Tranzystory IGBT (wyszukane: 172)

1  2  3  4  5  6    
Produkt Koszyk
Napięcie kolektor-emiter
Napięcie bramka-emiter
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Maksymalna moc rozpraszana
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Ładunek bramki
Obudowa
Montaż
Producent
Temperatura pracy (zakres)
15T65SD JUXING Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 30A; 60A; 37,5W; 4,5V~6,5V; 21,1nC; -40°C~175°C;
15T65SD RoHS || 15T65SD JUXING TO220iso
Producent:
JUXING
Symbol Producenta:
15T65SD RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,8100 3,5300 2,8300 2,4300 2,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
650V 20V 30A 60A 37,5W 4,5V ~ 6,5V 21,1nC TO220iso THT JUXING -40°C ~ 175°C
BGN40Q120SD BYD Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 428W; 5,0V~7,0V; 142nC; -40°C~175°C;
BGN40Q120 RoHS || BGN40Q120SD BYD TO247
Producent:
BYD
Symbol Producenta:
BGN40Q120 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 14,2900 12,6900 11,7400 11,2600 10,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 80A 160A 428W 5,0V ~ 7,0V 142nC TO247 THT BYD -40°C ~ 175°C
DGF30F65M2 DONGHAI Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 60A; 180A; 60W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
DGF30F65M2 RoHS || DGF30F65M2 DONGHAI TO220iso
Producent:
WXDH
Symbol Producenta:
DGF30F65M2 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,3000 3,7100 2,9700 2,8800 2,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
650V 30V 60A 180A 60W 5,0V ~ 7,0V 48nC TO220iso THT Donghai -45°C ~ 175°C
DHG20T65D DONGHAI Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 40A; 60A; 96W; 4,5V~7,0V; 59nC; -55°C~150°C;
DHG20T65D RoHS || DHG20T65D DONGHAI TO220iso
Producent:
WXDH
Symbol Producenta:
DHG20T65D RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,8100 3,2000 2,4700 2,3900 2,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
650V 20V 40A 60A 96W 4,5V ~ 7,0V 59nC TO220iso THT Donghai -55°C ~ 150°C
DGN30F65M2 DONGHAI Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 60A; 180A; 230W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
DGN30F65M2 RoHS || DGN30F65M2 DONGHAI TO 3PN
Producent:
WXDH
Symbol Producenta:
DGN30F65M2 RoHS
Obudowa dokładna:
TO 3PN
karta katalogowa
Stan magazynowy:
60 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 60+ 300+
cena netto (PLN) 6,4400 4,5000 3,7000 3,5600 3,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/60
Ilość (wielokrotność 1)
650V 30V 60A 180A 230W 5,0V ~ 7,0V 48nC TO 3PN THT Donghai -45°C ~ 175°C
SL15T120FL SLKOR Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 30A; 40A; 125W; 4,5V~6,5V; 70nC; -55°C~150°C;
SL15T120FL RoHS || SL15T120FL SLKOR TO247
Producent:
SLKOR
Symbol Producenta:
SL15T120FL RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 7,5000 5,5600 4,7400 4,4700 4,4100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 30V 30A 40A 125W 4,5V ~ 6,5V 70nC TO247 THT SLKOR -55°C ~ 150°C
SL25T120FL SLKOR Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 60A; 350W; 4,5V~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
SL25T120FL RoHS || SL25T120FL SLKOR TO247
Producent:
SLKOR
Symbol Producenta:
SL25T120FL RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 9,9300 7,8800 6,9900 6,6900 6,6200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 50A 60A 350W 4,5V ~ 6,5V 120nC TO247 THT SLKOR -55°C ~ 150°C
SL40T120FL SLKOR Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 718W; 4,5V~6,5V; 165nC; -55°C~175°C;
SL40T120FL RoHS || SL40T120FL SLKOR TO247
Producent:
SLKOR
Symbol Producenta:
SL40T120FL RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 12,1000 9,9700 9,0700 8,7300 8,6400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 80A 160A 718W 4,5V ~ 6,5V 165nC TO247 THT SLKOR -55°C ~ 175°C
SL40T65FL SLKOR Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 80A; 160A; 375W; 4,0V~6,0V; 219nC; -40°C~175°C;
SL40T65FL RoHS || SL40T65FL SLKOR TO247
Producent:
SLKOR
Symbol Producenta:
SL40T65FL RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 9,0600 7,1900 6,3800 6,1000 6,0400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
650V 20V 80A 160A 375W 4,0V ~ 6,0V 219nC TO247 THT SLKOR -40°C ~ 175°C
IM393M6FXKLA1 IPM IGBT; 600V; 5V; 10A; 15A; 20W; 13,5~16,5V; -40°C~125°C; IM393M6FXKLA1
IM393M6FXKLA1 RoHS || IM393M6FXKLA1 SIP22
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IM393M6FXKLA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SIP22
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1 szt.
Ilość szt. 1+ 2+ 4+ 10+ 30+
cena netto (PLN) 44,2600 39,5300 36,1700 33,1600 30,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2
Ilość (wielokrotność 1)
600V 5V 10A 15A 20W 13,5V ~ 16,5V SIP22 THT Infineon Technologies -40°C ~ 125°C
AOT10B60D Tranzystor IGBT; 600V; 20V; 10A; 40A; 163W; 5,6V; 17,4nC; -55°C~175°C;
AOT10B60D RoHS || AOT10B60D TO220
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AOT10B60D RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
13 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,7800 4,4100 3,6500 3,2000 3,0400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 10A 40A 163W 5,6V 17,4nC TO220 THT ALPHA&OMEGA -55°C ~ 175°C
AOT15B60D Tranzystor IGBT; 600V; 20V; 30A; 60A; 167W; 5,6V; 25,4nC; -55°C~175°C;
AOT15B60D RoHS || AOT15B60D TO220
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AOT15B60D RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 7,4800 5,9700 5,1100 4,5900 4,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 30A 60A 167W 5,6V 25,4nC TO220 THT ALPHA&OMEGA -55°C ~ 175°C
FGA60N60UFDTU Trans IGBT ; 600V; 20V; 120A; 180A; 298W; 4,0~6,5V; 188nC; -55°C~150°C; OBSOLETE
FGA60N60UFDTU RoHS || FGA60N60UFDTU TO 3P
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGA60N60UFDTU RoHS
Obudowa dokładna:
TO 3P
 
Stan magazynowy:
2 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 27,9400 25,7300 24,3800 23,7000 23,2800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 120A 180A 298W 4,0V ~ 6,5V 188nC TO-3P THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
FGA60N65SMD Trans IGBT ; 650V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C;
FGA60N65SMD RoHS || FGA60N65SMD || FGA60N65SMD TO 3P
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGA60N65SMD RoHS
Obudowa dokładna:
TO 3P
 
Stan magazynowy:
144 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 150+
cena netto (PLN) 17,1300 15,2700 14,1500 13,5900 13,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/150
Ilość (wielokrotność 1)
650V 20V 120A 180A 600W 3,5V ~ 6,0V 284nC TO 3P THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGA60N65SMD
Obudowa dokładna:
TO 3P
 
Magazyn zewnetrzny:
2643 szt.
Ilość szt. 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 13,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
650V 20V 120A 180A 600W 3,5V ~ 6,0V 284nC TO 3P THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 Trans IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 165W; 4,0~6,5V; 65nC; -55°C~150°C;
FGH20N60SFDTU RoHS || FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH20N60SFDTU RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
32 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 14,7600 13,1100 12,1200 11,6300 11,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 40A 60A 165W 4,0V ~ 6,5V 65nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
FGH40N60SMD Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 349W; 3,5~6,0V; 119nC; -55°C~175°C; Odpowiednik: FGH40N60SMD-F085 AUTOMOTIVE; FGH40N60SMD_F085;
FGH40N60SMD RoHS || FGH40N60SMD-F085 || FGH40N60SMD || FGH40N60SMD TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH40N60SMD RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 14,1700 12,5900 11,6400 11,1700 10,9000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 80A 120A 349W 3,5V ~ 6,0V 119nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH40N60SMD-F085
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
210 szt.
Ilość szt. 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 15,0223
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
600V 20V 80A 120A 349W 3,5V ~ 6,0V 119nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH40N60SMD
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
210 szt.
Ilość szt. 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,9000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
600V 20V 80A 120A 349W 3,5V ~ 6,0V 119nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
FGH40N65UFDTU Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
FGH40N65UFDTU RoHS || FGH40N65UFDTU TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH40N65UFDTU RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 60+
cena netto (PLN) 33,0200 30,9500 29,6500 28,9800 28,7100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/60
Ilość (wielokrotność 1)
650V 20V 80A 120A 290W 4,0V ~ 6,5V 120nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
HGTG11N120CND Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;
HGTG11N120CND RoHS || HGTG11N120CND TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HGTG11N120CND RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
8 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 17,4100 15,4700 14,3000 13,7200 13,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 43A 80A 298W 6,0V ~ 6,8V 150nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
HGTG12N60A4D Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;
HGTG12N60A4D RoHS || HGTG12N60A4D TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HGTG12N60A4D RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 9+ 30+ 93+
cena netto (PLN) 27,1800 23,0500 20,6900 19,2400 18,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 54A 96A 167W 5,6V 120nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HGTG12N60A4D RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 22,1900 20,4300 19,3500 18,8000 18,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 54A 96A 167W 5,6V 120nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
IHW30N160R5XKSA1 Trans IGBT ; 1600V; 20V; 60A; 90A; 263W; 4,5V~5,8V; 205nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IHW30N160R5XKSA1; IHW30N160R5;
IHW30N160R5XKSA1 RoHS || IHW30N160R5XKSA1 || IHW30N160R5XKSA1 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IHW30N160R5XKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
16 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 14,8200 13,1700 12,1700 11,6800 11,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1600V 20V 60A 90A 263W 4,5V ~ 5,8V 205nC TO247 THT Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IHW30N160R5XKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
59910 szt.
Ilość szt. 240+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 11,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
240
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
1600V 20V 60A 90A 263W 4,5V ~ 5,8V 205nC TO247 THT Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IHW30N160R5XKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
594 szt.
Ilość szt. 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 11,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
1600V 20V 60A 90A 263W 4,5V ~ 5,8V 205nC TO247 THT Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IHW30N160R5XKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
73 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 12,3235
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
1600V 20V 60A 90A 263W 4,5V ~ 5,8V 205nC TO247 THT Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
HGTG40N60A4 Trans IGBT ; 600V; 20V; 75A; 300A; 625W; 4,5V~7,0V; 520nC; -55°C~150°C;
HGTG40N60A4 RoHS || HGTG40N60A4 TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HGTG40N60A4 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
19 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 45,7000 39,2700 35,2600 33,1700 31,9600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 75A 300A 625W 4,5V ~ 7,0V 520nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
HGTP20N60A4 Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;
HGTP20N60A4 RoHS || HGTP20N60A4 TO220
Producent:
Fairchild
Symbol Producenta:
HGTP20N60A4 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 12,3100 10,6400 9,6500 9,0300 8,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 70A 280A 290W 4,5V ~ 7,0V 210nC TO220 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
IGP30N60H3 Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGP30N60H3XKSA1;
IGP30N60H3 RoHS || IGP30N60H3XKSA1 || IGP30N60H3 TO220
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGP30N60H3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
8 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 12,6900 10,5500 9,2900 8,4900 8,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 60A 120A 187W 4,1V ~ 5,7V 165nC TO220 THT Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGP30N60H3XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
100 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 8,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
600V 20V 60A 120A 187W 4,1V ~ 5,7V 165nC TO220 THT Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IGW60T120FKSA1 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 150A; 375W; 5,0V~6,5V; 280nC; -40°C~150°C; Odpowiednik: IGW60T120FKSA1; IGW60T120;
IGW60T120FKSA1 RoHS || IGW60T120FKSA1 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGW60T120FKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 26,8700 24,7400 23,4300 22,7700 22,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 100A 150A 375W 5,0V ~ 6,5V 280nC TO247 THT Infineon Technologies -40°C ~ 150°C
IGW75N60T Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1
IGW75N60TFKSA1 RoHS || IGW75N60T TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGW75N60TFKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
35 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 25,9100 21,7900 19,3200 18,0800 17,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 150A 225A 428W 4,1V ~ 5,7V 470nC TO247 THT Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IHW20N135R3 Tranzystor IGBT ; 1350V; 20V; 40A; 60A; 310W; 5,1V~6,4V; 195nC; -40°C~175°C; IHW20N135R3FKSA1
IHW20N135R3 RoHS || IHW20N135R3 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IHW20N135R3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 13,9900 12,0200 10,8700 10,3000 9,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1350V 20V 40A 60A 310W 5,1V ~ 6,4V 195nC TO247 THT Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IKD06N60RF Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKD06N60RFAATMA1;
IKD06N60RF RoHS || IKD06N60RF TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKD06N60RF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
26 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,0800 3,7300 2,9900 2,5700 2,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 12A 18A 100W 4,3V ~ 5,7V 48nC TO252 (DPAK) SMD Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IKW15N120H3FKSA1 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3;
IKW15N120H3FKSA1 RoHS || IKW15N120H3 RoHS || IKW15N120H3FKSA1 || IKW15N120H3FKSA1 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW15N120H3FKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 16,2100 13,9400 13,0500 12,5800 12,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 30A 60A 217W 5,0V ~ 6,5V 75nC TO247 THT Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW15N120H3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 16,2100 13,9400 13,0500 12,5800 12,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 30A 60A 217W 5,0V ~ 6,5V 75nC TO247 THT Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW15N120H3FKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
92 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 15,5510
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
1200V 20V 30A 60A 217W 5,0V ~ 6,5V 75nC TO247 THT Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IKW40T120 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 75A; 105A; 270W; 5,0V~6,5V; 203nC; -40°C~150°C; Odpowiednik: IKW40T120FKSA1;
IKW40T120FKSA1 RoHS || IKW40T120 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW40T120FKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 35,5400 30,1400 26,8300 25,1400 24,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 75A 105A 270W 5,0V ~ 6,5V 203nC TO247 THT Infineon Technologies -40°C ~ 150°C
IRG4BC20FD Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 16A; 64A; 60W; 3,0V~6,0V; 40nC; -55°C~150°C; IRG4BC20FDPBF;
IRG4BC20FDPBF RoHS || IRG4BC20FD TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4BC20FDPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 14,0800 12,5200 11,5800 11,1100 10,8300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 16A 64A 60W 3,0V ~ 6,0V 40nC TO220 THT International Rectifier -55°C ~ 150°C
1  2  3  4  5  6    

Tranzystory IGBT

W naszej ofercie znajdziesz wiele typów tranzystorów, w tym również te, określane skrótem IGBT. Tranzystory te są odmianą modeli bipolarnych o specjalnej konstrukcji, a mianowicie, posiadają izolowaną bramkę. W końcu rozwinięcie skrótu IGBT to – Insulated Gate Bipolar Transistor. Można uznać, że tranzystory IGBT są połączeniem tranzystorów MOSFET (wejście) i tranzystorów bipolarnych (wyjście). Co ciekawe, w przypadku wielu aplikacji tranzystor IGBT będzie tańszą alternatywą dla tradycyjnych modeli, ponieważ ma niższe napięcie w stanie załączenia. Jest tak choćby w porównaniu do tranzystorów MOSFET o podobnych zakresach napięć oraz analogicznych rozmiarach.

Co wyróżnia tranzystory typu IGBT?

Tranzystory IGBT wyróżniają się prądem o charakterze bipolarnym, który jest związany z przepływem dziur i elektronów. Wstrzykiwanie nośników dziurowych z obszaru p+ do n- znacząco zmniejsza efektywną rezystancję w obszarze dryftu. Dzięki temu zwiększona zostaje przewodność, co z kolei powoduje zmniejszenie wartości napięcia kolektor-emiter w stanie przewodzenia. Czynnik ten jest uznawany za główną zaletę tranzystorów IGBT, kiedy porówna się je do tradycyjnych tranzystorów typu MOSFET. Warto jednak mieć świadomość, że tranzystor mocy IGBT posiada niższe napięcie, które zostało uzyskane kosztem ograniczenia szybkości przełączania, ze szczególnym naciskiem na prędkość wyłączania. 

Mocne i słabe strony tranzystora IGBT

Tranzystor IGBT doskonale sprawdzi się podczas pracy z większymi napięciami. Jednocześnie jednak należy mieć świadomość, że tranzystory IGBT nie nadają się raczej do łączenia ich w sposób równoległy. Urządzenia z tej kategorii, które znajdziesz w naszej ofercie, znajdują zastosowanie przede wszystkim w przemiennikach częstotliwości o mocach wynoszących nawet do kilkuset watów. Decydując się na wykorzystanie tranzystora IGBT, będziesz w stanie ograniczyć straty energii nawet do 60%. Ponadto uzyskasz szerszy zakres regulacji urządzeń oraz lepsze parametry. Jeżeli nie jesteś pewien, jakie tranzystory IGBT najlepiej sprawdzą się w przypadku Twoich urządzeń i projektów, skontaktuj się z naszymi pracownikami, którzy pomogą Ci w wyborze konkretnego modelu. Posiadamy też szereg innych tranzystorów – https://www.micros.com.pl/tranzystory/. Zachęcamy do zapoznania się z pełną ofertą. 

IGBT - tranzystory dostępne w naszej ofercie?

W naszym sklepie znajdziesz różne modele tranzystorów IGBT od wiodących producentów. Poszczególne modele tych urządzeń mogą się różnić między innymi:

  • napięciem kolektor-emiter,
  • napięciem bramka-emiter,
  • maksymalnym prądem kolektora,
  • maksymalnym prądem kolektora w impulsie,
  • maksymalną mocą rozpraszania,
  • napięciem przewodzenia,
  • ładunkiem bramki,
  • obudową,
  • marką,
  • zakresem temperatur, w których mogą pracować.

Każdy określany skrótem IGBT tranzystor dostępny w naszej ofercie jest urządzeniem najwyższej jakości, które zostało zaprojektowane i stworzone z dbałością o szczegóły. Dzięki temu, decydując się na zakupy w naszym sklepie, możesz być pewny, że otrzymane tranzystory będą prawidłowo pełniły swoją funkcję