Tranzystory polowe (wyszukane: 6967)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS138PW,115
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
18000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 320mA | 310mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS138PW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
1572000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 320mA | 310mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
|
BSS138W LMSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138PW,115; BSS138W; BSS138W E6327; BSS138W E6433; BSS138W L6327; BSS138W L6433; BSS138WH6327XTSA1; BSS138WH6433XTMA1; BSS138W-7-F; BSS138W-TP; BSS138WT106;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 220mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | LMSEMI | |||||||||||||
|
BSS138WH6327XTSA1 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 280mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138WH6433XTMA1; BSS138W-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1899 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 6Ohm | 280mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS138WH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 6Ohm | 280mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS138W-7-F Diodes
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138W-7-F;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3230 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 3,5Ohm | 200mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | DIODES | ||||||||||||
|
BSS139H6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 30Ohm; 100mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS139H6327XTSA1; BSS139H6906XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 250V | 20V | 30Ohm | 100mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 250V | 20V | 30Ohm | 100mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS139H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 20V | 30Ohm | 100mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS139H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
41800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 20V | 30Ohm | 100mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS139H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 20V | 30Ohm | 100mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS159N HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS159N E6327; BSS159N E6906; BSS159NH6327XTSA1; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6906XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
BSS159NH6327XTSA2
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8Ohm; 230mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS159NH6327; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6906XTSA1; BSS159N; BSS159NH6327XTSA2;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 8Ohm | 230mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS159NH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 8Ohm | 230mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS159NH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
2268000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 8Ohm | 230mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS159NH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 8Ohm | 230mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS169H6327 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS169H6327; BSS169H6327XTSA1; BSS169I; SP005558635; BSS169; BSS169H6906XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 9Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
BSS214NWH6327-HXY HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 2A; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS214NW L6327; BSS214NWH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 85mOhm | 2A | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
BSS214NH6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS214NH6327XTSA1; BSS214NH6327; PT2302B;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 250mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS214NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 250mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS214NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
108000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 250mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS225H6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 45Ohm; 90mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS225H6327FTSA1; BSS225H6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
997 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 20V | 45Ohm | 90mA | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS225H6327FTSA1 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 45Ohm | 90mA | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS225H6327FTSA1 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnętrzny:
7000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 45Ohm | 90mA | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS306NH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 93mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS306NH6327HTSA1; BSS306NH6327; RC2304A; MOT3400AB2; YFW3404B; PT3404; LGE3404; BSS306N-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2413 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 93mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS306NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 93mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS306NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
27000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 93mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS314PEH6327 Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 230mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS314PEH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1625 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 230mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS314PEH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
111000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 230mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS606NH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 90mOhm; 3,2A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS606NH6327XTSA1; BSS606NH6327TR; BSS606NH6327; BSS606NH6327XTSA1
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
990 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 90mOhm | 3,2A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS606NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnętrzny:
150000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 90mOhm | 3,2A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS606N-P
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 62mOhm; 3,5A; 1,7W; -55°C~150°C; Odpowiednik: BSS606NH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
470 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 10V | 20V | 62mOhm | 3,5A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89-3 | TECH PUBLIC | ||||||||||||
|
BSS806NH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS806NH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 82mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 82mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS806NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 82mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS806NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
3558000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 82mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS806NEH6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS806NEH6327XTSA1; BSS806NEH6327;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 82mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS806NEH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 82mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS806NEH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
915000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 82mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS816NWH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 240mOhm; 1,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS816NWH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1050 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 240mOhm | 1,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 240mOhm | 1,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS816NWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
27000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 240mOhm | 1,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS83P JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 330mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS83PE6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83PL6327HTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 10Ohm | 330mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO | |||||||||||||
|
BSS83PH6327XTSA1
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; SP000702486;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1840 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/30000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 330mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 330mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS83PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
117000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 330mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS83PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
69400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 330mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS84,215-CN CHIPNOBO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1917 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | CHIPNOBO | |||||||||||||
|
BSS84 CREATEK
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 200mA; 720mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 2Ohm | 200mA | 720mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | CREATEK | |||||||||||||
|
BSS84 GALAXY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 12V; 10Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 12V | 10Ohm | 130mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | GALAXY | |||||||||||||
|
BSS84 HXY MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 130mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
BSS84 JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2997 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 130mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO | |||||||||||||
|
BSS84 JUXING
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | JUXING | |||||||||||||
|
BSS84 LMSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | LMSEMI | |||||||||||||
|
BSS84 MERRY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; --50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5997 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | MERRY | |||||||||||||
|
BSS84 SHIKUES
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 130mA; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 6Ohm | 130mA | SMD | SOT23 | SHIKUES | |||||||||||||||
|
BSS84 SLKOR
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
7580 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SLKOR | |||||||||||||