Tranzystory bipolarne (wyszukane: 3234)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJD127 DPAK YFW
Tranzystor PNP; 1000; 1,75W; 100V; 3A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD127-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2320 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 1000 | 1,75W | 100V | 3A | 4MHz | TO252 (DPACK) | YFW | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 1000 | 1,75W | 100V | 3A | 4MHz | TO252 (DPACK) | YFW | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 1000 | 1,75W | 100V | 3A | 4MHz | TO252 (DPACK) | YFW | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC847C SOT23(T/R) RealChip
Tranzystor NPN; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847C-DIO; BC847C-CDI; BC847C-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5980 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 800 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | RealChip | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC857CWH6327XTSA1
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BC857CWH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 420 | 250mW | 45V | 100mA | 250MHz | SOT323 | INFINEON | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC807-25 SOT23 REALCHIP
Tranzystor PNP; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
17880 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 400 | 300mW | 45V | 500mA | 100MHz | SOT23 | RealChip | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC847A SOT23 RealChip
Tranzystor NPN; 220; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847ALT1G; BC847AMTF; BC847A RF; BC847A-TP; BC847AE6327HTSA1; BC847A SMD ONS;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2940 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 220 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | RealChip | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BCX54-16 SOT89 RealChip
Transistor NPN; Bipolar; 250; 5V; 1W; 45V; 1A; 100MHz; -65°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BCX54-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r |
Stan magazynowy:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/5000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC817DS TSOP06 REALCHIP
Tranzystor 2xNPN; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/12000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xNPN | 400 | 300mW | 45V | 500mA | 100MHz | TSOP06 | RealChip | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC847BS SOT-363 REALCHIP
Tranzystor 2xNPN; 630; 200mW; 45V; 100mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
2xNPN | 630 | 200mW | 45V | 100mA | 200MHz | SOT363 | RealChip | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
2N3904 TO92 RealChip
Tranzystor NPN; 400; 625mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N3904,412; 2N3904-BP; 2N3904BU; 2N3904G;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/5000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 400 | 625mW | 40V | 200mA | 300MHz | TO92 | RealChip | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BCP56-16 SOT223 YANGJIE
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 200 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 1,5W | 80V | 1A | 100MHz | SOT223 | Yangjie | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2030-07-20
Ilość szt.: 2500
|
||||||||||||||||||||||
|
BCX53-16 SOT89 HT SEMI
Tranzystor PNP; 250; 500mW; 80V; 1A; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX53-16-DIO; BCX5316E6327; BCX5316E6327HTSA1; BCX5316H6327XTSA1; BCX5316H6433XTMA1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/5000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 250 | 500mW | 80V | 1A | 50MHz | SOT89 | HT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
MMBT4401 SOT23 HT SEMI
Tranzystor NPN; Bipolar; 40V; 300mW; 60V; 600mA; 250MHz; -55°C~150°C; Odpowiednik: MMBT4401-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 300 | 300mW | 40V | 600mA | 250MHz | SOT23 | HT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC856A SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; Bipolar; 250; 65V; 5V; 100MHz; 100mA; 250mW; -55°C~150°C; ODPOWIEDNIK: BC856A-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 250 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | HT | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC337-40 TO92ammoformed LGE
Tranzystor NPN; 630; 625mW; 45V; 800mA; 210MHz; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: BC337.40; BC337-40-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 630 | 625mW | 45V | 800mA | 210MHz | TO92ammoformed | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
445 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 755 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 630 | 625mW | 45V | 800mA | 210MHz | TO92ammoformed | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
CDIL Symbol Producenta: BC337.40 Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Magazyn zewnętrzny:
12500 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
NPN | 630 | 625mW | 45V | 800mA | 210MHz | TO92ammoformed | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
DTC143ECA SOT23 LGE
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR Odpowiednik: DTC143ECA-YAN; DTC143ECA-LGE; DTC143ECAHZGT116;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
LGE Symbol Producenta: DTC143ECA RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
TIP42C TO220 MOT
Tranzystor PNP; 75; 65W, 100V; 6A; 3MHz, -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 75 | 65W | 100V | 6A | 3MHz | TO220 | MOT | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC817-16 SOT23 MOT
Tranzystor NPN; 250; 310mW; 45V; 800mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
YFW13003B TO92 YFW
Tranzystor NPN; 40; 900mW, 400V; 500mA; 8MHz, -55°C ~ 150°C; Podobny do: MPSA44; MPSA44-LGE; KSP44BU; LP395Z/NOPB; MPSA44BL;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 40 | 900mW | 400V | 500mA | 8MHz | TO92 | YFW | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
FMMT593 SOT23 YFW
Tranzystor PNP; 300; 250mW, 100V; 1A; 50MHz, -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 300 | 250mW | 100V | 1A | 50MHz | SOT23 | YFW | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BCX52 SOT89 RealChip
Tranzystor PNP; 250; 1,3W; 60V; 1A; 50MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 250 | 1,3W | 60V | 1A | 50MHz | SOT89 | RealChip | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC857B SOT23 REALCHIP
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
27000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 475 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | RealChip | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC857C SOT23 RealChip
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857C,215; BC857C,235; BC857CE6327HTSA1; BC857C-7-F; BC857C SMD;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 800 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | RealChip | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
PDTC143ZT SOT23 TECH PUBLIC
Tranzystor NPN; 80; 200mW, 50V; 100mA; 250MHz, -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: PDTC143ZT RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 80 | 200mW | 50V | 100mA | 250MHz | SOT23-3 | TECH PUBLIC | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
TIP35C TO-247S MOT
Tranzystor NPN; 50; 125W; 100V; 25A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT- Symbol Producenta: TIP35C RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT- Symbol Producenta: TIP35C RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC846B SOT23(T/R) MOT
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846B,215; BC846B,235; BC846B.215; BC846B.235; BC846B SMD NXP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT- Symbol Producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
FMMT593 SOT-23(T/R) FUXIN
Tranzystor PNP; 300; 250mW; 100V; 1A; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FMMT593TA; FMMT593TC;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 300 | 250mW | 100V | 1A | 50MHz | SOT23 | FUXIN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
MMBT4401 SOT-23(T/R) FUXIN
Tranzystor NPN; 300; 300mW, 40V; 600mA; 250MHz, -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 300 | 300mW | 40V | 600mA | 250MHz | SOT23 | FUXIN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC548C TO92(bulk) FUXIN
Tranzystor NPN; 600; 625mW; 30V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 600 | 625mW | 30V | 100mA | 150MHz | TO92 | FUXIN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BD140-16 TO126 FUXIN
Tranzystor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD14016S; BD14016STU; BD140-16-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 250 | 1,25W | 80V | 1,5A | TO126 | FUXIN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
|
MPSA42 TO-92 REALCHIP
Tranzystor NPN; 40; 625mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: MPSA42 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!
Wybrane produkty
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 30
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 40
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 50
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 60
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 70
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 100
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 250
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 300
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 400
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 450
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 475
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 600
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 800
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 1000