Tranzystory polowe (wyszukane: 6967)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS84 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
|
BSS84
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1294 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/12000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 17Ohm | 130mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BSS84LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 17Ohm | 130mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BSS84LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
179800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
P-MOSFET | 50V | 20V | 17Ohm | 130mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BSS84 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
1273978 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
P-MOSFET | 50V | 20V | 17Ohm | 130mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BSS84LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
2169000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
P-MOSFET | 50V | 20V | 17Ohm | 130mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
BSS84-7-F
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84-7-F; BSS84-13-F;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
762 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84-7-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
P-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
|
BSS84
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84-F2-0000HF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 9,9Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
900 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 9,9Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | |||||||||||||
|
BSS8402DW
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 60V/50V; 60V/50V; 20V; 13,5Ohm/10Ohm; 115mA/130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 130mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | DIODES | ||||||||||||
|
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 130mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | DIODES | ||||||||||||
|
LBSS8402DW1T1G SC88 LRC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 380mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: LBSS8402DW1T3G;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
445 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 380mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | LRC | |||||||||||||
|
BSS84AKS NXP
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 160mA; 320mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AKS,115;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
400 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 50V | 20V | 13,5Ohm | 160mA | 320mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AKS,115 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
2xP-MOSFET | 50V | 20V | 13,5Ohm | 160mA | 320mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | |||||||||||||
|
BSS84AKW,115
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 150mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AKW.115; BSS84AKW,115; BSS84AKW;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3600 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 13,5Ohm | 150mA | 310mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84AKW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
75000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
P-MOSFET | 50V | 20V | 13,5Ohm | 150mA | 310mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
|
BSS84DW-7-F Diodes
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2600 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2600 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | DIODES | ||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3380 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | DIODES | ||||||||||||
|
LBSS84DW1T1G SC-88 LRC
Tranzystor 2xP-MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 380mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84DW-7-F;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 380mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | LRC | |||||||||||||
|
BSS84PH6327XTSA2
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12Ohm; 170mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84P-E6327; BSS84P-H6327(Halogen free); BSS84P-L6327(Pb-free); BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH7894XTMA1; BSS84PH6433; BSS84P;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
34301 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
240000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
155000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS84P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84E (60V); BSS84 (50V); Zamiennik za BSS84PH6327XTSA2;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
216 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 216 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 10V | 20V | 10mOhm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | AnBon | ||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1684 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2784 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 10V | 20V | 10mOhm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | AnBon | ||||||||||||
|
BSS84PWH Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12Ohm; 150mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84PWH6327XTSA1; BSS84PWH6327; SP000917564;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
15730 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 150mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 150mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
243000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 150mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
2679000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 150mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
12100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 150mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS84W-7-F
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | ||||||||||||
|
BSS84W
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84W-F2-0000HF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2165 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 9,9Ohm | 170mA | 150mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | |||||||||||||
|
BSS87
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 7Ohm; 700mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS87,115;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
17 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 770 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 7Ohm | 700mA | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | NXP | |||||||||||||
|
BSS87H6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 7,5Ohm; 260mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS87H6327FTSA1; BSS87H6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
237 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 240V | 20V | 7,5Ohm | 260mA | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS87H6327FTSA1 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnętrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 240V | 20V | 7,5Ohm | 260mA | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS87H6327FTSA1 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 240V | 20V | 7,5Ohm | 260mA | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BST82
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 23Ohm; 190mA; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BST82.215; BST82,235;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BST82 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
308 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 23Ohm | 190mA | 830mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BST82,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 23Ohm | 190mA | 830mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BST82,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 23Ohm | 190mA | 830mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
|
BUK6D120-60PX
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; +/-20V; 120mOhm; 8A; 15W; -55°C~175°C; Odpowiednik: BUK6D120-60PX; BUK6D120-60PZ;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
19 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 120mOhm | 8A | 15W | SMD | -55°C ~ 175°C | DFN06 | NXP | |||||||||||||
|
BUK7K15-80EX
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 80V; 80V; 20V; 38mOhm; 23A; 68W; -55°C ~ 175°C; BUK7K15-80EX
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
11 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 21 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 80V | 80V | 20V | 38mOhm | 23A | 68W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK | NXP | ||||||||||||
|
BUK7M12-60EX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 27mOhm; 53A; 75W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 27mOhm | 53A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
|
BUK7M15-60EX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 34mOhm; 43A; 62W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 34mOhm | 43A | 62W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
|
BUK7M27-80EX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 80V; 20V; 68mOhm; 30A; 62W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 80V | 80V | 20V | 68mOhm | 30A | 62W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
|
BUK7M33-60EX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 74mOhm; 24A; 44W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 74mOhm | 24A | 44W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
|
BUK7M3R3-40H
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 7,2mOhm; 80A; 101W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BUK7M3R3-40HX;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 7,2mOhm | 80A | 101W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | |||||||||||||
|
BUK7M67-60EX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 150mOhm; 14A; 31W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 150mOhm | 14A | 31W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
|
BUK7M6R3-40EX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 40V; 20V; 12,5mOhm; 70A; 79W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 40V | 20V | 12,5mOhm | 70A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
|
BUK7V4R2-40HX
Tranzystor Dual N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,2mOhm; 98A; 85W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5/10 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 40V | 20V | 4,2mOhm | 98A | 85W | SMD | -55°C ~ 150°C | LFPAK56D | NXP | |||||||||||||
|
BUK96180-100A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 15V; 450mOhm; 11A; 54W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BUK96180-100A,118;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
87 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 15V | 450mOhm | 11A | 54W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | NXP | ||||||||||||
|
BUK9M15-60EX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 10V; 34mOhm; 47A; 75W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 10V | 34mOhm | 47A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||