Transistoren IGBT (Ergebnisse: 386)

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IRG4PF50W Trans IGBT ; 900V; 20V; 51A; 204A; 200W; 3,0V~6,0V; 240nC; -55°C~150°C;
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IRG4PF50W TO247AC
  900V 20V 51A 204A 200W 3,0V ~ 6,0V 240nC TO247AC International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
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IRG4PH20KD Trans IGBT ; 1200V; 20V; 11A; 22A; 60W; 3,5V~6,5V; 43nC; -55°C~150°C; IRG4PH20KDPBF;
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IRG4PH20KD TO247AC
  1200V 20V 11A 22A 60W 3,5V ~ 6,5V 43nC TO247AC THT International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
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IRG4PH30K Trans IGBT ; 1200V; 20V; 20A; 40A; 100W; 3,0V~6,0V; 80nC; -55°C~150°C; IRG4PH30KPBF;
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IRG4PH30K TO247AC
  1200V 20V 20A 40A 100W 3,0V ~ 6,0V 80nC TO247AC International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
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IRG4PH30KD Trans IGBT ; 1200V; 20V; 20A; 40A; 100W; 3,0V~6,0V; 80nC; -55°C~150°C;
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IRG4PH30KD TO247AC
  1200V 20V 20A 40A 100W 3,0V ~ 6,0V 80nC TO247AC International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
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IRG4PH50U Trans IGBT ; 1200V; 20V; 45A; 180A; 200W; 3,0V~6,0V; 250nC; -55°C~150°C; IRG4PH50UPBF;
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IRG4PH50U TO247AC
  1200V 20V 45A 180A 200W 3,0V ~ 6,0V 250nC TO247AC International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
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IRG4PH50UD Trans IGBT ; 1200V; 20V; 45A; 180A; 200W; 3,0V~6,0V; 250nC; -55°C~150°C; IRG4PH50UDPBF;
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IRG4PH50UD TO247AC
  1200V 20V 45A 180A 200W 3,0V ~ 6,0V 250nC TO247AC International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
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IRG7PH42UD1-EP Trans IGBT ; 1200V; 30V; 85A; 200A; 313W; 3,0V~6,0V; 270nC; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TIRG7ph42ud1-ep Infos
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IRG7PH42UD1-EP TO247AD
  1200V 30V 85A 200A 313W 3,0V ~ 6,0V 270nC TO247AD International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
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IRG7PH42UPBF Trans IGBT ; 1200V; 30V; 90A; 90A; 385W; 3,0V~6,0V; 236nC; -55°C~175°C;
Micros Symbol: TIRG7ph42u Infos
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IRG7PH42UPBF TO247AC
  1200V 30V 90A 90A 385W 3,0V ~ 6,0V 236nC TO247AC THT International Rectifier -55°C ~ 175°C
 
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IRGP20B120UD-EP IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 40A; 120A; 300W; 4,0V~6,0V; 254nC; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TIRGP20b120ud-ep Infos
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IRGP20B120UD-EP TO247AD
  1200V 20V 40A 120A 300W 4,0V ~ 6,0V 254nC TO247AD THT International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
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IRGP30B60KD-EP Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 304W; 3,5V~5,5V; 153nC; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TIRGP30b60kd-ep Infos
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IRGP30B60KD-EP TO247AD
  600V 20V 60A 120A 304W 3,5V ~ 5,5V 153nC TO247 International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
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IRGP35B60PD Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 308W; 3,0V~5,0V; 240nC; -55°C~150°C; IRGP35B60PDPBF;
Micros Symbol: TIRGP35b60pd Infos
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IRGP35B60PD TO247AC
  600V 20V 60A 120A 308W 3,0V ~ 5,0V 240nC TO247AC International Rectifier -55°C ~ 150°C
 
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IRGP4066D-E Trans IGBT ; 600V; 20V; 140A; 225A; 454W; 4,0V~6,5V; 225nC; -55°C~175°C;
Micros Symbol: TIRGP4066d-e Infos
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IRGP4066D-E TO247AD
  600V 20V 140A 225A 454W 4,0V ~ 6,5V 225nC TO247AD International Rectifier -55°C ~ 175°C
 
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IRGS14C40L Trans IGBT ; 20A; 125W; 1,3V~2,2V; 27nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IRGS14C40LPBF; IRGS14C40LTRLPBF;
Micros Symbol: TIRGS14c40l Infos
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IRGS14C40L TO263 (D2PAK)
  20A 125W 1,3V ~ 2,2V 27nC TO263 (D2PAK) International Rectifier -40°C ~ 175°C
 
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IXGH30N60C3D1 Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 150A; 220W; 3,0V~5,5V; 38nC; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TIXGH30n60c3d1 Infos
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IXGH30N60C3D1 TO247AD
  600V 20V 60A 150A 220W 3,0V ~ 5,5V 38nC TO247AD THT IXYS -55°C ~ 150°C
 
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JNG20T65KS JIAENSEMI IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 40A; 60A; 139W; 5,1V~6,9V; 271nC; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TJNG20t65ks Infos
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JNG20T65KS JIAENSEMI TO263
  650V 30V 40A 60A 139W 5,1V ~ 6,9V 271nC TO263 SMD JIAENSEMI -55°C ~ 150°C
 
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STGF7NC60HD Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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STGF7NC60HD TO220FP
 
 
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STGW30H60DLFB STMicroelectronics 30A; 600V; 260W; IGBT
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STGW30H60DLFB STMicroelectronics TO247
 
 
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FGD3440G2-F085 IGBT 400V 26.9A TO252AA Transistors - IGBTs - Single ; FGD3440G2_F085;
Micros Symbol: TFGD3440G2-F085 Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
FGD3440G2-F085 TO252
 
 
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SKM100GB12T4 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 300A; 5,0~6,5V; 565nC; -40°C~175°C;
Micros Symbol: TSKM100gb12t4 Infos
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SKM100GB12T4 Rys.SKM100
  1200V 20V 100A 300A 5,0V ~ 6,5V 565nC Rys.SKM100 SEMIKRON -40°C ~ 175°C
 
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BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR IGBT-Transistor; THT; TO247-4; Technologie: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 338W
Micros Symbol: TBGH75N65ZF1 Infos
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BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N65ZF1
  650V 20V 75A 300A 338W 4,2V ~ 5,8V 444nC TO247-4 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
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BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 1,2 kV; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 200A; Leistung: 568W
Micros Symbol: TBGH75N120HF1 Infos
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BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N120HF1
  1200V 20V 75A 200A 568W 4,2V ~ 5,8V 398nC TO247-3 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
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BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-4; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 50A; Kollektorstrom im Impuls: 200A; Leistung: 297W
Micros Symbol: TBGH50N65ZF1 Infos
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BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH50N65ZF1
  650V 20V 50A 200A 297W 4,2V ~ 5,8V 308nC TO247-4 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
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BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 50A; Kollektorstrom im Impuls: 200A; Leistung: 297W
Micros Symbol: TBGH50N65HS1 Infos
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BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH50N65HS1
  650V 20V 50A 200A 297W 4,2V ~ 5,8V 308nC TO247-3 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
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BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor-IGBT; THT; TO247-3; Technologie: Feldstopp, SiC SBD, Trench Kollektor-Emitter-Spannung: 650 V; Gate-Emitter-Spannung: 20 V; Kollektorstrom: 50 A; gepulster Kollektorstrom: 200 A; Leistung: 297 W
Micros Symbol: TBGH50N65HF1 Infos
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BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH50N65HF1
  650V 20V 50A 200A 297W 4,2V ~ 5,8V 308nC TO247-3 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
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BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 405W
Micros Symbol: TBGH75N65HF1 Infos
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BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N65HF1
  650V 20V 75A 300A 405W 4,2V ~ 5,8V 444nC TO247-4 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
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BGH75N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR IGBT-Transistor; THT; TO247-3; Technologie: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 405W
Micros Symbol: TBGH75N65HS1 Infos
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BGH75N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N65HS1
  650V 20V 75A 300A 405W 4,2V ~ 5,8V 444nC TO247-3 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
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