Tranzystory (wyszukane: 9627)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPD042P03L3G INFINEON
P-MOSFET 30V 70A 150W 4.2mΩ IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GBTMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD042P03L3GATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD048N06L3G
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 8,2mOhm; 90A; 115W; -55°C ~ 175°C; IPD048N06L3GBTMA1 IPD048N06L3 G SP000453334
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD048N06L3GATMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
8,2mOhm | 90A | 115W | DPAK | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IPD050N03LG INFINEON
N-MOSFET 30V 50A 68W 5mΩ IPD050N03LGATMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD050N03LGATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
32500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD050N10N5ATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD060N03LG Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9mOhm; 50A; 56W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD060N03LGBTMA1; IPD060N03LGATMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD060N03LGATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
16136 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
9mOhm | 50A | 56W | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IPD075N03LG Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11,4mOhm; 50A; 47W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD075N03LGBTMA1; IPD075N03L; IPD075N03LGATMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD075N03LGATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
11,4mOhm | 50A | 47W | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
BCP53TA
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R BCP53TA; BCP53TX; BCP53TF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BCP53TA Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Magazyn zewnetrzny:
68000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT223 | DIODES | 2W | 250 | 150MHz | 1A | 80V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BCP53TX Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Magazyn zewnetrzny:
38000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT223 | DIODES | 2W | 250 | 150MHz | 1A | 80V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BCP53TA Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Magazyn zewnetrzny:
103000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT223 | DIODES | 2W | 250 | 150MHz | 1A | 80V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
IPD082N10N3G INFINEON
N-MOSFET 100V 80A 8.2mΩ 125W IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GBTMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD082N10N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD100N04S402ATMA1
N-Channel 40V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD100N04S402ATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD110N12N3GATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 120V; 20V; 11mOhm; 75A; 136W; -55°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD110N12N3GATMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
11mOhm | 75A | 136W | DPAK | INFINEON | 120V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 175°C | 10V | SMD | |||||||||||||||||
BCP54-16-TP
NPN,TRANSISTORS,SOT-223 PKG Transistors - Bipolar (BJT) - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: BCP54-16-TP Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD135N03LGATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD135N03LGATMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5mOhm | 30A | 31W | D-PAK | INFINEON | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IPD15N06S2L64ATMA2
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 64mOhm; 19A; 47W; -55°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD15N06S2L64ATMA2 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
64mOhm | 19A | 47W | DPAK | INFINEON | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IPD180N10N3G Infineon
N-MOSFET 100V 43A 71W 18mΩ IPD180N10N3GBTMA1 IPD180N10N3GATMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD180N10N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
18mOhm | 43A | 71W | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
BCP54-16TF
BCP54-16T/SOT223/SC-73 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BCP54-16TF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD22N08S2L50ATMA1
Trans MOSFET N-CH 75V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD22N08S2L50ATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BCP5416H6327 INFINEON
NPN 1A 45V 2W 100MHz
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BCP5416H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
43000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD30N03S4L09ATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 30A; 42W; -55°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD30N03S4L09ATMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
9mOhm | 30A | 42W | DPAK | INFINEON | 30V | N-MOSFET | 10V | -55°C ~ 175°C | 16V | SMD | |||||||||||||||||
IPD30N06S2L23ATMA3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 23mOhm; 30A; 100W; -55°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD30N06S2L23ATMA3 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
1275000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
23mOhm | 30A | 100W | DPAK | INFINEON | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
BCP55,115
NPN 1A 60V 2W 100MHz HFE=40-250 BCP 55 H6327; BCP55,115; BCP55;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BCP55,135 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100MHz | NPN | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BCP55,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100MHz | NPN | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BCP55,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
41880 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100MHz | NPN | ||||||||||||||||||||||||||
IPD320N20N3G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 32mOhm; 34A; 136W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD320N20N3GATMA1; IPD320N20N3GBTMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD320N20N3GATMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
32mOhm | 34A | 136W | DPAK | Infineon Technologies | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
IPD50R380CE Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 900mOhm; 14,1A; 98W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD50R380CEATMA1; IPD50R380CEAUMA1; IPD50R380CEBTMA1; IPD50R380CE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD50R380CEAUMA1 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
900mOhm | 14,1A | 98W | TO252 (DPACK) | Infineon Technologies | 550V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||
BCP55-16-QX
TRANS PREBIAS NPN/PNP BCP55-16-QF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BCP55-16-QX Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
19000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BCP55-16-QX Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD50R3K0CE INFINEON
N-MOSFET 500V 1.7A 18W 3Ω IPD50R3K0CEAUMA1 (IPD50R3K0CEBTMA1 OBSOLETE)
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD50R3K0CEAUMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD50R500CE INFINEON
Tranzystor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 1,18Ohm; 7,6A; 57W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD50R500CEATMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD50R500CEAUMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,18Ohm | 7,6A | 57W | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | 550V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||
IPD50R650CEATMA1
Trans MOSFET N-CH 500V 6.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK IPD50R650CEAUMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD50R650CEAUMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD600N25N3G Infineon
N-MOSFET 250V 25A 136W 60mΩ IPD600N25N3GBTMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD600N25N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
BCP55-10
NPN 1A 60V 640mW 130MHz HFE=63-160
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BCP55-10,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
130MHz | NPN | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BCP55-10,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
28000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
130MHz | NPN | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BCP55-10,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
101000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
130MHz | NPN | ||||||||||||||||||||||||||
DMP3085LSD-13
Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A Automotive 8-Pin SO T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMP3085LSD-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMP3085LSD-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
IPD60R1K5PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 2,892Ohm; 3,6A; 22W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R1K5PFD7SAUMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,892Ohm | 3,6A | 22W | DPAK | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD |