Tranzystory (wyszukane: 9637)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC847BPN
Tranzystor NPN/PNP; 450; 400mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847BPDW1T1G; BC847BPN,125; BC847BPN,135; BC847BPN,165; BC847BPNDG; BC847BPN,115; BC847BPN.165; BC847BPN,165;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
11790 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT363 | NXP | 400mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN/PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC847BPN,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
1407000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT363 | NXP | 400mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN/PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC847BPN,135 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
1880000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT363 | NXP | 400mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN/PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC847BPN,165 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT363 | NXP | 400mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN/PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
FDN5618P
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
818 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
315mOhm | 10A | 500mW | SSOT3 | ONSEMI | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN5618P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
1671000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
315mOhm | 10A | 500mW | SSOT3 | ONSEMI | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN5618P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
315mOhm | 10A | 500mW | SSOT3 | ONSEMI | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN5618P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
315mOhm | 10A | 500mW | SSOT3 | ONSEMI | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDP18N50
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP18N50 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
265mOhm | 18A | 235W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP18N50 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
31621 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
265mOhm | 18A | 235W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP18N50 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
880 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
265mOhm | 18A | 235W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
FDP2532
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP2532 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
48mOhm | 79A | 310W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP2532 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
6261 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
48mOhm | 79A | 310W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP2532 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
250 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
48mOhm | 79A | 310W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP2532 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
48mOhm | 79A | 310W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BC847BQ
Tranzystor NPN; 450; 300mW; 45V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 300mW | 450 | 150MHz | 100mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
900 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 300mW | 450 | 150MHz | 100mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
FDP42AN15A0
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 107mOhm; 30A; 150W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
107mOhm | 30A | 150W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP42AN15A0 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
107mOhm | 30A | 150W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP42AN15A0 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
700 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
107mOhm | 30A | 150W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
FDP51N25
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP51N25 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
60mOhm | 51A | 320W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP51N25 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3740 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
60mOhm | 51A | 320W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP51N25 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
60mOhm | 51A | 320W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP51N25 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
750 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
60mOhm | 51A | 320W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
FDP52N20
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
49mOhm | 52A | 357W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP52N20 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
49mOhm | 52A | 357W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP52N20 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2434 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
49mOhm | 52A | 357W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
FDP61N20
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
41mOhm | 61A | 417W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP61N20 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
41mOhm | 61A | 417W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP61N20 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
41mOhm | 61A | 417W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP61N20 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
6694 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
41mOhm | 61A | 417W | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BC847BS,115
Tranzystor 2xNPN; 450; 400mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS847BS,115; BC847BS,135; BC847BS-13-F; BC847BSQ-7-F; BC847BS-TP; BC847BS-7-F; BS847BS-FAI; BC847BS.115;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
11950 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SC-88 | NXP | 400mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | 2xNPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC847BS,115 Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
2814000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SC-88 | NXP | 400mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | 2xNPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC847BS,135 Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
149036 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SC-88 | NXP | 400mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | 2xNPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC847BS,135 Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
4390000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SC-88 | NXP | 400mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | 2xNPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
FDPF16N50 TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 380mOhm; 16A; 38,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
48 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
380mOhm | 16A | 38,5W | TO220iso | Fairchild | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
FDPF18N50
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDPF18N50 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
6 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 6 Ilość (wielokrotność 1) |
265mOhm | 18A | 38,5W | TO220iso | Fairchild | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDPF18N50 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
265mOhm | 18A | 38,5W | TO220iso | Fairchild | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
FDPF20N50FT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 260mOhm; 20A; 38,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDPF20N50FT RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
34 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
260mOhm | 20A | 38,5W | TO220iso | Fairchild | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
FDPF3860T
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38,2mOhm; 20A; 33,8W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDPF3860T RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
38,2mOhm | 20A | 33,8W | TO220iso | Fairchild | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDPF3860T Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
38,2mOhm | 20A | 33,8W | TO220iso | Fairchild | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
FDPF39N20
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 66mOhm; 39A; 37W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
66mOhm | 39A | 37W | TO220iso | Fairchild | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDPF39N20 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
66mOhm | 39A | 37W | TO220iso | Fairchild | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
FDPF51N25
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 38W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDPF51N25 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
60mOhm | 51A | 38W | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDPF51N25 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
3900 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
60mOhm | 51A | 38W | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDPF51N25 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
60mOhm | 51A | 38W | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BC847BS SHIKUES
Tranzystor 2xNPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: BC847BS,115; BC847BS,135; BS847BS-FAI; BC847BS-7-F; BC847BS-13-F; BC847BS-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT363 | SHIKUES | 200mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | 2xNPN | -55°C ~ 125°C | |||||||||||||||||||||||||||
BC847BS (BC847BDW) SLKOR
Tranzystor 2xNPN; 450; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847BS,115; BC847BS,135; BS847BS-FAI; BC847BS-7-F; BC847BS-13-F; BC847BS-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT363 | SLKOR | 250mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | 2xNPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BC847BS
Transistor PNP/NPN; Bipolar; 45V; 200MHz; 100mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; BC847BS-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT363 | YY | 300mW | 200MHz | 100mA | 45V | NPN/PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT363 | YY | 300mW | 200MHz | 100mA | 45V | NPN/PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
FDS2572
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 53mOhm; 4,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS2572 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
53mOhm | 4,9A | 2,5W | SOP08 | Fairchild | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS2572 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
53mOhm | 4,9A | 2,5W | SOP08 | Fairchild | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS2572 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
53mOhm | 4,9A | 2,5W | SOP08 | Fairchild | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDS2582 Fairchild
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 146mOhm; 4,1A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS2582 RoHS Obudowa dokładna: SOIC08t/r |
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
146mOhm | 4,1A | 2,5W | SOIC08 | Fairchild | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS2582 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
146mOhm | 4,1A | 2,5W | SOIC08 | Fairchild | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDS2734
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 225mOhm; 3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
225mOhm | 3A | 2,5W | SOP08 | Fairchild | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS2734 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
225mOhm | 3A | 2,5W | SOP08 | Fairchild | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDS3672
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 7,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS3672 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
43mOhm | 7,5A | 2,5W | SOP08 | Fairchild | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS3672 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
43mOhm | 7,5A | 2,5W | SOP08 | Fairchild | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS3672 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
17500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
43mOhm | 7,5A | 2,5W | SOP08 | Fairchild | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDS3692
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 122mOhm; 4,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS3692 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
122mOhm | 4,5A | 2,5W | SOP08 | Fairchild | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS3692 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
122mOhm | 4,5A | 2,5W | SOP08 | Fairchild | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS3692 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
122mOhm | 4,5A | 2,5W | SOP08 | Fairchild | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDS4435BZ
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 35mOhm; 8,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDS4435BZ-F085;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS4435BZ RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
35mOhm | 8,8A | 2,5W | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS4435BZ Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
35mOhm | 8,8A | 2,5W | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDS4465
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 14mOhm; 13,5A; 2,5W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: FDS4465-F085;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
9 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
14mOhm | 13,5A | 2,5W | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDS4675
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 11A; 2,4W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: FDS4675-F085;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
21mOhm | 11A | 2,4W | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS4675 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
52500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
21mOhm | 11A | 2,4W | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDS4685
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 42mOhm; 8,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS4685 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
42mOhm | 8,2A | 2,5W | SOP08 | Fairchild | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS4685 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
42mOhm | 8,2A | 2,5W | SOP08 | Fairchild | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS4685 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
42mOhm | 8,2A | 2,5W | SOP08 | Fairchild | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BC847BTT1G
Tranzystor NPN; 450; 300mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SC75-3 (SOT416) | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC847BTT1G Obudowa dokładna: SC75-3 (SOT416) |
Magazyn zewnetrzny:
648000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SC75-3 (SOT416) | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC847BTT1G Obudowa dokładna: SC75-3 (SOT416) |
Magazyn zewnetrzny:
186000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SC75-3 (SOT416) | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 450 | 100MHz | 100mA | 45V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
FDS4897AC
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 39mOhm/65mOhm; 6,1A/5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS4897AC RoHS Obudowa dokładna: SOP08 |
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
65mOhm | 6,1A | 2W | SOP08 | Fairchild | 40V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD |