Tranzystory (wyszukane: 9829)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC846B-7-F DIODES INCORPORATED
Tranzystor NPN; 450; 350mW; 65V; 100mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846B-13-F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BC846B-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
1212000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | DIODES | 350mW | 450 | 300MHz | 100mA | 65V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BC846B-13-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | DIODES | 350mW | 450 | 300MHz | 100mA | 65V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BC846B-13-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
530000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | DIODES | 350mW | 450 | 300MHz | 100mA | 65V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
FDC642P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 4A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDC642P-F085; FDC642P-F085P;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC642P Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100mOhm | 4A | 1,6W | TSOT23-6 | Fairchild | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||
FDC645N
N-MOSFET 5.5A 30V 0.8W 0.026Ω
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC645N Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
25mOhm | 5,5A | 800mW | TSOT23-6 | Fairchild | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC645N Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
25mOhm | 5,5A | 800mW | TSOT23-6 | Fairchild | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||
FDC655BN
N-MOSFET 6.3A 30V 0.8W 0.025Ω
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC655BN Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
25mOhm | 6,3A | 800mW | TSOT23-6 | Fairchild | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC655BN Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
25mOhm | 6,3A | 800mW | TSOT23-6 | Fairchild | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
FDC6561AN
2N-MOSFET 2.5A 30V 0.7W 0.095Ω
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC6561AN Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
95mOhm | 2,5A | 700mW | TSOT23-6 | Fairchild | 30V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC6561AN Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
95mOhm | 2,5A | 700mW | TSOT23-6 | Fairchild | 30V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
BC846BDW1T1G
Tranzystor NPN; 450; 380mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC846BDW1T1G Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
984000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SC-88 | ON SEMICONDUCTOR | 380mW | 450 | 100MHz | 100mA | 65V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC846BDW1T1G Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
300000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SC-88 | ON SEMICONDUCTOR | 380mW | 450 | 100MHz | 100mA | 65V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC846BDW1T1G Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
8784000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SC-88 | ON SEMICONDUCTOR | 380mW | 450 | 100MHz | 100mA | 65V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
FDC855N
N-MOSFET 6.1A 30V 0.8W 0.27Ω
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC855N Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
27mOhm | 6,1A | 800mW | TSOT23-6 | Fairchild | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC855N Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
27mOhm | 6,1A | 800mW | TSOT23-6 | Fairchild | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
FDC8602
2N-MOSFET 1.2A 100V 0.69W 0.35Ω
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC8602 Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
350mOhm | 1,2A | 690mW | TSOT23-6 | Fairchild | 100V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
FDD16AN08A0 ON Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 37mOhm; 50A; 135W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: FDD16AN08A0-F085;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD16AN08A0 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
37500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
37mOhm | 50A | 135W | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | 75V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD16AN08A0 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
37mOhm | 50A | 135W | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | 75V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
FDD18N20LZ
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD18N20LZ Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
FDD2572 FAIRCHAILD
N-MOSFET 150V 4A 135W 54mΩ
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD2572 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
54mOhm | 4A | 135W | TO252 (DPACK) | Fairchild | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD2572 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
54mOhm | 4A | 135W | TO252 (DPACK) | Fairchild | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD2572 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
54mOhm | 4A | 135W | TO252 (DPACK) | Fairchild | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
BC846BPN
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A Automotive 6-Pin TSSOP BC846BPN,115
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC846BPN,115 Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
1620000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC846BPN,115 Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
684000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC846BPN,115 Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
191000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
FDD2582 ON Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 172mOhm; 21A; 95W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD2582 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
172mOhm | 21A | 95W | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD2582 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
172mOhm | 21A | 95W | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
FDD3672 ON Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 68mOhm; 44A; 135W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: FDD3672; FDD3672-F085; FDD3672_F085;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD3672 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
68mOhm | 44A | 135W | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
FDD390N15A Fairchild
N-MOSFET 150V 26A 40mΩ 63W
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD390N15A Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
40mOhm | 26A | 63W | D-PAK | Fairchild | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD390N15A Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
40mOhm | 26A | 63W | D-PAK | Fairchild | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD390N15A Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
40mOhm | 26A | 63W | D-PAK | Fairchild | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
FDD4141
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 18,7mOhm; 58A; 69W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD4141 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
17500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
18,7mOhm | 58A | 69W | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD4141 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
18,7mOhm | 58A | 69W | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
FDD4685 ON Semiconductor
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 42mOhm; 40A; 69W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD4685 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
42mOhm | 40A | 69W | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
FDD5353
Trans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R ONSEMI
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD5353 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BFP196E6327HTSA1
NPN 12V 0.15A 0.7W
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFP196E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT343 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BFP196E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT343 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
FDD5N50NZTM
Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD5N50NZTM Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BC846BSH-QX Nexperia USA Inc.
BC846BSH-QX Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC846BSH-QX Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
FDD6637 ON Semiconductor
Tranzystor P-Channel MOSFET; 35V; 25V; 19mOhm; 55A; 57W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD6637 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
19mOhm | 55A | 57W | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | 35V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD6637 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
19mOhm | 55A | 57W | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | 35V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||
BC846BW DIOTEC
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: BC846BW Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
144000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
FDD6685 Fairchild
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 30mOhm; 40A; 52W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD6685 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
30mOhm | 40A | 52W | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD6685 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
30mOhm | 40A | 52W | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||
FDMA507PZ
Trans MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-Pin MLP EP
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMA507PZ Obudowa dokładna: MLP06 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
FDD86102
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 36A; 62W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDD86102LZ;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD86102 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
44mOhm | 36A | 62W | TO252 | ON SEMICONDUCTOR | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
FDD86367
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK FDD86367-F085
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD86367-F085 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD86367-F085 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BC846DS
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A Automotive 6-Pin TSOP BC846DS,115
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC846DS,115 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC846DS,115 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC846DS,115 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
702000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
FDH055N15A Fairchild
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 30V; 5,9mOhm; 167A; 429W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDH055N15A Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
610 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5,9mOhm | 167A | 429W | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||
FDH3632
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDH3632 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
432 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |