Tranzystory (wyszukane: 9780)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie bramka-emiter
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LBSS8402DW1T1G SC88 LRC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 380mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: LBSS8402DW1T3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
445 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 130mA | 380mW | SC-88 | LRC | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84AK,215
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 180mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AK,215; BSS84AK.215;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2700 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
13,5Ohm | 180mA | 420mW | SOT23-3 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AK,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
489000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 180mA | 420mW | SOT23-3 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AK,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
825000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 180mA | 420mW | SOT23-3 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AK,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
582000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 180mA | 420mW | SOT23-3 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84AKS NXP
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 160mA; 320mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AKS,115;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
13,5Ohm | 160mA | 320mW | SOT363 | NXP | 50V | 2xP-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AKS,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
87000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 160mA | 320mW | SOT363 | NXP | 50V | 2xP-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AKS,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 160mA | 320mW | SOT363 | NXP | 50V | 2xP-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AKS,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 160mA | 320mW | SOT363 | NXP | 50V | 2xP-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84AKW,115
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 150mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AKW.115; BSS84AKW,115; BSS84AKW;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3600 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
13,5Ohm | 150mA | 310mW | SOT323 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AKW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
1239000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 150mA | 310mW | SOT323 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AKW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
786000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 150mA | 310mW | SOT323 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AKW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
13,5Ohm | 150mA | 310mW | SOT323 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84DW-7-F Diodes
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3380 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 130mA | 300mW | SOT363 | DIODES | 50V | 2xP-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2600 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2600 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 130mA | 300mW | SOT363 | DIODES | 50V | 2xP-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84DW-7-F Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 300mW | SOT363 | DIODES | 50V | 2xP-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84DW-7-F Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
177000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 300mW | SOT363 | DIODES | 50V | 2xP-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84DW-7-F Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 300mW | SOT363 | DIODES | 50V | 2xP-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
LBSS84DW1T1G SC-88 LRC
Tranzystor 2xP-MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 380mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84DW-7-F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 130mA | 380mW | SC-88 | LRC | 50V | 2xP-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84PH6327XTSA2
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12Ohm; 170mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84P-E6327; BSS84P-H6327(Halogen free); BSS84P-L6327(Pb-free); BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH7894XTMA1; BSS84PH6433; BSS84P;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
37301 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
12Ohm | 170mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
12Ohm | 170mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
186700 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
12Ohm | 170mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6305000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
12Ohm | 170mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
482400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
12Ohm | 170mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84E (60V); BSS84 (50V); Zamiennik za BSS84PH6327XTSA2;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
216 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 216 Ilość (wielokrotność 10) |
10mOhm | 130mA | 225mW | SOT23 | AnBon | 50V | P-MOSFET | 10V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1684 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2784 Ilość (wielokrotność 10) |
10mOhm | 130mA | 225mW | SOT23 | AnBon | 50V | P-MOSFET | 10V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
BSS84PWH Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12Ohm; 150mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84PWH6327XTSA1; BSS84PWH6327; SP000917564;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15730 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
12Ohm | 150mA | 300mW | SOT323 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
12Ohm | 150mA | 300mW | SOT323 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
13400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
12Ohm | 150mA | 300mW | SOT323 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
4734000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
12Ohm | 150mA | 300mW | SOT323 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
168000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
12Ohm | 150mA | 300mW | SOT323 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84W-7-F
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 130mA | 200mW | SOT323 | Infineon Technologies | 50V | P-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84W-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 200mW | SOT323 | Infineon Technologies | 50V | P-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84W-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
927000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 200mW | SOT323 | Infineon Technologies | 50V | P-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
BSS84W
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84W-F2-0000HF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2165 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
9,9Ohm | 170mA | 150mW | SOT323 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS87
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 7Ohm; 700mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS87,115;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
17 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 770 Ilość (wielokrotność 1) |
7Ohm | 700mA | 1W | SOT89 | NXP | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS87H6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 7,5Ohm; 260mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS87H6327FTSA1; BSS87H6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
237 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
7,5Ohm | 260mA | 1W | SOT89 | Infineon Technologies | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS87H6327FTSA1 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7,5Ohm | 260mA | 1W | SOT89 | Infineon Technologies | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS87H6327FTSA1 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
140000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7,5Ohm | 260mA | 1W | SOT89 | Infineon Technologies | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BST82
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 23Ohm; 190mA; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BST82.215; BST82,235;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BST82,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
23Ohm | 190mA | 830mW | SOT23 | NXP | 100V | N-MOSFET | 100V | -65°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BST82 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
308 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
23Ohm | 190mA | 830mW | SOT23 | NXP | 100V | N-MOSFET | 100V | -65°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BST82,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
23Ohm | 190mA | 830mW | SOT23 | NXP | 100V | N-MOSFET | 100V | -65°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BST82,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
23Ohm | 190mA | 830mW | SOT23 | NXP | 100V | N-MOSFET | 100V | -65°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BST82,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
23Ohm | 190mA | 830mW | SOT23 | NXP | 100V | N-MOSFET | 100V | -65°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BST82,235 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
23Ohm | 190mA | 830mW | SOT23 | NXP | 100V | N-MOSFET | 100V | -65°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies
IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW40N120CS6XKSA1 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW40N120CS6XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1828 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW40N120CS6XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
240 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IKW40N120H3
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW40N120H3FKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/90 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 185nC | 483W | 80A | 160A | 5,0V ~ 6,5V | -40°C ~ 175°C | THT | 20V | 1200V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW40N120H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
2711 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | Infineon Technologies | 185nC | 483W | 80A | 160A | 5,0V ~ 6,5V | -40°C ~ 175°C | THT | 20V | 1200V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW40N120H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
63 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | Infineon Technologies | 185nC | 483W | 80A | 160A | 5,0V ~ 6,5V | -40°C ~ 175°C | THT | 20V | 1200V | |||||||||||||||||||||||||
IKW40N120T2
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 75A; 160A; 480W; 5,2V~6,4V; 192nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW40N120T2FKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 192nC | 480W | 75A | 160A | 5,2V ~ 6,4V | -40°C ~ 175°C | THT | 20V | 1200V | |||||||||||||||||||||||||
IKW40N65H5FKSA1
Trans IGBT ; 650V; 20V; 74A; 120A; 250W; 3,2V~4,8V; 95nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW40N65H5AXKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 15 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 95nC | 250W | 74A | 120A | 3,2V ~ 4,8V | -40°C ~ 175°C | THT | 20V | 650V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW40N65H5FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | Infineon Technologies | 95nC | 250W | 74A | 120A | 3,2V ~ 4,8V | -40°C ~ 175°C | THT | 20V | 650V | |||||||||||||||||||||||||
2SC5707 smd
Tranzystor NPN; Bipolar; 560; 50V; 6V; 330MHz; 8A; 15W; -55°C~150°C; komplet z 2SA2040; 2SC5707-TL-E;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 91 Ilość (wielokrotność 1) |
DPAK | Sanyo | 15W | 560 | 330MHz | 8A | 50V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2SC5707-TL-E Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
700 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 700 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
DPAK | Sanyo | 15W | 560 | 330MHz | 8A | 50V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IKW40T120
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 75A; 105A; 270W; 5,0V~6,5V; 203nC; -40°C~150°C; Odpowiednik: IKW40T120FKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 203nC | 270W | 75A | 105A | 5,0V ~ 6,5V | -40°C ~ 150°C | THT | 20V | 1200V | |||||||||||||||||||||||||
IKW50N60H3
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW50N60H3FKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
24 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 315nC | 333W | 100A | 200A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 20V | 600V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW50N60H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
3 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | Infineon Technologies | 315nC | 333W | 100A | 200A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 20V | 600V | |||||||||||||||||||||||||
BUK6D120-60PX
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; +/-20V; 120mOhm; 8A; 15W; -55°C~175°C; Odpowiednik: BUK6D120-60PX; BUK6D120-60PZ;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
290 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
120mOhm | 8A | 15W | DFN06 | NXP | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK6D120-60PX Obudowa dokładna: DFN06 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
120mOhm | 8A | 15W | DFN06 | NXP | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK6D120-60PX Obudowa dokładna: DFN06 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
120mOhm | 8A | 15W | DFN06 | NXP | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IKW50N65H5
Trans IGBT; 600V; 20V; 80A; 150A; 305W; 3,2V~4,8V; 120nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW50N65H5FKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
101 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 120nC | 305W | 80A | 150A | 3,2V ~ 4,8V | -40°C ~ 175°C | THT | 20V | 600V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW50N65H5FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
342 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | Infineon Technologies | 120nC | 305W | 80A | 150A | 3,2V ~ 4,8V | -40°C ~ 175°C | THT | 20V | 600V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW50N65H5FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | Infineon Technologies | 120nC | 305W | 80A | 150A | 3,2V ~ 4,8V | -40°C ~ 175°C | THT | 20V | 600V | |||||||||||||||||||||||||
BUK7K15-80EX
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 80V; 80V; 20V; 38mOhm; 23A; 68W; -55°C ~ 175°C; BUK7K15-80EX
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
11 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 21 Ilość (wielokrotność 1) |
38mOhm | 23A | 68W | LFPAK | NXP | 80V | 2xN-MOSFET | 80V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7K15-80EX Obudowa dokładna: LFPAK |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
38mOhm | 23A | 68W | LFPAK | NXP | 80V | 2xN-MOSFET | 80V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
BUK7M12-60EX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 27mOhm; 53A; 75W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
27mOhm | 53A | 75W | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7M12-60EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
27mOhm | 53A | 75W | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7M12-60EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
105000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
27mOhm | 53A | 75W | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
BUK7M15-60EX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 34mOhm; 43A; 62W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
34mOhm | 43A | 62W | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7M15-60EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
34mOhm | 43A | 62W | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
BUK7M27-80EX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 80V; 20V; 68mOhm; 30A; 62W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
68mOhm | 30A | 62W | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | 80V | N-MOSFET | 80V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7M27-80EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
68mOhm | 30A | 62W | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | 80V | N-MOSFET | 80V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7M27-80EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
68mOhm | 30A | 62W | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | 80V | N-MOSFET | 80V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
BUK7M33-60EX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 74mOhm; 24A; 44W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
74mOhm | 24A | 44W | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7M33-60EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
74mOhm | 24A | 44W | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7M33-60EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
74mOhm | 24A | 44W | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
BUK7M3R3-40H
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 7,2mOhm; 80A; 101W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BUK7M3R3-40HX;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
7,2mOhm | 80A | 101W | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7M3R3-40HX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7,2mOhm | 80A | 101W | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7M3R3-40HX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7,2mOhm | 80A | 101W | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IKW75N60T
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; Odpwowiednik: IKW75N60TFKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 470nC | 428W | 80A | 225A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 20V | 600V | |||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
8 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 470nC | 428W | 80A | 225A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 20V | 600V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW75N60TFKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | Infineon Technologies | 470nC | 428W | 80A | 225A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 20V | 600V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW75N60TFKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
560 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | Infineon Technologies | 470nC | 428W | 80A | 225A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 20V | 600V |