Transistoren IGBT (Ergebnisse: 373)
| Produkt | Warenkorb |
Kollektor-Emitter-Spannung
|
Gate - Emitter Spannung
|
Max. Kollektor-Strom
|
Max. Kollektor-Strom im Impuls
|
Maximale Verlustleistung
|
Vorwärtsspannung [Vgeth]
|
Gate-Ladung
|
Gehäuse
|
Montage
|
Hersteller
|
Betriebstemperatur (Bereich)
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 1,2 kV; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 200A; Leistung: 568W
|
|||||||||||||
Rys.TBGH75N120HF1
|
1200V | 20V | 75A | 200A | 568W | 4,2V ~ 5,8V | 398nC | TO247-3 | THT | BASiC SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | ||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
|
BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-4; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 50A; Kollektorstrom im Impuls: 200A; Leistung: 297W
|
|||||||||||||
|
Rys.TBGH50N65ZF1
|
650V | 20V | 50A | 200A | 297W | 4,2V ~ 5,8V | 308nC | TO247-4 | THT | BASiC SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | ||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
|
BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 50A; Kollektorstrom im Impuls: 200A; Leistung: 297W
|
|||||||||||||
|
Rys.TBGH50N65HS1
|
650V | 20V | 50A | 200A | 297W | 4,2V ~ 5,8V | 308nC | TO247-3 | THT | BASiC SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | ||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
|
BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor-IGBT; THT; TO247-3; Technologie: Feldstopp, SiC SBD, Trench Kollektor-Emitter-Spannung: 650 V; Gate-Emitter-Spannung: 20 V; Kollektorstrom: 50 A; gepulster Kollektorstrom: 200 A; Leistung: 297 W
|
|||||||||||||
|
Rys.TBGH50N65HF1
|
650V | 20V | 50A | 200A | 297W | 4,2V ~ 5,8V | 308nC | TO247-3 | THT | BASiC SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | ||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
|
BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 405W
|
|||||||||||||
|
Rys.TBGH75N65HF1
|
650V | 20V | 75A | 300A | 405W | 4,2V ~ 5,8V | 444nC | TO247-4 | THT | BASiC SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | ||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
|
BGH75N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR
IGBT-Transistor; THT; TO247-3; Technologie: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 405W
|
|||||||||||||
|
Rys.TBGH75N65HS1
|
650V | 20V | 75A | 300A | 405W | 4,2V ~ 5,8V | 444nC | TO247-3 | THT | BASiC SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | ||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
|
YGP20N65T2 LUXIN-SEMI
IGBT-Transistor ; 650V; 25V; 40A; 60A; 125W; 4,6V~6,2V; 45nC; -40°C~150°C; Ähnlich zu: IKP15N60TXKSA1; IRGB4620DPBF;
|
|||||||||||||
TO220
|
650V | 25V | 40A | 60A | 125W | 4,6V ~ 6,2V | 45nC | TO220 | THT | LUXIN-SEMI | -40°C ~ 150°C | ||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
|
YGW40N65F1 LUXIN-SEMI
IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 80A; 120A; 250W; 4V~6V; 90nC; -40°C~150°C; Ähnlich zu: IKW40N60H3FKSA1; IRGP4640DPBF;
|
|||||||||||||
TO247
|
650V | 20V | 80A | 120A | 250W | 4,0V ~ 6,0V | 90nC | TO247 | THT | LUXIN-SEMI | -40°C ~ 150°C | ||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
|
YGW50N65F1A LUXIN-SEMI
IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 100A; 150A; 312W; 4V~6V; 180nC; -40°C~175°C; Ähnlich zu: IKW50N60H3FKSA1;
|
|||||||||||||
|
TO247
|
650V | 20V | 100A | 150A | 312W | 4,0V ~ 6,0V | 180nC | TO247 | THT | LUXIN-SEMI | -40°C ~ 175°C | ||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
|
YGW50N65T1 LUXIN-SEMI
IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 100A; 150A; 312W; 4V~6V; 180nC; -40°C~175°C; Ähnlich zu: IKW50N60TFKSA1; RGS00TS65EHRC11;
|
|||||||||||||
|
TO247
|
650V | 20V | 100A | 150A | 312W | 4,0V ~ 6,0V | 180nC | TO247 | THT | LUXIN-SEMI | -40°C ~ 175°C | ||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
|
YGW60N65FMA1 LUXIN-SEMI
IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 100A; 180A; 273W; 4,7V~6,3V; 145nC; -40°C~175°C; Ähnlich zu: IKW50N65EH5XKSA1; IKZ50N65EH5XKSA1;
|
|||||||||||||
|
TO247
|
650V | 20V | 100A | 180A | 273W | 4,7V ~ 6,3V | 145nC | TO247 | THT | LUXIN-SEMI | -40°C ~ 175°C | ||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
|
YGW60N65T1 LUXIN-SEMI
IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 120A; 180A; 416W; 4,3V~6,4V; 158nC; -40°C~150°C; Ähnlich zu: IKW50N65EH5XKSA1; IKW60N60H3FKSA1;
|
|||||||||||||
|
TO247
|
650V | 20V | 120A | 180A | 416W | 4,3V ~ 6,4V | 158nC | TO247 | THT | LUXIN-SEMI | -40°C ~ 150°C | ||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
|
YGW75N65FP LUXIN-SEMI
IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 150A; 225A; 710W; 4,2V~6,5V; 130nC; -40°C~150°C; Ähnlich zu: IRGP4066DPBF;
|
|||||||||||||
|
TO247
|
650V | 20V | 150A | 225A | 710W | 4,2V ~ 6,5V | 130nC | TO247 | THT | LUXIN-SEMI | -40°C ~ 150°C | ||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||