N60C3D1 Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 150A; 220W; 3,0V~5,5V; 38nC; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TIXGH30n60c3d1 Infos
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IXGH30N60C3D1 TO247AD
  600V 20V 60A 150A 220W 3,0V ~ 5,5V 38nC TO247AD THT IXYS -55°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
JNG20T65KS JIAENSEMI IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 40A; 60A; 139W; 5,1V~6,9V; 271nC; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TJNG20t65ks Infos
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JNG20T65KS JIAENSEMI TO263
  650V 30V 40A 60A 139W 5,1V ~ 6,9V 271nC TO263 SMD JIAENSEMI -55°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
JNG40T120HS JIAENSEMI IGBT-Transistor ; 1200V; 30V; 80A; 120A; 300W; 4V~6V; 107nC; -55°C~155°C;
Micros Symbol: TJNG40t120hs Infos
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JNG40T120HS JIAENSEMI TO247
  1200V 30V 80A 120A 300W 4,0V ~ 6,0V 107nC TO247 THT JIAENSEMI -55°C ~ 155°C
 
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STGF19NC60HD 16A; 600V; 32W; IGBT w/ Diode
Micros Symbol: TSTGF19nc60hd Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
STGF19NC60HD  
  TO220iso
 
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STGF7NC60HD Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Micros Symbol: TSTGF7nc60hd Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
STGF7NC60HD TO220FP
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
STGP10NC60KD Trans IGBT ; 600V; 20V; 20A; 30A; 65W; 4,5V~6,5V; 19nC; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TSTGP10nc60kd Infos
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STGP10NC60KD TO220
                         
Artikel auf Anfrage erhältlich
600V 20V 20A 30A 65W 4,5V ~ 6,5V 19nC TO220 THT STMicroelectronics -55°C ~ 150°C
                           
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Geplantes Datum: 2026-01-31
Anzahl der Stücke: 100
                     
STGP8NC60KD Trans IGBT ; 600V; 20V; 15A; 30A; 65W; 4,5V~6,5V; 19nC; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TSTGP8nc60kd Infos
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STGP8NC60KD TO220
  600V 20V 15A 30A 65W 4,5V ~ 6,5V 19nC TO220 THT STMicroelectronics -55°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
STGW30H60DLFB STMicroelectronics 30A; 600V; 260W; IGBT
Micros Symbol: TSTGW30h60dlfb Infos
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STGW30H60DLFB STMicroelectronics TO247
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
STGW30NC60WD STMicroelectronics Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 150A; 200W; 3,75V~5,75V; 140nC; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TSTGW30nc60wd Infos
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STGW30NC60WD STMicroelectronics TO247
  600V 20V 60A 150A 200W 3,75V ~ 5,75V 140nC TO247 THT STMicroelectronics -55°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
STGW30V60DF STMicroelectronics Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 258W; 5,0V~7,0V; 163nC; -55°C~175°C;
Micros Symbol: TSTGW30v60df Infos
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STGW30V60DF STMicroelectronics TO247
  600V 20V 60A 120A 258W 5,0V ~ 7,0V 163nC TO247 THT STMicroelectronics -55°C ~ 175°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
STGW40M120DF3 STMicroelectronics 80A; 1200V; 468W; IGBT
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STGW40M120DF3 STMicroelectronics  
 
 
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SKM100GB12T4 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 300A; 5,0~6,5V; 565nC; -40°C~175°C;
Micros Symbol: TSKM100gb12t4 Infos
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SKM100GB12T4 Rys.SKM100
  1200V 20V 100A 300A 5,0V ~ 6,5V 565nC Rys.SKM100 SEMIKRON -40°C ~ 175°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
STGW60V60F STMicroelectronics Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW60V60F STMicroelectronics TO247
 
 
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STGF15M65DF2 Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 31000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Micros Symbol: TSTGF15m65df2 Infos Zu favoriten hinzufügen
STGF15M65DF2  
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
STGD4M65DF2 Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
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STGD4M65DF2  
 
 
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BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR IGBT-Transistor; THT; TO247-4; Technologie: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 338W
Micros Symbol: TBGH75N65ZF1 Infos
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BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N65ZF1
  650V 20V 75A 300A 338W 4,2V ~ 5,8V 444nC TO247-4 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 1,2 kV; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 200A; Leistung: 568W
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BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N120HF1
  1200V 20V 75A 200A 568W 4,2V ~ 5,8V 398nC TO247-3 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
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BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-4; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 50A; Kollektorstrom im Impuls: 200A; Leistung: 297W
Micros Symbol: TBGH50N65ZF1 Infos
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BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH50N65ZF1
  650V 20V 50A 200A 297W 4,2V ~ 5,8V 308nC TO247-4 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 50A; Kollektorstrom im Impuls: 200A; Leistung: 297W
Micros Symbol: TBGH50N65HS1 Infos
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BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH50N65HS1
  650V 20V 50A 200A 297W 4,2V ~ 5,8V 308nC TO247-3 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
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BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor-IGBT; THT; TO247-3; Technologie: Feldstopp, SiC SBD, Trench Kollektor-Emitter-Spannung: 650 V; Gate-Emitter-Spannung: 20 V; Kollektorstrom: 50 A; gepulster Kollektorstrom: 200 A; Leistung: 297 W
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BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH50N65HF1
  650V 20V 50A 200A 297W 4,2V ~ 5,8V 308nC TO247-3 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 405W
Micros Symbol: TBGH75N65HF1 Infos
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BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N65HF1
  650V 20V 75A 300A 405W 4,2V ~ 5,8V 444nC TO247-4 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
BGH75N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR IGBT-Transistor; THT; TO247-3; Technologie: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 405W
Micros Symbol: TBGH75N65HS1 Infos
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BGH75N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N65HS1
  650V 20V 75A 300A 405W 4,2V ~ 5,8V 444nC TO247-3 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
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YGP20N65T2 LUXIN-SEMI IGBT-Transistor ; 650V; 25V; 40A; 60A; 125W; 4,6V~6,2V; 45nC; -40°C~150°C; Ähnlich zu: IKP15N60TXKSA1; IRGB4620DPBF;
Micros Symbol: TYGP20n65t2 Infos
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YGP20N65T2 LUXIN-SEMI TO220
                         
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650V 25V 40A 60A 125W 4,6V ~ 6,2V 45nC TO220 THT LUXIN-SEMI -40°C ~ 150°C
                           
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Geplantes Datum: 2025-11-14
Anzahl der Stücke: 200
                     
YGW40N65F1 LUXIN-SEMI IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 80A; 120A; 250W; 4V~6V; 90nC; -40°C~150°C; Ähnlich zu: IKW40N60H3FKSA1; IRGP4640DPBF;
Micros Symbol: TYGW40n65f1 Infos
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YGW40N65F1 LUXIN-SEMI TO247
                         
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650V 20V 80A 120A 250W 4,0V ~ 6,0V 90nC TO247 THT LUXIN-SEMI -40°C ~ 150°C
                           
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Geplantes Datum: 2025-11-14
Anzahl der Stücke: 60
                     
YGW50N65F1A LUXIN-SEMI IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 100A; 150A; 312W; 4V~6V; 180nC; -40°C~175°C; Ähnlich zu: IKW50N60H3FKSA1;
Micros Symbol: TYGW50n65f1a Infos
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YGW50N65F1A LUXIN-SEMI TO247
                         
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650V 20V 100A 150A 312W 4,0V ~ 6,0V 180nC TO247 THT LUXIN-SEMI -40°C ~ 175°C
                           
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Geplantes Datum: 2025-11-14
Anzahl der Stücke: 60
                     
YGW50N65T1 LUXIN-SEMI IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 100A; 150A; 312W; 4V~6V; 180nC; -40°C~175°C; Ähnlich zu: IKW50N60TFKSA1; RGS00TS65EHRC11;
Micros Symbol: TYGW50n65t1 Infos
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YGW50N65T1 LUXIN-SEMI TO247
                         
Artikel auf Anfrage erhältlich
650V 20V 100A 150A 312W 4,0V ~ 6,0V 180nC TO247 THT LUXIN-SEMI -40°C ~ 175°C
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-11-14
Anzahl der Stücke: 60
                     
YGW60N65FMA1 LUXIN-SEMI IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 100A; 180A; 273W; 4,7V~6,3V; 145nC; -40°C~175°C; Ähnlich zu: IKW50N65EH5XKSA1; IKZ50N65EH5XKSA1;
Micros Symbol: TYGW60n65fma1 Infos
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YGW60N65FMA1 LUXIN-SEMI TO247
                         
Artikel auf Anfrage erhältlich
650V 20V 100A 180A 273W 4,7V ~ 6,3V 145nC TO247 THT LUXIN-SEMI -40°C ~ 175°C
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-11-14
Anzahl der Stücke: 60
                     
YGW60N65T1 LUXIN-SEMI IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 120A; 180A; 416W; 4,3V~6,4V; 158nC; -40°C~150°C; Ähnlich zu: IKW50N65EH5XKSA1; IKW60N60H3FKSA1;
Micros Symbol: TYGW60n65t1 Infos
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YGW60N65T1 LUXIN-SEMI TO247
                         
Artikel auf Anfrage erhältlich
650V 20V 120A 180A 416W 4,3V ~ 6,4V 158nC TO247 THT LUXIN-SEMI -40°C ~ 150°C
                           
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Geplantes Datum: 2025-11-14
Anzahl der Stücke: 60
                     
YGW75N65FP LUXIN-SEMI IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 150A; 225A; 710W; 4,2V~6,5V; 130nC; -40°C~150°C; Ähnlich zu: IRGP4066DPBF;
Micros Symbol: TYGW75n65fp Infos
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YGW75N65FP LUXIN-SEMI TO247
                         
Artikel auf Anfrage erhältlich
650V 20V 150A 225A 710W 4,2V ~ 6,5V 130nC TO247 THT LUXIN-SEMI -40°C ~ 150°C
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-11-14
Anzahl der Stücke: 60
                     
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