Tranzystory bipolarne (wyszukane: 3221)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC856A SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; Bipolar; 250; 65V; 5V; 100MHz; 100mA; 250mW; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 250 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | HT | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
MPSA42 TO-92 REALCHIP
Tranzystor NPN; 40; 625mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: MPSA42 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC857A SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; 250; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 250 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | HT | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
FMMT593 SOT23 HT SEMI
PNP 1A 100V 500mW 50MHz podobny do: FMMT593TA; FMMT593TC;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: FMMT593 RoHS 593 Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC856C SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; 600; 300mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 600 | 300mW | 45V | 100mA | SOT23 | HT | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||
|
BC856B SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 475 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | HT | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC858C SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 800 | 200mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | HT | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC337-40 TO92ammoformed LGE
Tranzystor NPN; 630; 625mW; 45V; 800mA; 210MHz; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: BC337.40; BC337-40-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
605 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 755 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 630 | 625mW | 45V | 800mA | 210MHz | TO92ammoformed | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 630 | 625mW | 45V | 800mA | 210MHz | TO92ammoformed | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC857CWH6327XTSA1
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BC857CWH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 420 | 250mW | 45V | 100mA | 250MHz | SOT323 | INFINEON | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BCP69 SOT223 RealChip
Tranzystor PNP; 375; 1,35W; 20V; 2A; 140MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BCP69 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC847C SOT23(T/R) RealChip
Tranzystor NPN; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847C-DIO; BC847C-CDI; BC847C-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC847C RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
MPSA44 TO92 RealChip
Tranzystor NPN; 200; 625mW; 400V; 300mA; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: MPSA44 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC817DS TSOP06 REALCHIP
Tranzystor NPN; 400; 600mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC817DS RoHS Obudowa dokładna: TSOP06 t/r |
Stan magazynowy:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/12000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC847BS SOT-363 REALCHIP
Tranzystor 2xNPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 125°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC847BS RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BC846B SOT23 REALCHIP
Tranzystor NPN; 450; 300mW; 65V; 100mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846B,215; BC846B,235; BC846BLT1G; BC846BLT3G; BC846B RFG; BC846B-7-F; BC846B-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
24000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/45000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
TIP35C TO-247S MOT
Tranzystor NPN; 50; 125W; 100V; 25A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT- Symbol Producenta: TIP35C RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT- Symbol Producenta: TIP35C RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC846B SOT23(T/R) MOT
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846B,215; BC846B,235; BC846B.215; BC846B.235; BC846B SMD NXP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT- Symbol Producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
PDTC143ZT SOT23 TECH PUBLIC
Tranzystor NPN; 80; 200mW, 50V; 100mA; 250MHz, -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: PDTC143ZT RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 80 | 200mW | 50V | 100mA | 250MHz | SOT23-3 | TECH PUBLIC | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC856A SOT23 MOT
Tranzystor PNP; 250; 200mW, 65V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856A,215; BC856ALT1G; BC856ALT3G; BC856A-E6327; BC856A RFG; BC856A-7-F; BC856A-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 250 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MOT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC858C SOT-23 MOT
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC858CLT1G; BC858CLT3G; BC858CE6327HTSA1; BC858CE6433HTMA1; BC858C RFG; BC858C-7-F; BC858C-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 800 | 200mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MOT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC856C SOT-23 MOT
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 600 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MOT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC857A SOT-23 MOT
Tranzystor PNP; 250; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857A,215; BC857ALT1G; BC857AE6327HTSA1; BC857A RFG; BC857A-7-F; BC857A-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5480 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 250 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MOT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC856B SOT-23 MOT
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856B,215; BC856B,235; BC856BLT1G; BC856BLT3G; BC856B RFG; BC856B-7-F; BC856B-13-F; BC856B-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 475 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MOT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC858A SOT-23 MOT
Tranzystor PNP; 250; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC858ALT1G; BC858AE6327HTSA1; BC858A RFG; BC858A-7-F; BC858A-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 250 | 200mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | MOT | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
MMBT4401 SOT23 REALCHIP
Tranzystor NPN; Bipolar; 40V; 300mW; 60V; 600mA; 250MHz; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: MMBT4401 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
TIP41C TO220 REALCHIP
Tranzystor NPN; 2W; 100V; 6A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TIP41C-TU; TIP41C-ST; TIP41CTU; TIP41C-BP; TIP41CG; TIP41C-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
490 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250/500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 75 | 2W | 100V | 6A | 3MHz | TO220 | RealChip | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
YFW6G03S SOP-8 YFW
Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ; Odpowiednik: IRF7319TRPBF; IRF7319PBF; IRF7319PBF-GURT; IRF7319 SMD;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2695 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2695 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC807-25 SOT23 REALCHIP
Tranzystor PNP; 400; 310mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC807-25 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
18000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BC857C SOT23 RealChip
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857C,215; BC857C,235; BC857CE6327HTSA1; BC857C-7-F; BC857C SMD;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC857C RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BC857BS SOT363 RealChip
Tranzystor 2xPNP; 450; 300mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857BS,115; BC857BS,135; BC857BS-7-F; BC857BS-13-F;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC857BS RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!
Wybrane produkty
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 30
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 40
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 50
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 60
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 70
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 100
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 250
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 300
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 400
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 450
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 475
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 600
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 800
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 1000