Tranzystory (wyszukane: 8519)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS84
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
5739 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/12000 Ilość (wielokrotność 1) |
17Ohm | 130mA | 360mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS84LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
648000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
17Ohm | 130mA | 360mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS84LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
456000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
17Ohm | 130mA | 360mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS84 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
201000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
17Ohm | 130mA | 360mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84-7-F
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84-7-F; BSS84-13-F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 130mA | 300mW | SOT23 | DIODES | 50V | P-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84-13-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
270000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 300mW | SOT23 | DIODES | 50V | P-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84-7-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1344000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 300mW | SOT23 | DIODES | 50V | P-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84-7-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2025000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 300mW | SOT23 | DIODES | 50V | P-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
IKW30N60T
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 167nC | 187W | 45A | 90A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
BSS84
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84-F2-0000HF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
900 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
9,9Ohm | 170mA | 350mW | SOT23 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-10
Ilość szt.: 9000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSS8402DW
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 60V/50V; 60V/50V; 20V; 13,5Ohm/10Ohm; 115mA/130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
13,5Ohm | 130mA | 200mW | SC70-6 | DIODES | 60V | N/P-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
13,5Ohm | 130mA | 200mW | SC70-6 | DIODES | 60V | N/P-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS8402DW-7-F Obudowa dokładna: SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
225000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 130mA | 200mW | SC70-6 | DIODES | 60V | N/P-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS8402DW-7-F Obudowa dokładna: SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 130mA | 200mW | SC70-6 | DIODES | 60V | N/P-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS8402DW-7-F Obudowa dokładna: SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
225000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 130mA | 200mW | SC70-6 | DIODES | 60V | N/P-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
LBSS8402DW1T1G SC88 LRC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 380mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: LBSS8402DW1T3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
445 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 130mA | 380mW | SC-88 | LRC | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84AK,215
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 180mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AK,215; BSS84AK.215;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3700 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
13,5Ohm | 180mA | 420mW | SOT23-3 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AK,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
204000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 180mA | 420mW | SOT23-3 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AK,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
777000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 180mA | 420mW | SOT23-3 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AK,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
858000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 180mA | 420mW | SOT23-3 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84AKS NXP
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 160mA; 320mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AKS,115;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
13,5Ohm | 160mA | 320mW | SOT363 | NXP | 50V | 2xP-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AKS,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 160mA | 320mW | SOT363 | NXP | 50V | 2xP-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AKS,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 160mA | 320mW | SOT363 | NXP | 50V | 2xP-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AKS,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
123000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 160mA | 320mW | SOT363 | NXP | 50V | 2xP-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84AKW,115
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 150mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AKW.115; BSS84AKW,115; BSS84AKW;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3600 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
13,5Ohm | 150mA | 310mW | SOT323 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AKW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
1077000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 150mA | 310mW | SOT323 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AKW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 150mA | 310mW | SOT323 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AKW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
732000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 150mA | 310mW | SOT323 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84DW-7-F Diodes
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3380 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 130mA | 300mW | SOT363 | DIODES | 50V | 2xP-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2600 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2600 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 130mA | 300mW | SOT363 | DIODES | 50V | 2xP-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84DW-7-F Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
282000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 300mW | SOT363 | DIODES | 50V | 2xP-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84DW-7-F Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 300mW | SOT363 | DIODES | 50V | 2xP-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84DW-7-F Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 300mW | SOT363 | DIODES | 50V | 2xP-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
LBSS84DW1T1G SC-88 LRC
Tranzystor 2xP-MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 380mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84DW-7-F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 130mA | 380mW | SC-88 | LRC | 50V | 2xP-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84PH6327XTSA2
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12Ohm; 170mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84P-E6327; BSS84P-H6327(Halogen free); BSS84P-L6327(Pb-free); BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH7894XTMA1; BSS84PH6433; BSS84P;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40601 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
12Ohm | 170mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
12Ohm | 170mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6857000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
12Ohm | 170mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
572400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
12Ohm | 170mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
208700 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
12Ohm | 170mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84E (60V); BSS84 (50V); Zamiennik za BSS84PH6327XTSA2;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1684 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2784 Ilość (wielokrotność 10) |
10mOhm | 130mA | 225mW | SOT23 | AnBon | 50V | P-MOSFET | 10V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
216 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 216 Ilość (wielokrotność 10) |
10mOhm | 130mA | 225mW | SOT23 | AnBon | 50V | P-MOSFET | 10V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
BSS84PWH Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12Ohm; 150mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84PWH6327XTSA1; BSS84PWH6327; SP000917564;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15730 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
12Ohm | 150mA | 300mW | SOT323 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
12Ohm | 150mA | 300mW | SOT323 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
4797000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
12Ohm | 150mA | 300mW | SOT323 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
159000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
12Ohm | 150mA | 300mW | SOT323 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
13900 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
12Ohm | 150mA | 300mW | SOT323 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84W-7-F
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 130mA | 200mW | SOT323 | Infineon Technologies | 50V | P-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84W-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
1143000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 200mW | SOT323 | Infineon Technologies | 50V | P-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84W-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
72000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 200mW | SOT323 | Infineon Technologies | 50V | P-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
BSS84W
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84W-F2-0000HF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2165 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
9,9Ohm | 170mA | 150mW | SOT323 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS87
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 7Ohm; 700mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS87,115;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
17 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 770 Ilość (wielokrotność 1) |
7Ohm | 700mA | 1W | SOT89 | NXP | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS87H6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 7,5Ohm; 260mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS87H6327FTSA1; BSS87H6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
237 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
7,5Ohm | 260mA | 1W | SOT89 | Infineon Technologies | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS87H6327FTSA1 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7,5Ohm | 260mA | 1W | SOT89 | Infineon Technologies | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BST82
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 23Ohm; 190mA; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BST82.215; BST82,235;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BST82,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
23Ohm | 190mA | 830mW | SOT23 | NXP | 100V | N-MOSFET | 100V | -65°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BST82,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
23Ohm | 190mA | 830mW | SOT23 | NXP | 100V | N-MOSFET | 100V | -65°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BST82 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
308 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
23Ohm | 190mA | 830mW | SOT23 | NXP | 100V | N-MOSFET | 100V | -65°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BST82,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
23Ohm | 190mA | 830mW | SOT23 | NXP | 100V | N-MOSFET | 100V | -65°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BST82,235 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
23Ohm | 190mA | 830mW | SOT23 | NXP | 100V | N-MOSFET | 100V | -65°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BST82,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
23Ohm | 190mA | 830mW | SOT23 | NXP | 100V | N-MOSFET | 100V | -65°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
IKW40N120H3
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW40N120H3FKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/90 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 185nC | 483W | 80A | 160A | 5,0V ~ 6,5V | -40°C ~ 175°C | THT | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW40N120H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | Infineon Technologies | 185nC | 483W | 80A | 160A | 5,0V ~ 6,5V | -40°C ~ 175°C | THT | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
IKW40N120T2
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 75A; 160A; 480W; 5,2V~6,4V; 192nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW40N120T2FKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 192nC | 480W | 75A | 160A | 5,2V ~ 6,4V | -40°C ~ 175°C | THT | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
IKW40N65H5FKSA1
Trans IGBT ; 650V; 20V; 74A; 120A; 250W; 3,2V~4,8V; 95nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW40N65H5AXKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 15 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 95nC | 250W | 74A | 120A | 3,2V ~ 4,8V | -40°C ~ 175°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW40N65H5FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
370 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | Infineon Technologies | 95nC | 250W | 74A | 120A | 3,2V ~ 4,8V | -40°C ~ 175°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW40N65H5FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
211 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | Infineon Technologies | 95nC | 250W | 74A | 120A | 3,2V ~ 4,8V | -40°C ~ 175°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
2SC5707 smd
Tranzystor NPN; Bipolar; 560; 50V; 6V; 330MHz; 8A; 15W; -55°C~150°C; komplet z 2SA2040; 2SC5707-TL-E;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 91 Ilość (wielokrotność 1) |
DPAK | Sanyo | 15W | 560 | 330MHz | 8A | 50V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2SC5707-TL-E Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
1400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 700 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
DPAK | Sanyo | 15W | 560 | 330MHz | 8A | 50V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IKW40T120
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 75A; 105A; 270W; 5,0V~6,5V; 203nC; -40°C~150°C; Odpowiednik: IKW40T120FKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 203nC | 270W | 75A | 105A | 5,0V ~ 6,5V | -40°C ~ 150°C | THT | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
IKW50N60H3
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW50N60H3FKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 315nC | 333W | 100A | 200A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW50N60H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
11 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | Infineon Technologies | 315nC | 333W | 100A | 200A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
BUK6D120-60PX
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; +/-20V; 120mOhm; 8A; 15W; -55°C~175°C; Odpowiednik: BUK6D120-60PX; BUK6D120-60PZ;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
290 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
120mOhm | 8A | 15W | DFN06 | NXP | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK6D120-60PX Obudowa dokładna: DFN06 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
120mOhm | 8A | 15W | DFN06 | NXP | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK6D120-60PX Obudowa dokładna: DFN06 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
120mOhm | 8A | 15W | DFN06 | NXP | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IKW50N65H5
Trans IGBT; 600V; 20V; 80A; 150A; 305W; 3,2V~4,8V; 120nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW50N65H5FKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
101 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 120nC | 305W | 80A | 150A | 3,2V ~ 4,8V | -40°C ~ 175°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW50N65H5FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
140 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | Infineon Technologies | 120nC | 305W | 80A | 150A | 3,2V ~ 4,8V | -40°C ~ 175°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW50N65H5FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
374 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | Infineon Technologies | 120nC | 305W | 80A | 150A | 3,2V ~ 4,8V | -40°C ~ 175°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
BUK7K15-80EX
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 80V; 80V; 20V; 38mOhm; 23A; 68W; -55°C ~ 175°C; BUK7K15-80EX
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
11 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 21 Ilość (wielokrotność 1) |
38mOhm | 23A | 68W | LFPAK | NXP | 80V | 2xN-MOSFET | 80V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
BUK7M12-60EX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 27mOhm; 53A; 75W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
27mOhm | 53A | 75W | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7M12-60EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
121500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
27mOhm | 53A | 75W | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7M12-60EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
27mOhm | 53A | 75W | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
BUK7M15-60EX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 34mOhm; 43A; 62W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
34mOhm | 43A | 62W | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7M15-60EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
34mOhm | 43A | 62W | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD |
Tranzystory
Modele polowe, bipolarne, igbt – to tranzystory, które znajdziesz w sklepie Micros. Sprawdź, do czego służy tranzystor i co wyróżnia poszczególne jego rodzaje. Zobacz, dlaczego warto wybrać oferowane przez nas produkty.
Czym jest i do czego służy tranzystor?
Tranzystor to półprzewodnik posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Urządzenie wyróżnia się niewielkimi wymiarami, dlatego tranzystory zastąpiły stosowane wcześniej lampy elektronowe. Uważa się, że pojawienie się na rynku oferowanego w tej kategorii sprzętu to jeden z głównych czynników pobudzających rozwój elektroniczny w ostatnich kilkudziesięciu latach. Wszystko za sprawą możliwości znacznego wzmocnienia sygnału poprzez zastosowanie małego i niezbyt skomplikowanego elementu. Jednak czemu właściwie okazało się to tak ważne i do czego służy tranzystor w dzisiejszej elektronice? Oto kilka przykładów:
- Stanowi najważniejszą część wzmacniaczy;
- Służy jako element konstrukcyjny pamięci półprzewodnikowej;
- Bierze udział w transmisji sygnału, np. w przesuwnikach napięciowych i generatorach.
Tranzystory i ich rodzaje
Odpowiedź na pytanie, do czego służy tranzystor, nie jest prosta, dopóki nie wyjaśniamy, że dostępne są tranzystory różnego rodzaju. W ofercie Microsa znajdziesz każdy tranzystor, którego możesz potrzebować. Posiadamy sprzęt o zróżnicowanym zastosowaniu, ponieważ naszym celem jest spełnienie potrzeb każdego klienta. Wyróżniamy 3 główne typy tranzystorów, a dziesiątki przedstawicieli każdej z tych kategorii znajdziesz w odpowiednich kategoriach produktowych w naszym sklepie:
- tranzystory polowe,
- tranzystory bipolarne
- tranzystory igbt.
Tranzystor polowy można uznać za najbardziej klasyczną wersję tranzystora. Wynalazek ten ma już niemal 100 lat, jednak wciąż jest niezwykle przydatny. Mowa o urządzeniu, które składa się z jednej warstwy półprzewodnikowej, a sterowanie prądem odbywa się poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego.
Tranzystory bipolarne, które również oferujemy w sprzedaży, to aż 3 warstwy półprzewodnikowe, a każda z nich reprezentuje inny typ półprzewodnictwa. Natomiast tranzystor igbt to odmiana modelu bipolarnego, wyposażona dodatkowo w bramkę izolowaną.
Tranzystory w naszej ofercie
Naszą ofertę stanowią tranzystory do wszelkich zastosowań. Oferujemy liczne modele polowe, zwane unipolarnymi, które okazują się niezbędnymi częściami układów scalonych czy przełączników. Jeśli potrzebujesz części do wzmacniaczy prądu, wybierz nasze tranzystory bipolarne. Natomiast niezbędne części do instalacji fotowoltaicznych znajdziesz w kategorii z tranzystorami igbt.
Wszystkie nasze produkty pochodzą od sprawdzonych producentów. Wśród naszych dostawców tranzystorów znajdziesz takie marki jak: NXP, Hottech, Infineon, czy Born. Przed dopuszczeniem produktu do sprzedaży przeprowadzamy sprawdzenie tranzystora. Wszystko po to, aby mieć pewność, że klient otrzyma od nas jakościowy i w pełni sprawny sprzęt.