Transistoren IGBT (Ergebnisse: 373)
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Kollektor-Emitter-Spannung
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Gate - Emitter Spannung
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Max. Kollektor-Strom
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Max. Kollektor-Strom im Impuls
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Maximale Verlustleistung
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Vorwärtsspannung [Vgeth]
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Gate-Ladung
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Gehäuse
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Montage
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Hersteller
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Betriebstemperatur (Bereich)
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IRGS14C40L
Trans IGBT ; 20A; 125W; 1,3V~2,2V; 27nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IRGS14C40LPBF; IRGS14C40LTRLPBF;
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TO263 (D2PAK)
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20A | 125W | 1,3V ~ 2,2V | 27nC | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | -40°C ~ 175°C | ||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IXGH30N60C3D1
Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 150A; 220W; 3,0V~5,5V; 38nC; -55°C~150°C;
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TO247AD
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600V | 20V | 60A | 150A | 220W | 3,0V ~ 5,5V | 38nC | TO247AD | THT | IXYS | -55°C ~ 150°C | ||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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STGF7NC60HD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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TO220FP
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FGD3440G2-F085
IGBT 400V 26.9A TO252AA Transistors - IGBTs - Single ; FGD3440G2_F085;
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TO252
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SKM100GB12T4
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 300A; 5,0~6,5V; 565nC; -40°C~175°C;
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Rys.SKM100
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1200V | 20V | 100A | 300A | 5,0V ~ 6,5V | 565nC | Rys.SKM100 | SEMIKRON | -40°C ~ 175°C | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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DGTD65T15H2TF
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48000mW 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR
IGBT-Transistor; THT; TO247-4; Technologie: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 338W
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Rys.TBGH75N65ZF1
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650V | 20V | 75A | 300A | 338W | 4,2V ~ 5,8V | 444nC | TO247-4 | THT | BASiC SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | ||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 1,2 kV; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 200A; Leistung: 568W
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Rys.TBGH75N120HF1
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1200V | 20V | 75A | 200A | 568W | 4,2V ~ 5,8V | 398nC | TO247-3 | THT | BASiC SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | ||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-4; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 50A; Kollektorstrom im Impuls: 200A; Leistung: 297W
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Rys.TBGH50N65ZF1
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650V | 20V | 50A | 200A | 297W | 4,2V ~ 5,8V | 308nC | TO247-4 | THT | BASiC SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | ||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 50A; Kollektorstrom im Impuls: 200A; Leistung: 297W
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Rys.TBGH50N65HS1
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650V | 20V | 50A | 200A | 297W | 4,2V ~ 5,8V | 308nC | TO247-3 | THT | BASiC SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | ||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor-IGBT; THT; TO247-3; Technologie: Feldstopp, SiC SBD, Trench Kollektor-Emitter-Spannung: 650 V; Gate-Emitter-Spannung: 20 V; Kollektorstrom: 50 A; gepulster Kollektorstrom: 200 A; Leistung: 297 W
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Rys.TBGH50N65HF1
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650V | 20V | 50A | 200A | 297W | 4,2V ~ 5,8V | 308nC | TO247-3 | THT | BASiC SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | ||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 405W
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Rys.TBGH75N65HF1
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650V | 20V | 75A | 300A | 405W | 4,2V ~ 5,8V | 444nC | TO247-4 | THT | BASiC SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | ||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BGH75N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR
IGBT-Transistor; THT; TO247-3; Technologie: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 405W
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Rys.TBGH75N65HS1
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650V | 20V | 75A | 300A | 405W | 4,2V ~ 5,8V | 444nC | TO247-3 | THT | BASiC SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | ||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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