Tranzystory polowe (wyszukane: 7020)
| Produkt | Koszyk |
Obudowa
|
Producent
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Typ tranzystora
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSP125
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 60Ohm; 120mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP125H6327XTSA1; BSP125H6433XTMA1; BSP125H6327; BSP125L6327HTSA1; BSP125H6327XTSA1S;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | Infineon Technologies | 120mA | 600V | 20V | 1,8W | SMD | 60Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP125H6433XTMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT223 | Infineon Technologies | 120mA | 600V | 20V | 1,8W | SMD | 60Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSP129H6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223-3 | Infineon (IRF) | 350mA | 240V | 20V | 1,8W | SMD | 20Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1655 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223-3 | Infineon (IRF) | 350mA | 240V | 20V | 1,8W | SMD | 20Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP129H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3 |
Magazyn zewnętrzny:
5300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT223-3 | Infineon (IRF) | 350mA | 240V | 20V | 1,8W | SMD | 20Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP129H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3 |
Magazyn zewnętrzny:
123000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT223-3 | Infineon (IRF) | 350mA | 240V | 20V | 1,8W | SMD | 20Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSP135
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 60Ohm; 120mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP135H6327; BSP135H6327XTSA1; BSP135H6906XTSA1; BSP135H6433XTMA1; BSP135H6327/SN;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | Infineon Technologies | 120mA | 600V | 20V | 1,8W | SMD | 60Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP135H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
1700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT223 | Infineon Technologies | 120mA | 600V | 20V | 1,8W | SMD | 60Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSP170P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP170PH6327XTSA1; BSP170P H6327;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | Infineon Technologies | 1,9A | 60V | 20V | 1,8W | SMD | 300mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP170PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
21125 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT223 | Infineon Technologies | 1,9A | 60V | 20V | 1,8W | SMD | 300mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
BSP171P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP171PH6327XTSA1; BSP171P H6327
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1280 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | Infineon Technologies | 1,9A | 60V | 20V | 1,8W | SMD | 450mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP171PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
18950 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT223 | Infineon Technologies | 1,9A | 60V | 20V | 1,8W | SMD | 450mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
BSP250 JGSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP250,115; BSP250,135;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
144 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | JGSEMI | 5A | 30V | 20V | 1,6W | SMD | 90mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
BSP250
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 3A; 5W; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP250,115; BSP250,135;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSP250,115 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | NXP | 3A | 30V | 20V | 5W | SMD | 400mOhm | -65°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
BSP295
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 1,8A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP295H6327XTSA1; BSP295L6327;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | Infineon (IRF) | 1,8A | 60V | 20V | 1,8W | SMD | 500mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP295H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
22225 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT223 | Infineon (IRF) | 1,8A | 60V | 20V | 1,8W | SMD | 500mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSP296NH6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 800mOhm; 1,2A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP296NH6433XTMA1; BSP296NH6433XTMA-0;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1136 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223-4 | Infineon Technologies | 1,2A | 100V | 20V | 1,8W | SMD | 800mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP296NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-4 |
Magazyn zewnętrzny:
700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT223-4 | Infineon Technologies | 1,2A | 100V | 20V | 1,8W | SMD | 800mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSP297
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP297H6327XTSA1; BSP297H6327XTSA1/SN;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | Infineon Technologies | 660mA | 200V | 20V | 1,8W | SMD | 3Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP297H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
7700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT223 | Infineon Technologies | 660mA | 200V | 20V | 1,8W | SMD | 3Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSP299H
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 4Ohm; 400mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP299H6327XUSA1; BSP299L6327HUSA1; BSP299 H6327; BSP299H6327XUSA1/SN;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223-4 | Infineon Technologies | 400mA | 500V | 20V | 1,8W | SMD | 4Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSP315P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 1,4Ohm; 1,17A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP315P; BSP315PH6327XTSA1; BSP315P H6327; BSP315PH6327;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223t/r | Infineon (IRF) | 1,17A | 60V | 20V | 1,8W | SMD | 1,4Ohm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP315PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Magazyn zewnętrzny:
6350 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT223t/r | Infineon (IRF) | 1,17A | 60V | 20V | 1,8W | SMD | 1,4Ohm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
BSP315P JGSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 230mOhm; 2A; 2W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
250 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | JGSEMI | 2A | 60V | 20V | 2W | SMD | 230mOhm | -55°C ~ 125°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
BSP315P SOT223 TEC
Tranzystor P-Channel MOSFET; -60V; +/-20V; 130mOhm; -3A; 2W; -55°C~150°C; Podobny do: BSP315P; BSP315P-VB; BSP315PH6327; BSP315PH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
493 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 493 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | TECH PUBLIC | -3A | -60V | 20V | 2W | SMD | 130mOhm | -55°C ~ 150°C | MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1467 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | TECH PUBLIC | -3A | -60V | 20V | 2W | SMD | 130mOhm | -55°C ~ 150°C | MOSFET | |||||||||||||
|
BSP315P UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 95mOhm; 1,17A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
170 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | UMW | 1,17A | 60V | 20V | 1,8W | SMD | 95mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
BSP322P Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1Ohm; 1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP322PH6327XTSA1; BSP322PL6327HTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | Infineon Technologies | 1A | 100V | 20V | 1,8W | SMD | 1Ohm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
BSP372
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 1,8A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP372NH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | Infineon Technologies | 1,8A | 100V | 20V | 1,8W | SMD | 270mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP372NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
875 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT223 | Infineon Technologies | 1,8A | 100V | 20V | 1,8W | SMD | 270mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSP76E6433HUMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 42V; 12V; 200mOhm; 1.4A; 3.8W; -40°C~150°C; Odpowiednik: BSP78E6433; BSP76E6433; BSP76E6433HUMA1; BSP76; BSP76E6327HUSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | INFINEON | 1,4A | 42V | 12V | 3,8W | SMD | 200mOhm | -40°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP76E6433HUMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
13400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT223 | INFINEON | 1,4A | 42V | 12V | 3,8W | SMD | 200mOhm | -40°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP76E6433HUMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
52000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT223 | INFINEON | 1,4A | 42V | 12V | 3,8W | SMD | 200mOhm | -40°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSP88H6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 15Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | Infineon Technologies | 350mA | 240V | 20V | 1,8W | SMD | 15Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP88H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
350 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT223 | Infineon Technologies | 350mA | 240V | 20V | 1,8W | SMD | 15Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP88H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
21000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT223 | Infineon Technologies | 350mA | 240V | 20V | 1,8W | SMD | 15Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSP89
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 7,5Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP89.115; BSP89 L6327; BSP89H6327XTSA1; BSP89L6327HTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
107 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | Infineon Technologies | 350mA | 240V | 20V | 1,8W | SMD | 7,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP89H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
5550 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT223 | Infineon Technologies | 350mA | 240V | 20V | 1,8W | SMD | 7,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSR606NH6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 90mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
SC59 | Infineon Technologies | 2,3A | 60V | 20V | 500mW | SMD | 90mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSR802NL INFINEON
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 32mOhm; 3,7A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSR802NL6327HTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SC-59 | Infineon (IRF) | 3,7A | 20V | 8V | 500mW | SMD | 32mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSR802NL6327HTSA1 Obudowa dokładna: SC-59 |
Magazyn zewnętrzny:
21000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SC-59 | Infineon (IRF) | 3,7A | 20V | 8V | 500mW | SMD | 32mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSS119NH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 190mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS119NH6327XTSA1; BSS119 L6327; BSS119NH6433XTMA1
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2540 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | Infineon Technologies | 190mA | 100V | 20V | 500mW | SMD | 10Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS119NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
5200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | Infineon Technologies | 190mA | 100V | 20V | 500mW | SMD | 10Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSS123 CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1600 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | CHIPNOBO | 170mA | 100V | 20V | 350mW | SMD | 10Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSS123 GALAXY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | GALAXY | 170mA | 100V | 20V | 350mW | SMD | 10Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSS123 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | HXY MOSFET | 170mA | 100V | 20V | 350mW | SMD | 9Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSS123 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | JSMICRO | 170mA | 100V | 20V | 350mW | SMD | 10Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSS123 JUXING
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | JUXING | 170mA | 100V | 20V | 350mW | SMD | 10Ohm | -50°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSS123 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | SHIKUES | 170mA | 100V | 100V | 20V | 300mW | SMD | 10Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
BSS123 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | SLKOR | 150mA | 100V | 20V | 250mW | SMD | 6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||