Tranzystory polowe (wyszukane: 3059)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF9520N
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,8A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 480mOhm | 6,8A | 48W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF9520NS
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,8A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520NSPBF; IRF9520NSTRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 480mOhm | 6,8A | 48W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF9520S smd
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 6,8A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520SPBF; IRF9520STRPBF; IRF9520STRLPBF; IRF9520STRRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9520SPBF RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 600mOhm | 6,8A | 60W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
IRF9530NPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9530PBF; IRF9530PBF-BE3; IRF9530NPBF; SP001570634;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
55 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 13A | 40W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | MOSLEADER | |||||||||||||
IRF9530S smd
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 12A; 88W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9530SPBF; IRF9530STRLPBF; IRF9530STRRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9530S RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
144 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 300mOhm | 12A | 88W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9530SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
679 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 300mOhm | 12A | 88W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
IRF9540NPBF JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 20A; 58W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9540PBF; IRF9540NPBF; SP001560174;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: IRF9540NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
195 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 110mOhm | 20A | 58W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
IRF9540 SLKOR
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 20A; 58W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9540PBF; IRF9540NPBF; SP001560174;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
35 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 110mOhm | 20A | 58W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | SLKOR | |||||||||||||
IRF9540NLPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 117mOhm; 23A; 110W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 110W | THT | -55°C ~ 150°C | TO262 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF9630PBF JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 420mOhm; 10A; 78W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9630PBF; IRF9630PBF-BE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: IRF9630PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 420mOhm | 10A | 78W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
IRF9640PBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 500mOhm; 11A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9640PBF; IRF9640;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRF9640 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
170 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/350 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 500mOhm | 11A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9640 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 500mOhm | 11A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-12-20
Ilość szt.: 250
|
|||||||||||||||||||||||
IRF9640S
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 500mOhm; 11A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9640SPBF; IRF9640STRLPBF; IRF9640STRRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9640S RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 500mOhm | 11A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
IRF9910
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 20V; 18,3mOhm/11,3mOhm; 10A/12A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9910PBF; IRF9910TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
97 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 20V | 18,3mOhm | 12A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF9910TRPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 4,3Ohm; 10A; 2,7W; -55°C~150°C; IRF9910TRPBF-VB; VBsemi: VBA3211;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 1,3Ohm | 10A | 2,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VBS | |||||||||||||
IRF9953
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 30V | 20V | 400mOhm | 2,3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF9956TR UMW
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9956PBF; IRF9956TRPBF; SP001565670; SP001565688;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
140 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 200mOhm | 3,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
IRF9956 smd
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9956TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 200mOhm | 3,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF9Z24PBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 11A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z24;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9Z24 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 280mOhm | 11A | 60W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9Z24PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 280mOhm | 11A | 60W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRF9Z24NPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 85mOhm; 20A; 90W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9Z24PBF; IRF9Z24PBF-BE3; IRF9Z24NPBF; SP001555934;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 85mOhm | 20A | 90W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | MOSLEADER | |||||||||||||
IRF9Z24NS
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 175mOhm; 12A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z24NSPBF; IRF9Z24NSTRLPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 175mOhm | 12A | 45W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
IRF9Z34
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 140mOhm; 18A; 88W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z34PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9Z34 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 140mOhm | 18A | 88W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRF9Z34NPBF JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 20W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9Z34PBF; IRF9Z34NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
93 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 102mOhm | 20A | 20W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
IRF9Z34N UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 102mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z34PBF; IRF9Z34NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 100mOhm | 19A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRFB4110PBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 5mOhm; 180A; 240W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110PBF; IRFB4110GPBF; SP001570598; SP001556050;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: IRFB4110PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 25V | 5mOhm | 180A | 240W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
IRFB4110PBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5mOhm; 129A; 185W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110PBF; IRFB4110GPBF; SP001570598; SP001556050;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
96 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 5mOhm | 129A | 185W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | MOSLEADER | |||||||||||||
IRFB4110 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110PBF; IRFB4110GPBF; SP001570598; SP001556050;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
94 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 4,5mOhm | 180A | 370W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | UMW | |||||||||||||
IRFB4310
N-MOSFET; 100V; 20V; 7mOhm; 140A; 330W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4310PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
24 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 7mOhm | 140A | 330W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4310PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 7mOhm | 140A | 330W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFB5620
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 72,5mOhm; 25A; 144W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB5620PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 72,5mOhm | 25A | 144W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB5620PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
7284 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 72,5mOhm | 25A | 144W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRFB59N10D
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 30V; 25mOhm; 59A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB59N10DPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB59N10D RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 30V | 25mOhm | 59A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFB9N65A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 930mOhm; 8,5A; 167W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFB9N65APBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 930mOhm | 8,5A | 167W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRFB9N65A Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
8 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 930mOhm | 8,5A | 167W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRFBC20
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 4,4Ohm; 2,2A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBC20PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/350 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 20V | 4,4Ohm | 2,2A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon (IRF) |