Tranzystory (wyszukane: 9780)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie bramka-emiter
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRG4BC30S-S
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 34A; 68A; 100W; 3,0V~6,0V; 75nC; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRG4BC30S-STRLP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
9 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO263 (D2PAK) | International Rectifier | 75nC | 100W | 34A | 68A | 3,0V ~ 6,0V | -55°C ~ 150°C | SMD | 20V | 600V | |||||||||||||||||||||||||
DHD50N03 DONGHAI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7.5mOhm; 50A; 60W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRLR8729PBF, IRLR8729TRPBF, IRLR8729TRLPBF
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
95 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75/200 Ilość (wielokrotność 1) |
7,5mOhm | 50A | 60W | TO252 (DPACK) | Donghai | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRG4BC30U
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 23A; 92A; 100W; 3,0V~6,0V; 75nC; -55°C~150°C; IRG4BC30UPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | International Rectifier | 75nC | 100W | 23A | 92A | 3,0V ~ 6,0V | -55°C ~ 150°C | THT | 20V | 600V | |||||||||||||||||||||||||
2SD882
Tranzystor NPN; 400; 1W; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; 2SD882L-Q-T60-K (Discontinued 2SD882L-P-T60-K)
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH Symbol Producenta: 2SD882 RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
106 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | UTC | 1W | 400 | 80MHz | 3A | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: 2SD882 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
1250 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO126 | UTC | 1W | 400 | 80MHz | 3A | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: 2SD882 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
4950 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO126 | UTC | 1W | 400 | 80MHz | 3A | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-09-30
Ilość szt.: 200
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SD882 JSMICRO
Tranzystor NPN; 400; 1W; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SD882L-P-T60-K; 2SD882L-Q-T60-K;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMicro Semiconductor Symbol Producenta: 2SD882 RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | JSMICRO | 1W | 400 | 80MHz | 3A | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SD882 SOT89
Tranzystor NPN; 400; 1,25W; 30V; 3A; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
590 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | LGE | 1,25W | 400 | 50MHz | 3A | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SD882PU SOT89 CBI
Tranzystor NPN; 320; 500mW; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SD882PU D882;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | UTC | 500mW | 320 | 80MHz | 3A | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRG4BC30W
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 23A; 92A; 100W; 3,0V~6,0V; 76nC; -55°C~150°C; IRG4BC30WPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | International Rectifier | 76nC | 100W | 23A | 92A | 3,0V ~ 6,0V | -55°C ~ 150°C | THT | 20V | 600V | |||||||||||||||||||||||||
2SD882 SOT89 FUXINSEMI
Tranzystor NPN; 500mW; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
95 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | UTC | 500mW | 80MHz | 3A | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
2SD882SQ-P SOT89 PJ
Tranzystor NPN; 320; 1W; 30V; 3A; 90MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
PJSEMI Symbol Producenta: 2SD882SQ-P RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | PJSEMI | 1W | 320 | 90MHz | 3A | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SD882 SOT89-3 UTC
Tranzystor NPN; 320; 500mW; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SD882SG-P-AB3-R;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 146 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89-3 | UTC | 500mW | 320 | 80MHz | 3A | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SD965
Tranzystor NPN; Bipolar; 1000; 20V; 7V; 150MHz; 5A; 500mW; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | FOSHAN | 500mW | 1000 | 150MHz | 5A | 20V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRG4BC40F
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 49A; 200A; 160W; 3,0V~6,0V; 150nC; -55°C~150°C; IRG4BC40FPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 20 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | International Rectifier | 150nC | 160W | 49A | 200A | 3,0V ~ 6,0V | -55°C ~ 150°C | THT | 20V | 600V | |||||||||||||||||||||||||
2SD965AL-R-AB3-R UTC
Tranzystor NPN; 600; 500mW; 30V; 5A; 150MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | UTC | 500mW | 600 | 150MHz | 5A | 30V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
DMC2038LVT-7
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 56mOhm/168mOhm; 4,5A/3,1A; 1,1W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
168mOhm | 4,5A | 1,1W | SOT23-6 | DIODES | 20V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMC2038LVT-7 Obudowa dokładna: SOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
150000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
168mOhm | 4,5A | 1,1W | SOT23-6 | DIODES | 20V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMC2038LVT-7 Obudowa dokładna: SOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
519000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
168mOhm | 4,5A | 1,1W | SOT23-6 | DIODES | 20V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2SD965-R
Tranzystor NPN; 600; 750mW; 20V; 5A; 150MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TCD965R; UTC:2SD965L-R-T92-B; 2SD965AL-R-T92K; CD965R; 2SD965; 2SD965AG-R-AB3-R;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000/40000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92ammoformed | CDIL | 750mW | 600 | 150MHz | 5A | 20V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SD965-R TO92 (3A) "Iron"
Tranzystor NPN; 600; 750mW; 20V; 3A; 150MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
CHINA Symbol Producenta: 2SD965R RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | 750mW | 600 | 150MHz | 3A | 20V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
DMC2400UV-7 Diodes
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 1,5Ohm/3Ohm; 1,03A/700mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMC2400UV-13;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
3Ohm | 1,03A | 1W | SOT666 | DIODES | 20V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMC2400UV-7 Obudowa dokładna: SOT666 |
Magazyn zewnetrzny:
105000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3Ohm | 1,03A | 1W | SOT666 | DIODES | 20V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMC2400UV-7 Obudowa dokładna: SOT666 |
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3Ohm | 1,03A | 1W | SOT666 | DIODES | 20V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMC2400UV-7 Obudowa dokładna: SOT666 |
Magazyn zewnetrzny:
507000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3Ohm | 1,03A | 1W | SOT666 | DIODES | 20V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRG4BC40S
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 160W; 3,0V~6,0V; 150nC; -55°C~150°C; IRG4BC40SPBF
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | International Rectifier | 150nC | 160W | 60A | 120A | 3,0V ~ 6,0V | -55°C ~ 150°C | THT | 20V | 600V | |||||||||||||||||||||||||
DMC3021LSD
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm/53mOhm; 8,5A/7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMC3021LSD-13; DMC3021LSD-7;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2906 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
53mOhm | 8,5A | 2,5W | SOP08 | DIODES | 30V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMC3021LSD-13 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
53mOhm | 8,5A | 2,5W | SOP08 | DIODES | 30V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
DMC3025LSD
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm/85mOhm; 6,5A/4,2A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMC3025LSD-13;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
85mOhm | 6,5A | 1,5W | SOP08 | DIODES | 30V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMC3025LSD-13 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
155000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
85mOhm | 6,5A | 1,5W | SOP08 | DIODES | 30V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMC3025LSD-13 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
85mOhm | 6,5A | 1,5W | SOP08 | DIODES | 30V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
DMC3028LSD Diodes
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 45mOhm/41mOhm; 7,1A/7,4A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMC3028LSD-13; DMC3028LSDX-13;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
45mOhm | 7,4A | 2,1W | SOIC08 | DIODES | 30V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
DMC3028LSDX-13
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm/41mOhm; 5,5A/5,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
41mOhm | 5,8A | 1,5W | SOP08 | DIODES | 30V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMC3028LSDX-13 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
41mOhm | 5,8A | 1,5W | SOP08 | DIODES | 30V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMC3028LSDX-13 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
41mOhm | 5,8A | 1,5W | SOP08 | DIODES | 30V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRG4BC40W
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 40A; 160A; 160W; 3,0V~6,0V; 147nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
7 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | International Rectifier | 147nC | 160W | 40A | 160A | 3,0V ~ 6,0V | -55°C ~ 150°C | THT | 20V | 600V | |||||||||||||||||||||||||
IRG4BC40W-S
Trans IGBT ; 600V; 20V; 40A; 160A; 160W; 3,0V~6,0V; 147nC; -55°C~150°C; IRG4BC40W-SPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
TO263 (D2PAK) | International Rectifier | 147nC | 160W | 40A | 160A | 3,0V ~ 6,0V | -55°C ~ 150°C | SMD | 20V | 600V | |||||||||||||||||||||||||
DMG1012T-7
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 6V; 700mOhm; 630mA; 280mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMG1012TQ-7; DMG1012T-13;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1400 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
700mOhm | 630mA | 280mW | SOT523 | DIODES | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 6V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
89 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 1) |
700mOhm | 630mA | 280mW | SOT523 | DIODES | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 6V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG1012T-7 Obudowa dokładna: SOT523 |
Magazyn zewnetrzny:
3711000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
700mOhm | 630mA | 280mW | SOT523 | DIODES | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 6V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG1012T-7 Obudowa dokładna: SOT523 |
Magazyn zewnetrzny:
366000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
700mOhm | 630mA | 280mW | SOT523 | DIODES | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 6V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG1012T-7 Obudowa dokładna: SOT523 |
Magazyn zewnetrzny:
135000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
700mOhm | 630mA | 280mW | SOT523 | DIODES | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 6V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-07-09
Ilość szt.: 36000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMG1012T-7
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 6V; 700mOhm; 630mA; 280mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMG1012TQ-7; DMG1012T-13; YFW1012T; Similar parts FS1012ET; Similar parts: HXY1012CI;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
700mOhm | 630mA | 280mW | SOT523 | YFW | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 6V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
DMG1012T-7 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMG1012T-13;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
150mOhm | 800mA | 150mW | SOT523 | HXY MOSFET | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
DMG1012UW-7 Diodes
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 6V; 750mOhm; 1A; 290mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 1) |
750mOhm | 1A | 290mW | SOT323 | DIODES | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 6V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG1012UW-7 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
4412 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
750mOhm | 1A | 290mW | SOT323 | DIODES | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 6V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMG1012UW-7 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
2619000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
750mOhm | 1A | 290mW | SOT323 | DIODES | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 6V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
YFW2302W
SOT-323 MOSFETs ROHS YFW2302W; DMG1012UW-7;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
60mOhm | 2,1A | 350mW | SOT323 | YFW | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD |