Transistoren IGBT (Ergebnisse: 373)

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Kollektor-Emitter-Spannung
Gate - Emitter Spannung
Max. Kollektor-Strom
Max. Kollektor-Strom im Impuls
Maximale Verlustleistung
Vorwärtsspannung [Vgeth]
Gate-Ladung
Gehäuse
Montage
Hersteller
Betriebstemperatur (Bereich)
IRGS14C40L Trans IGBT ; 20A; 125W; 1,3V~2,2V; 27nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IRGS14C40LPBF; IRGS14C40LTRLPBF;
IRGS14C40L TO263 (D2PAK)
  20A 125W 1,3V ~ 2,2V 27nC TO263 (D2PAK) International Rectifier -40°C ~ 175°C
 
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IXGH30N60C3D1 Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 150A; 220W; 3,0V~5,5V; 38nC; -55°C~150°C;
IXGH30N60C3D1 TO247AD
  600V 20V 60A 150A 220W 3,0V ~ 5,5V 38nC TO247AD THT IXYS -55°C ~ 150°C
 
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STGF7NC60HD Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
STGF7NC60HD TO220FP
 
 
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FGD3440G2-F085 IGBT 400V 26.9A TO252AA Transistors - IGBTs - Single ; FGD3440G2_F085;
FGD3440G2-F085 TO252
 
 
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SKM100GB12T4 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 300A; 5,0~6,5V; 565nC; -40°C~175°C;
SKM100GB12T4 Rys.SKM100
  1200V 20V 100A 300A 5,0V ~ 6,5V 565nC Rys.SKM100 SEMIKRON -40°C ~ 175°C
 
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DGTD65T15H2TF Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48000mW 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube
DGTD65T15H2TF  
 
 
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BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR IGBT-Transistor; THT; TO247-4; Technologie: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 338W
BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N65ZF1
  650V 20V 75A 300A 338W 4,2V ~ 5,8V 444nC TO247-4 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
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BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 1,2 kV; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 200A; Leistung: 568W
BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N120HF1
  1200V 20V 75A 200A 568W 4,2V ~ 5,8V 398nC TO247-3 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
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BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-4; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 50A; Kollektorstrom im Impuls: 200A; Leistung: 297W
BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH50N65ZF1
  650V 20V 50A 200A 297W 4,2V ~ 5,8V 308nC TO247-4 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
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BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 50A; Kollektorstrom im Impuls: 200A; Leistung: 297W
BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH50N65HS1
  650V 20V 50A 200A 297W 4,2V ~ 5,8V 308nC TO247-3 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
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BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor-IGBT; THT; TO247-3; Technologie: Feldstopp, SiC SBD, Trench Kollektor-Emitter-Spannung: 650 V; Gate-Emitter-Spannung: 20 V; Kollektorstrom: 50 A; gepulster Kollektorstrom: 200 A; Leistung: 297 W
BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH50N65HF1
  650V 20V 50A 200A 297W 4,2V ~ 5,8V 308nC TO247-3 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
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BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 405W
BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N65HF1
  650V 20V 75A 300A 405W 4,2V ~ 5,8V 444nC TO247-4 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
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BGH75N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR IGBT-Transistor; THT; TO247-3; Technologie: Field Stop, SiC SBD, Trench Kollektorspannung: 650V; Gate-Spannung: 20V; Kollektorstrom: 75A; Kollektorstrom im Impuls: 300A; Leistung: 405W
BGH75N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N65HS1
  650V 20V 75A 300A 405W 4,2V ~ 5,8V 444nC TO247-3 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
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