Tranzystory (wyszukane: 9622)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRG4BC30KD
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 28A; 58A; 100W; 3,0V~6,0V; 100nC; -55°C~150°C; IRG4BC30KDPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
27 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | International Rectifier | 100nC | 100W | 28A | 58A | 3,0V ~ 6,0V | -55°C ~ 150°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
2SD773
Tranzystor NPN; 600; 1W; 16V; 2A; 110MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
58 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 68 Ilość (wielokrotność 1) |
T16 | NEC | 1W | 600 | 110MHz | 2A | 16V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRG4BC30S-S
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 34A; 68A; 100W; 3,0V~6,0V; 75nC; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRG4BC30S-STRLP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
9 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO263 (D2PAK) | International Rectifier | 75nC | 100W | 34A | 68A | 3,0V ~ 6,0V | -55°C ~ 150°C | SMD | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
IRG4BC30U
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 23A; 92A; 100W; 3,0V~6,0V; 75nC; -55°C~150°C; IRG4BC30UPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | International Rectifier | 75nC | 100W | 23A | 92A | 3,0V ~ 6,0V | -55°C ~ 150°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
2SD882
Tranzystor NPN; 400; 1W; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; 2SD882L-Q-T60-K (Discontinued 2SD882L-P-T60-K)
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH Symbol Producenta: 2SD882 RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
106 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | UTC | 1W | 400 | 80MHz | 3A | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: 2SD882 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
1250 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO126 | UTC | 1W | 400 | 80MHz | 3A | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: 2SD882 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
3050 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO126 | UTC | 1W | 400 | 80MHz | 3A | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-09-30
Ilość szt.: 200
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CPH-6445-TL-W
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 185mOhm; 3,5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: CPH6445-TL-W;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
185mOhm | 3,5A | 1,6W | CPH6 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2SD882 JSMICRO
Tranzystor NPN; 400; 1W; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SD882L-P-T60-K; 2SD882L-Q-T60-K;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMicro Semiconductor Symbol Producenta: 2SD882 RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | JSMICRO | 1W | 400 | 80MHz | 3A | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SD882 SOT89
Tranzystor NPN; 400; 1,25W; 30V; 3A; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
587 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | LGE | 1,25W | 400 | 50MHz | 3A | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SD882PU SOT89 CBI
Tranzystor NPN; 320; 500mW; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SD882PU D882;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | UTC | 500mW | 320 | 80MHz | 3A | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRG4BC30W
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 23A; 92A; 100W; 3,0V~6,0V; 76nC; -55°C~150°C; IRG4BC30WPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | International Rectifier | 76nC | 100W | 23A | 92A | 3,0V ~ 6,0V | -55°C ~ 150°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
2SD882 SOT89 FUXINSEMI
Tranzystor NPN; 500mW; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
95 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | UTC | 500mW | 80MHz | 3A | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
2SD882SQ-P SOT89 PJ
Tranzystor NPN; 320; 1W; 30V; 3A; 90MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
PJSEMI Symbol Producenta: 2SD882SQ-P RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | PJSEMI | 1W | 320 | 90MHz | 3A | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SD882 SOT89-3 UTC
Tranzystor NPN; 320; 500mW; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SD882SG-P-AB3-R;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 146 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89-3 | UTC | 500mW | 320 | 80MHz | 3A | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
CSD16406Q3 Texas Instruments
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 16V; 7,4mOhm; 79A; 46W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 40 Ilość (wielokrotność 1) |
7,4mOhm | 79A | 46W | SON08 | Texas Instruments | 25V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
CSD17308Q3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 16,5mOhm; 44A; 28W; -55°C ~ 150°C; CSD17308Q3T
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1050 Ilość (wielokrotność 1) |
16,5mOhm | 44A | 28W | VSON-CLIP08(3.3x3.3) | Texas Instruments | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 10V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
CSD17313Q2
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 42mOhm; 19A; 17W; -55°C ~ 150°C; CSD17313Q2T
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
42mOhm | 19A | 17W | WSON06(2x2) | Texas Instruments | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 10V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
CSD17576Q5B
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2,9mOhm; 184A; 125W; -55°C ~ 150°C; CSD17576Q5BT
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
2,9mOhm | 184A | 125W | VSON-CLIP08B(6x5) | Texas Instruments | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
CSD17581Q3A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,7mOhm; 101A; 63W; -55°C ~ 150°C; CSD17581Q3AT
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
4,7mOhm | 101A | 63W | VSONP08(3.3x3.3) | Texas Instruments | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
CSD17581Q5A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,2mOhm; 123A; 83W; -55°C ~ 150°C; CSD17581Q5AT
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
4,2mOhm | 123A | 83W | VSONP08(6x5) | Texas Instruments | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
CSD18503Q5A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,2mOhm; 121A; 120W; -55°C ~ 150°C; CSD18503Q5AT
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
6,2mOhm | 121A | 120W | VSONP08(6x5) | Texas Instruments | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
CSD18504Q5A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 9,8mOhm; 75A; 77W; -55°C ~ 150°C; CSD18504Q5AT
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
9,8mOhm | 75A | 77W | VSONP08(6x5) | Texas Instruments | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
CSD18531Q5A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,8mOhm; 134A; 156W; -55°C ~ 175°C; CSD18531Q5AT
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
5,8mOhm | 134A | 156W | VSONP08(6x5) | Texas Instruments | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
CSD18532KCS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 250W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP16NB25 STP20NE06L;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
5,3mOhm | 169A | 250W | TO220 | Texas Instruments | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
2SD965
Tranzystor NPN; Bipolar; 1000; 20V; 7V; 150MHz; 5A; 500mW; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | FOSHAN | 500mW | 1000 | 150MHz | 5A | 20V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
CSD18533KCS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9mOhm; 118A; 192W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
18 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
9mOhm | 118A | 192W | TO220 | Texas Instruments | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
CSD18533Q5A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 103A; 116W; -55°C ~ 150°C; CSD18533Q5AT
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
32 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
8,5mOhm | 103A | 116W | VSONP08(6x5) | Texas Instruments | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
CSD18534Q5A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12,4mOhm; 69A; 77W; -55°C ~ 150°C; CSD18534Q5AT
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
12,4mOhm | 69A | 77W | VSONP08(3.3x3.3) | Texas Instruments | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
CSD18537NQ5A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 17mOhm; 54A; 75W; -55°C ~ 150°C; CSD18537NQ5AT
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
17mOhm | 54A | 75W | VSONP08(6x5) | Texas Instruments | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
CSD18540Q5B
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3.3mOhm; 100A; 188W; -55°C ~ 175°C; CSD18540Q5BT
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
3,3mOhm | 100A | 188W | VSON-CLIP08B(6x5) | Texas Instruments | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
CSD18542KCS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,1mOhm; 200A; 200W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
5,1mOhm | 200A | 200W | TO220 | Texas Instruments | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT |