Tranzystory bipolarne (wyszukane: 3197)

1  2  3  4  5  6  7  8  9    107
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Współczynnik wzmocnienia prądowego
Moc strat
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
Maksymalny prąd kolektora
Częstotliwość graniczna
Obudowa
Producent
Układy tranzystorowe [T/N]
Temperatura pracy (zakres)
BC856B SOT23 HT SEMI Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
BC856B RoHS || BC856B SOT23 HT SEMI SOT23
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
BC856B RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
900 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1860 0,0678 0,0359 0,0268 0,0248
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
PNP 475 200mW 65V 100mA 100MHz SOT23 HT -65°C ~ 150°C
BCP56-16 SOT223 YFW Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G; BCP56-16-TP; BCP5616H6327XTSA1;
BCP56-16 RoHS || BCP56-16 SOT223 YFW SOT223
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
BCP56-16 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
860 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8460 0,3670 0,2290 0,1960 0,1880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
960
Ilość (wielokrotność 1)
NPN 250 1,5W 80V 1A 100MHz SOT223 YFW -65°C ~ 150°C
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-09-30
Ilość szt.: 5000
                   
BC857CWH6327XTSA1 Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
BC857CWH6327XTSA1 RoHS || BC857CWH6327XTSA1 SOT323
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BC857CWH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7980 0,3790 0,2130 0,1620 0,1450
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
PNP 420 250mW 45V 100mA 250MHz SOT323 INFINEON -55°C ~ 150°C
BC860BW SOT23 NEXPERIA Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC860BW,115;
BC860BW,115 RoHS || BC860BW SOT23 NEXPERIA SOT23
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BC860BW,115 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6330 0,3000 0,1690 0,1280 0,1150
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
PNP 475 200mW 45V 100mA 100MHz SOT23 NXP -65°C ~ 150°C
BCV47 SOT23 YFW Tranzystor NPN; 10000; 200mW; 60V; 500mA; 220MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: SP000010866; BCV47E6393; BCV47E6433HTMA1; BCV47E6327;
BCV47 RoHS || BCV47 SOT23 YFW SOT23
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
BCV47 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5700 0,2610 0,1420 0,1060 0,0950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
NPN 10000 200mW 60V 500mA 220MHz SOT23 YFW -65°C ~ 150°C
BC817-40 SOT23 RealChip Tranzystor NPN; 600; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; BC817-40 SOT23 Kingtronics
BC817-40 RoHS || BC817-40 SOT23 RealChip SOT23
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
BC817-40 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6400 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2240 0,0838 0,0449 0,0335 0,0309
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/30000
Ilość (wielokrotność 10)
NPN 600 300mW 45V 500mA 100MHz SOT23 RealChip -55°C ~ 150°C
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-10-31
Ilość szt.: 30000
                   
BC337-40 TO92ammoformed LGE Tranzystor NPN; 630; 625mW; 45V; 800mA; 210MHz; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: BC337.40; BC337-40-GURT;
BC337-40 RoHS || BC337.40 || BC337-40 TO92ammoformed LGE TO92ammoformed
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
BC337-40 RoHS
Obudowa dokładna:
TO92ammoformed
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 300+ 2000+ 10000+
cena netto (PLN) 0,3500 0,1400 0,0745 0,0575 0,0538
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Ilość (wielokrotność 10)
NPN 630 625mW 45V 800mA 210MHz TO92ammoformed LGE -55°C ~ 150°C
 
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
BC337-40 RoHS
Obudowa dokładna:
TO92ammoformed
karta katalogowa
Stan magazynowy:
445 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 300+ 2000+ 10000+
cena netto (PLN) 0,3500 0,1400 0,0745 0,0575 0,0538
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
755
Ilość (wielokrotność 10)
NPN 630 625mW 45V 800mA 210MHz TO92ammoformed LGE -55°C ~ 150°C
 
Producent:
CDIL
Symbol Producenta:
BC337.40
Obudowa dokładna:
TO92ammoformed
 
Magazyn zewnętrzny:
18500 szt.
Ilość szt. 500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,1078
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
NPN 630 625mW 45V 800mA 210MHz TO92ammoformed LGE -55°C ~ 150°C
BC807-25W-7 SOT323(T/R) DIODES Tranzystor PNP; 400; 200mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-25W,115; BC807-25W,135;
BC807-25W-7 RoHS || BC807-25W-7 || BC807-25W-7 SOT323(T/R) DIODES SOT323
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BC807-25W-7 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6050 0,2870 0,1620 0,1230 0,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
PNP 400 200mW 45V 500mA 100MHz SOT323 DIODES -65°C ~ 150°C
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BC807-25W-7
Obudowa dokładna:
SOT323
 
Magazyn zewnętrzny:
102000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
PNP 400 200mW 45V 500mA 100MHz SOT323 DIODES -65°C ~ 150°C
BC846B SOT23(T/R) mic Tranzystor NPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; BC846B-AKS;
BC846B RoHS || BC846B SOT23(T/R) mic SOT23
Producent:
MIC
Symbol Producenta:
BC846B RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 9000+
cena netto (PLN) 0,1870 0,0678 0,0357 0,0265 0,0249
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/9000
Ilość (wielokrotność 10)
NPN 450 250mW 65V 100mA 100MHz SOT23 MIC -55°C ~ 150°C
 
Producent:
ARK
Symbol Producenta:
BC846B RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
32970 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 9000+
cena netto (PLN) 0,1870 0,0678 0,0357 0,0265 0,0249
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
NPN 450 250mW 65V 100mA 100MHz SOT23 MIC -55°C ~ 150°C
BC857CW SOT323 RealChip Tranzystor PNP; 800; 150mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857CW,115; BC857CWT1G; BC857CW,135; BC857CW-7-F; BC857CWH6327XTSA1; BC857CWH6433XTM; BC857CW-G; BC857CW.115; BC857CW SOT323;
BC857CW RoHS || BC857CW SOT323 RealChip SOT323
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
BC857CW RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3000 0,1150 0,0563 0,0448 0,0428
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
PNP 800 150mW 45V 100mA 100MHz SOT323 RealChip -55°C ~ 150°C
BC847C SOT23(T/R) RealChip Tranzystor NPN; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847C-DIO; BC847C-CDI; BC847C-YAN;
BC847C RoHS || BC847C SOT23(T/R) RealChip SOT23
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
BC847C RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5980 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1710 0,0623 0,0330 0,0246 0,0228
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
NPN 800 200mW 45V 100mA 100MHz SOT23 RealChip -65°C ~ 150°C
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-09-30
Ilość szt.: 30000
                   
TIP35C TO-247S MOT Tranzystor NPN; 200; 120W; 100V; 25A; 3MHz; -55°C ~ 150°C;
TIP35C RoHS || TIP35C TO-247S MOT TO 3P
Producent:
MOT-
Symbol Producenta:
TIP35C RoHS
Obudowa dokładna:
TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 600+
cena netto (PLN) 3,7800 2,5200 2,0100 1,8500 1,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
NPN 200 120W 100V 25A 3MHz TO 3P MOT -55°C ~ 150°C
 
Producent:
MOT-
Symbol Producenta:
TIP35C RoHS
Obudowa dokładna:
TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 600+
cena netto (PLN) 3,7800 2,5200 2,0100 1,8500 1,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Ilość (wielokrotność 1)
NPN 200 120W 100V 25A 3MHz TO 3P MOT -55°C ~ 150°C
BC857BS SOT363 RealChip Tranzystor PNP; 630; 300mW; 45V; 200mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857BS,115; BC857BS,135; BC857BS-7-F; BC857BS-13-F;
BC857BS RoHS || BC857BS SOT363 RealChip SOT363
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
BC857BS RoHS
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5950 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2910 0,1120 0,0546 0,0434 0,0415
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
PNP 630 300mW 45V 200mA 200MHz SOT363 RealChip -55°C ~ 150°C
BC847B SOT23 REALCHIP Tranzystor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
BC847B RoHS || BC847B SOT23 REALCHIP SOT23
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
BC847B RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
18100 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1710 0,0623 0,0330 0,0246 0,0228
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
NPN 450 200mW 45V 100mA 100MHz SOT-23-6L RealChip -65°C ~ 150°C
BC860B SOT23 YFW Tranzystor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC860B,215; BC860B,235; BC860BE6327; BC860BE6327HTSA1;
BC860B RoHS || BC860B SOT23 YFW SOT23
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
BC860B RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2430 0,0909 0,0487 0,0363 0,0335
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
PNP 475 250mW 45V 100mA 100MHz SOT23 YFW -55°C ~ 150°C
BC817DS TSOP06 REALCHIP Tranzystor 2xNPN; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
BC817DS RoHS || BC817DS TSOP06 REALCHIP TSOP06
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
BC817DS RoHS
Obudowa dokładna:
TSOP06 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5140 0,2360 0,1280 0,0959 0,0856
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/12000
Ilość (wielokrotność 1)
2xNPN 400 300mW 45V 500mA 100MHz TSOP06 RealChip -55°C ~ 150°C
2N3904 TO92 RealChip Tranzystor NPN; 400; 625mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N3904,412; 2N3904-BP; 2N3904BU; 2N3904G;
2N3904 RoHS || 2N3904 TO92 RealChip TO92
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
2N3904 RoHS
Obudowa dokładna:
TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,3740 0,1480 0,0872 0,0642 0,0575
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/5000
Ilość (wielokrotność 10)
NPN 400 625mW 40V 200mA 300MHz TO92 RealChip -55°C ~ 150°C
MMBT4401 SOT23 HT SEMI Tranzystor NPN; Bipolar; 40V; 300mW; 60V; 600mA; 250MHz; -55°C~150°C; Odpowiednik: MMBT4401-YAN;
MMBT4401 RoHS || MMBT4401 SOT23 HT SEMI SOT23
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
MMBT4401 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2310 0,0863 0,0462 0,0345 0,0318
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
NPN 300 300mW 40V 600mA 250MHz SOT23 HT -55°C ~ 150°C
BCP56-16 SOT223 YANGJIE Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G;
BCP56-16 RoHS || BCP56-16 SOT223 YANGJIE SOT223
Producent:
YY
Symbol Producenta:
BCP56-16 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 5+ 10+ 20+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 0,9240 0,6030 0,4080 0,2640 0,1680
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
NPN 250 1,5W 80V 1A 100MHz SOT223 Yangjie -55°C ~ 150°C
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2030-07-20
Ilość szt.: 2500
                   
BC807-25 SOT23 REALCHIP Tranzystor PNP; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
BC807-25 RoHS || BC807-25 SOT23 REALCHIP SOT23
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
BC807-25 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
17880 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2170 0,0810 0,0432 0,0322 0,0299
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
PNP 400 300mW 45V 500mA 100MHz SOT23 RealChip -55°C ~ 150°C
BC856C SOT-23 MOT Tranzystor PNP; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
BC856C RoHS || BC856C SOT-23 MOT SOT23
Producent:
MOT-
Symbol Producenta:
BC856C RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1880 0,0703 0,0376 0,0281 0,0259
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
PNP 600 200mW 65V 100mA 100MHz SOT23 MOT -55°C ~ 150°C
BC856A SOT23 HT SEMI Tranzystor PNP; Bipolar; 250; 65V; 5V; 100MHz; 100mA; 250mW; -55°C~150°C; ODPOWIEDNIK: BC856A-YAN;
BC856A RoHS || BC856A SOT23 HT SEMI SOT23
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
BC856A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1870 0,0681 0,0360 0,0269 0,0249
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
PNP 250 200mW 65V 100mA 100MHz SOT23 HT -65°C ~ 150°C
BC856C SOT23 HT SEMI Tranzystor PNP; 600; 300mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
BC856C RoHS || BC856C SOT23 HT SEMI SOT23
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
BC856C RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1860 0,0678 0,0359 0,0268 0,0248
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
PNP 600 300mW 45V 100mA SOT23 HT -55°C ~ 150°C
BC858C SOT23 HT SEMI Tranzystor PNP; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
BC858C RoHS || BC858C SOT23 HT SEMI SOT23
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
BC858C RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1860 0,0678 0,0359 0,0268 0,0248
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
PNP 800 200mW 30V 100mA 100MHz SOT23 HT -65°C ~ 150°C
MJD127 DPAK YFW Tranzystor PNP; 1000; 1,75W; 100V; 3A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD127-LGE;
MJD127 RoHS || MJD127 DPAK YFW TO252 (DPAK)
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
MJD127 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2320 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2500+
cena netto (PLN) 1,1800 0,6310 0,4920 0,4450 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Ilość (wielokrotność 1)
PNP 1000 1,75W 100V 3A 4MHz TO252 (DPACK) YFW -65°C ~ 150°C
BC847A SOT23 RealChip Tranzystor NPN; 220; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847ALT1G; BC847AMTF; BC847A RF; BC847A-TP; BC847AE6327HTSA1; BC847A SMD ONS;
BC847A RoHS || BC847A SOT23 RealChip SOT23
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
BC847A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2940 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1710 0,0623 0,0330 0,0246 0,0228
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
NPN 220 200mW 45V 100mA 100MHz SOT23 RealChip -65°C ~ 150°C
BCX51-10 SOT89 RealChip Tranzystor PNP; 160; 1,3W, 45V; 1A; 50MHz, -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX51-10,115; BCX5110TA; BCX51-10-TP;
BCX51-10 RoHS || BCX51-10 SOT89 RealChip SOT89
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
BCX51-10 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,7590 0,3040 0,1770 0,1470 0,1380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
PNP 160 1,3W 45V 1A 50MHz SOT89 RealChip -65°C ~ 150°C
BCX52 SOT89 RealChip Tranzystor PNP; 250; 1,3W; 60V; 1A; 50MHz; -65°C ~ 150°C;
BCX52 RoHS || BCX52 SOT89 RealChip SOT89
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
BCX52 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,7700 0,3080 0,1790 0,1490 0,1400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
PNP 250 1,3W 60V 1A 50MHz SOT89 RealChip -65°C ~ 150°C
BCX53-16 SOT89 RealChip Tranzystor PNP; 250; 1,3W; 80V; 1A; 50MHz; -65°C ~ 150°C;
BCX53-16 RoHS || BCX53-16 SOT89 RealChip SOT89
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
BCX53-16 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
750 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,8140 0,3260 0,1890 0,1580 0,1480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
PNP 250 1,3W 80V 1A 50MHz SOT89 RealChip -65°C ~ 150°C
MPSA44 TO92 RealChip Tranzystor NPN; 200; 625mW; 400V; 300mA; -55°C ~ 150°C;
MPSA44 RoHS || MPSA44 TO92 RealChip TO92
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
MPSA44 RoHS
Obudowa dokładna:
TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
800 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,7100 0,2840 0,1650 0,1380 0,1290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
NPN 200 625mW 400V 300mA TO92 RealChip -55°C ~ 150°C
1  2  3  4  5  6  7  8  9    107

Tranzystory bipolarne

Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.

Tranzystor bipolarny – symbol

Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.

Działanie tranzystorów bipolarnych

W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.

Katalog tranzystorów bipolarnych

W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:

  • współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
  • mocą strat,
  • maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
  • maksymalnym prądem kolektora,
  • typem obudowy,
  • zakresem temperatury pracy.

Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.

Zapraszamy do współpracy!

Charakterystyki wyjściowe tranzystora bipolarnego

Charakterystyki wyjściowe tranzystora bipolarnego przedstawiają zależności prądu kolektora do napięcia kolektor-emiter przy stałej wartości prądu bazy. Dla różnych wartości prądu bazy otrzymuje się rodzinę charakterystyk, która pozwala zobrazować zachowanie tranzystora bipolarnego w różnych warunkach pracy. Na wykresie wyróżnia się m.in. obszar odcięcia, obszar nasycenia i obszar aktywny. Analiza charakterystyk wyjściowych pozwala ocenić sposób działania tranzystora i pomaga określić jego punkt pracy.

Tranzystor NPN

Tranzystor NPN to element półprzewodnikowy. Jest jednym z dwóch podstawowych rodzajów tranzystorów bipolarnych, obok tranzystora PNP, szeroko stosowanych w elektronice. Posiada 3 warstwy materiału półprzewodnikowego, tworząc strukturę N-P-N – od tego wywodzi się jego nazwa.

W tranzystorze NPN większościowymi nośnikami ładunku są elektrony, natomiast dziury pełnią funkcję nośników mniejszościowych. To właśnie przepływ obu rodzajów nośników odpowiada za określenie tranzystora jako bipolarnego. Taka struktura decyduje o sposobie przepływu prądu przez tranzystor.

Tranzystory NPN są wykorzystywane w wielu urządzeniach elektronicznych. Przede wszystkim są często stosowane jako wzmacniacze w układach audio. Tranzystory NPN znajdują zastosowanie m.in. w układach wzmacniających, przełączających oraz w różnych układach analogowych i elektronicznych układach scalonych. Tranzystory NPN odgrywają bardzo istotną rolę we współczesnym świecie. Bez ich udziału wiele urządzeń nie mogłoby funkcjonować w znanej nam formie.

Tranzystor bipolarny PNP

Tranzystor PNP jest jednym z dwóch podstawowych typów tranzystorów bipolarnych, obok tranzystora NPN. Odgrywa bardzo ważną rolę w licznych urządzeniach – zarówno w prostych obwodach, jak i zaawansowanych systemach komputerowych. Wyróżnia się unikalną budową. Tranzystor PNP ma strukturę P-N-P. W obszarach typu P większościowymi nośnikami są dziury, natomiast w obszarze typu N większościowymi nośnikami są elektrony. To właśnie ta struktura decyduje o sposobie działania tego tranzystora.

Tranzystor PNP wyróżnia się zdolnością do kontrolowania dużych prądów przy zastosowaniu niewielkich sygnałów. Dzięki temu jest wykorzystywany w układach wzmacniających. Ponadto potrafi szybko i precyzyjnie przełączać prądy, dlatego nie może go zabraknąć w nowoczesnych technologiach.

Tranzystor bipolarny – oznaczenia

Oznaczenia pozwalają w łatwy sposób rozpoznać typ tranzystora. Istotnym elementem symbolu graficznego jest strzałka umieszczona przy emiterze. Jej kierunek umożliwia sprawdzenie, czy dany element jest tranzystorem typu NPN, czy PNP. W tranzystorze NPN strzałka jest skierowana na zewnątrz, natomiast w PNP do wewnątrz.

W razie wątpliwości i problemu ze znalezieniem odpowiedniego tranzystora bipolarnego zapraszamy serdecznie do kontaktu. Dzięki bogatemu doświadczeniu jesteśmy w stanie doradzić, zapewnić fachową obsługę klienta i zagwarantować wsparcie na każdym etapie procesu zakupowego. Zależy nam na tym, aby każdy klient mógł sprawnie dobrać właściwe rozwiązanie.

Tranzystor bipolarny – zadania

Tranzystory bipolarne pełnią w układach elektronicznych różne funkcje. Najczęściej stosuje się je do wzmacniania sygnałów i przełączania obwodów. Wykorzystywane są do budowy wzmacniaczy, w tym w urządzeniach telekomunikacyjnych i sprzęcie medycznym. Warto wiedzieć, że wzmacniacze bazujące na tranzystorach bipolarnych wyróżniają się wyjątkową precyzją i wydajnością.

Tranzystory bipolarne są używane też jako elementy przełączające. Funkcjonując w trybie nasycenia i odcięcia, są w stanie przełączać stany ON i OFF, a to jest konieczne m.in. w komputerach i wielu innych sprzętach cyfrowych.

Tranzystor bipolarny – zastosowanie

Tranzystory bipolarne są wykorzystywane w licznych rozwiązaniach elektronicznych. Używane są m.in. w:

  • obwodach oscylatorów – generują one sygnały o określonej częstotliwości. Oscylatory są potrzebne w komunikacji bezprzewodowej, częściach systemów pomiarowych i sprzętach radarowych.
  • Stabilizatorach napięcia – w nich tranzystory odgrywają rolę elementów regulujących. Stabilizatory wykorzystujące tranzystory utrzymują napięcie na wyjściu na możliwie stałym poziomie, nawet jeśli zmienia się napięcie zasilające czy wartość obciążenia. Dzięki temu znajdują zastosowanie w zasilaczach komputerowych i układach zasilania awaryjnego.
  • Układach analogowych – w tych układach tranzystory bipolarne przetwarzają sygnały.
  • Układach cyfrowych – w nich tranzystory bipolarne służą do realizacji operacji logicznych i pamięci.

Warto również zaznaczyć, że tranzystory bipolarne mogą też pracować w układach modulatorów, filtrów aktywnych i demodulatorów, czyli układach stosowanych m.in. w technice radiowej. Wykorzystywane są również w układach przerzutników bistabilnych, monostabilnych i astabilnych. Pierwsze z nich stanowią układy zdolne do wychwytywania i zapamiętywania zmian na wejściach. Drugie, czyli monostabilne, wytwarzają impulsy o zadanej długości po pojedynczym pobudzeniu wejścia. Natomiast astabilne to generatory samoczynnie przełączające wyjścia między kolejnymi stanami z określoną częstotliwością.

Tranzystor bipolarny - wybrane produkty