Tranzystory (wyszukane: 9829)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDN028N20
N-Channel 20V 6.1A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount SuperSOT-3
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN028N20 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
FDN304P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN304P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
1017000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100mOhm | 2,4A | 500mW | SSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN304P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
447000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100mOhm | 2,4A | 500mW | SSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN304P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
102000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100mOhm | 2,4A | 500mW | SSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||
FDN304PZ
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN304PZ Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100mOhm | 2,4A | 500mW | SOT23-3 | Fairchild | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||
FDN327N
N-MOSFET 2A 20V 0.5W 0.07Ω
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN327N Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
129000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN327N Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
FDN340P
P-MOSFET 2A 20V 0.5W 0.07Ω
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN340P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
102000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
70mOhm | 2A | 500mW | SSOT3 | Fairchild | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN340P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
70mOhm | 2A | 500mW | SSOT3 | Fairchild | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN340P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
70mOhm | 2A | 500mW | SSOT3 | Fairchild | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||
Tranz. FDN342P
P-MOSFET 2A 20V 0.5W 0.08Ω
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN342P Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN342P Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
FDN352AP
P-MOSFET 1.3A 30V 0.5W 0.18Ω
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN352AP Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
150000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN352AP Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
108000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN352AP Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
123000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
FDN357N
N-MOSFET 1.9A 30V 0.5W 0.06Ω
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN357N Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN357N Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN357N Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
561000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Tranz. FDN359BN
N-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046Ω
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN359BN Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
FDN5630
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 180mOhm; 1,7A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN5630 Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
243000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
180mOhm | 1,7A | 500mW | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN5630 Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
225000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
180mOhm | 1,7A | 500mW | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN5630 Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
180mOhm | 1,7A | 500mW | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
BC847BQBZ
BIPOLAR DISCRETES Transistors - Bipolar (BJT) - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC847BQBZ Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
35000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
FDP2552
N-MOSFET 37A 150V 150W 0.036Ω
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP2552 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
250 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
36mOhm | 27A | 150W | TO220 | Fairchild | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP2552 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
610 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
36mOhm | 27A | 150W | TO220 | Fairchild | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||
BC847BS-7-F
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 6-Pin SOT-363 BC847BS-7-F; BC847BS-TP; BC847BS-13-F; BC847BS DIODES;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BC847BS-7-F Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
1449000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT363 | DIODES | 200mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | 2xNPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BC847BS-13-F Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
140000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT363 | DIODES | 200mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | 2xNPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
FDP33N25
N-MOSFET 33A 250V 235W 0.094Ω
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP33N25 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
900 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP33N25 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1680 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
FDP3652
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 61A; 150W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP3652 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
43mOhm | 61A | 150W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||
FDP51N25
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP51N25 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3740 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
60mOhm | 51A | 320W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP51N25 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
750 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
60mOhm | 51A | 320W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP51N25 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
60mOhm | 51A | 320W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-08-29
Ilość szt.: 50
|
||||||||||||||||||||||||||||
FDPF51N25
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 38W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDPF51N25 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
3900 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
60mOhm | 51A | 38W | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDPF51N25 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
60mOhm | 51A | 38W | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||
FDS2672
N-MOSFET 3.9A 200V 2.5W 0.07Ω FDS2672-F085
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS2672 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS2672 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS2672 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||
BC847BU3HZGT106
NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR ( Transistors - Bipolar (BJT) - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ROHM - Japan Symbol Producenta: BC847BU3HZGT106 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
FDS3992 Fairchild
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 123mOhm; 4,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS3992 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
123mOhm | 4,5A | 2,5W | SOP08 | Fairchild | 100V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
BC847BVCQ-7 Diodes Incorporated
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT56 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BC847BVCQ-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
FDS5670
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 27mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS5670 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
27mOhm | 10A | 2,5W | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
BC847BWH6327XTSA1
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-323 BC847BWH6327XTSA1; BC847BWH6433XTMA1; BC847BWH6327/SN; BC847BWH6433; BC847BWH6327;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BC847BWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT323 | INFINEON | 250mW | 250 | 250MHz | 100mA | 45V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
BC847BWT1G ONS
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC847BWT1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
480000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SC70-3 | ON SEMICONDUCTOR | 200mW | 200 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC847BWT1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
1917000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SC70-3 | ON SEMICONDUCTOR | 200mW | 200 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC847BWT1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
555000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SC70-3 | ON SEMICONDUCTOR | 200mW | 200 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
BC847BW-7-F
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R BC847BW-13-F BC847BW-DIO
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BC847BW-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
279000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT323 | DIODES | 200mW | 450 | 300MHz | 100mA | 45V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BC847BW-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
1329000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT323 | DIODES | 200mW | 450 | 300MHz | 100mA | 45V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BC847BW-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
348000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT323 | DIODES | 200mW | 450 | 300MHz | 100mA | 45V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
BC847BW-QX
Transistor NPN; Bipolarny; 450; 45V; 200mW; 100mA; 100MHz; -65°C~150°C; BC847BW-QF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC847BW-QX Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SC70-3 | NXP | 200mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC847BW-QX Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
414000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SC70-3 | NXP | 200mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC847BW-QX Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SC70-3 | NXP | 200mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
BC847BWQ-13-F
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BC847BWQ-13-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
580000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT323 | DIODES | 200mW | 450 | 300MHz | 100mA | 45V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
MUN5135DW1T1G ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5135DW1T1G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
FDS8984
2x N-MOSFET 7A 30V 1.6W 0.023Ω FDS8984-F085 FDS8984_F085
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS8984 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
23mOhm | 7A | 1,6W | SOP08 | Fairchild | 30V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
FDT1600N10ALZ
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDT1600N10ALZ Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |