Tranzystory (wyszukane: 9647)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS138PS NXP
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138PS,115;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
8038 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2Ohm | 320mA | 420mW | SOT363 | NXP | 60V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS138PS,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
117000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2Ohm | 320mA | 420mW | SOT363 | NXP | 60V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS138PS,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
225000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2Ohm | 320mA | 420mW | SOT363 | NXP | 60V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS138PS,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
81000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2Ohm | 320mA | 420mW | SOT363 | NXP | 60V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS138PS
Tranzystor Dual N-Channel MOSFET; 60V; +/-20V; 1,9Ohm; 300mA; 0,35W; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
1,9Ohm | 300mA | 350mW | SOT363 | TECH PUBLIC | 60V | MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS138PW,115
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
600 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2Ohm | 320mA | 310mW | SOT323 | NXP | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2Ohm | 320mA | 310mW | SOT323 | NXP | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS138PW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
111000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2Ohm | 320mA | 310mW | SOT323 | NXP | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS138PW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
445998 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2Ohm | 320mA | 310mW | SOT323 | NXP | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS138WH6327XTSA1 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 280mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138WH6433XTMA1; BSS138W-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1914 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
6Ohm | 280mA | 500mW | SOT323 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS138WH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
402000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6Ohm | 280mA | 500mW | SOT323 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS138WH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
1185000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6Ohm | 280mA | 500mW | SOT323 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: BSS138W-TP Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6Ohm | 280mA | 500mW | SOT323 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS138W-7-F Diodes
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138W-7-F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6530 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
3,5Ohm | 200mA | 200mW | SOT323 | DIODES | 50V | N-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS138W-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
2688000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,5Ohm | 200mA | 200mW | SOT323 | DIODES | 50V | N-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS138W-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
4059000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,5Ohm | 200mA | 200mW | SOT323 | DIODES | 50V | N-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS138W-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
186000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,5Ohm | 200mA | 200mW | SOT323 | DIODES | 50V | N-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
BSS139H6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 30Ohm; 100mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS139H6327XTSA1; BSS139H6906XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
30Ohm | 100mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
30Ohm | 100mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS139H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
53200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
30Ohm | 100mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS139H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
30Ohm | 100mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS139H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
321000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
30Ohm | 100mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS159N HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS159N E6327; BSS159N E6906; BSS159NH6327XTSA1; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6906XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
3Ohm | 300mA | 350mW | SOT23 | HXY MOSFET | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS159NH6327XTSA2
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8Ohm; 230mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS159NH6327; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6906XTSA1; BSS159N; BSS159NH6327XTSA2;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
8Ohm | 230mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS159NH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
8Ohm | 230mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS159NH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2760000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
8Ohm | 230mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS159NH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
486000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
8Ohm | 230mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS169H6327 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS169H6327; BSS169H6327XTSA1; BSS169I; SP005558635; BSS169; BSS169H6906XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
9Ohm | 170mA | 350mW | SOT23 | HXY MOSFET | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS225H6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 45Ohm; 90mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS225H6327FTSA1; BSS225H6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
997 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
45Ohm | 90mA | 1W | SOT89 | Infineon Technologies | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS225H6327FTSA1 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
19000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
45Ohm | 90mA | 1W | SOT89 | Infineon Technologies | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS225H6327FTSA1 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
45Ohm | 90mA | 1W | SOT89 | Infineon Technologies | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS306NH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 93mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS306NH6327HTSA1; BSS306NH6327;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1623 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
93mOhm | 2,3A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS306NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
189000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
93mOhm | 2,3A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS306NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1446000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
93mOhm | 2,3A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS314PEH6327 Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 230mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS314PEH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2095 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
230mOhm | 1,5A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS314PEH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
516000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
230mOhm | 1,5A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS314PEH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
230mOhm | 1,5A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS606NH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 90mOhm; 3,2A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS606NH6327XTSA1; BSS606NH6327TR; BSS606NH6327; BSS606NH6327XTSA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
990 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
90mOhm | 3,2A | 1W | SOT89 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS606NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
77000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
90mOhm | 3,2A | 1W | SOT89 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS606NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
111000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
90mOhm | 3,2A | 1W | SOT89 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS606N-P
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 62mOhm; 3,5A; 1,7W; -55°C~150°C; Odpowiednik: BSS606NH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
470 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
62mOhm | 3,5A | 1,7W | SOT89-3 | TECH PUBLIC | 60V | N-MOSFET | 10V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
BSS806NH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS806NH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
82mOhm | 2,3A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
82mOhm | 2,3A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
82mOhm | 2,3A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS806NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
522000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
82mOhm | 2,3A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS806NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
5103000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
82mOhm | 2,3A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS806NEH6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS806NEH6327XTSA1; BSS806NEH6327;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
82mOhm | 2,3A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS806NEH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
82mOhm | 2,3A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS806NEH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1376990 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
82mOhm | 2,3A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS816NWH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 240mOhm; 1,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS816NWH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1050 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
240mOhm | 1,4A | 500mW | SOT323 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
240mOhm | 1,4A | 500mW | SOT323 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS816NWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
123000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
240mOhm | 1,4A | 500mW | SOT323 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS816NWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
111000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
240mOhm | 1,4A | 500mW | SOT323 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS83PH6327XTSA1
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; SP000702486;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
9990 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
3Ohm | 330mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS83PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
87000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3Ohm | 330mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS83PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
57700 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3Ohm | 330mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies
IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW40N120CS6XKSA1 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
6 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW40N120CS6XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1258 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSS83P JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 330mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS83PE6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83PL6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 330mA | 225mW | SOT23 | JSMICRO | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84,215-CN CHIPNOBO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | 130mA | 225mW | SOT23 | CHIPNOBO | 50V | P-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84 GALAXY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 12V; 10Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | 130mA | 360mW | SOT23 | GALAXY | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84 HXY MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
6Ohm | 130mA | 350mW | SOT23 | HXY MOSFET | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84 JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
6Ohm | 130mA | 350mW | SOT23 | JSMICRO | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84 JUXING
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | 130mA | 225mW | SOT23 | JUXING | 50V | P-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84 SHIKUES
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 130mA; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
6Ohm | 130mA | SOT23 | SHIKUES | 60V | P-MOSFET | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||||
BSS84 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | 130mA | 300mW | SOT23 | UMW | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
5739 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/12000 Ilość (wielokrotność 1) |
17Ohm | 130mA | 360mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS84 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
17Ohm | 130mA | 360mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS84LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1554000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
17Ohm | 130mA | 360mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS84LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
174000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
17Ohm | 130mA | 360mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84-7-F
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84-7-F; BSS84-13-F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 130mA | 300mW | SOT23 | DIODES | 50V | P-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84-13-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 300mW | SOT23 | DIODES | 50V | P-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84-7-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 300mW | SOT23 | DIODES | 50V | P-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84-7-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2964000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 300mW | SOT23 | DIODES | 50V | P-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
IKW40N120H3
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW40N120H3FKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/90 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 185nC | 483W | 80A | 160A | 5,0V ~ 6,5V | -40°C ~ 175°C | THT | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW40N120H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
10331 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | Infineon Technologies | 185nC | 483W | 80A | 160A | 5,0V ~ 6,5V | -40°C ~ 175°C | THT | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW40N120H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
29 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | Infineon Technologies | 185nC | 483W | 80A | 160A | 5,0V ~ 6,5V | -40°C ~ 175°C | THT | 1200V | 20V |