Tranzystory polowe (wyszukane: 3047)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF530NS JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF530NSPBF; IRF530NSTRLPBF; IRF530NSTRRPBF; SP001551118; SP001563332; SP001554040;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: IRF530NS RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 38mOhm | 33A | 110W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | JSMICRO | |||||||||||||
IRF530S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 160mOhm; 14A; 88W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF530SPBF; IRF530STRLPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF530S RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
190 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 160mOhm | 14A | 88W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
IRF5305PBF JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF5305PBF; SP001564354;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 55mOhm | 35A | 110W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
IRF5305PBF UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305PBF; SP001564354;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 60mOhm | 31A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | UMW | |||||||||||||
HIRF530NPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 17A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF530PBF; IRF530PBF-BE3; IRF530NPBF; SP001570120;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 120mOhm | 17A | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | HXY MOSFET | ||||||||||||||
IRF530N JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF530PBF; IRF530PBF-BE3; IRF530NPBF; SP001570120;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 38mOhm | 33A | 110W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
IRF530NPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF530PBF; IRF530PBF-BE3; IRF530NPBF; SP001570120;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 120mOhm | 15A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | MOSLEADER | |||||||||||||
IRF540NL
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NLPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 6 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 44mOhm | 33A | 130W | THT | -55°C ~ 175°C | TO262 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Stan magazynowy:
44 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 44 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 44mOhm | 33A | 130W | THT | -55°C ~ 175°C | TO262 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 44mOhm | 33A | 130W | THT | -55°C ~ 175°C | TO262 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF540NS JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 38mOhm | 33A | 110W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | JSMICRO | |||||||||||||
IRF540NS SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 38mOhm | 33A | 110W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | SLKOR | |||||||||||||
Stan magazynowy:
13 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 38mOhm | 33A | 110W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | SLKOR | |||||||||||||
IRF540NSTRL UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 44mOhm | 30A | 70W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | UMW | |||||||||||||
IRF540S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 77mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540STRLPBF; IRF540STRRPBF; IRF540SPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF540S RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
240 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 77mOhm | 28A | 150W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
IRF620S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 5,2A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF620STRRPBF IRF620STRLPBF
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF620S RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 5,2A | 50W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
IRF6217 Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 150V; 20V; 2,4Ohm; 700mA; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF6217PBF; IRF6217TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 150V | 20V | 2,4Ohm | 700mA | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF630 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF630PBF; IRF630PBF-BE3; IRF630NPBF; SP001564792;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 30V | 400mOhm | 9A | 72W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
IRF630NPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF630PBF; IRF630PBF-BE3; IRF630NPBF; SP001564792;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 300mOhm | 9A | 74W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | MOSLEADER | |||||||||||||
IRF630N TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9,3A; 82W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF630NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
230 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/350 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 300mOhm | 9,3A | 82W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRF630NS smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9,3A; 82W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF630NSPBF; IRF630NSTRRPBF; IRF630NSTRLPBF; IRF630NSPBF-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 300mOhm | 9,3A | 82W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
IRF630S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 400mOhm | 9A | 74W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF630SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
750 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 400mOhm | 9A | 74W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
DH640 DONGHAI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 104W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF640PBF; IRF640PBF-BE3; IRF640NPBF; SP001570078;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
35 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 150mOhm | 18A | 104W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Donghai | |||||||||||||
IRF640NPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF640PBF; IRF640PBF-BE3; IRF640NPBF; SP001570078;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
73 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 145mOhm | 18A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRF640NPBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640PBF; IRF640PBF-BE3; IRF640NPBF; SP001570078;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
70 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 150mOhm | 18A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
IRF640NPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640PBF; IRF640PBF-BE3; IRF640NPBF; SP001570078;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 180mOhm | 18A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | MOSLEADER | |||||||||||||
IRF640 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640PBF; IRF640PBF-BE3; IRF640NPBF; SP001570078;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
56 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 150mOhm | 18A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | SLKOR | |||||||||||||
IRF640NLPBF IR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 150mOhm | 18A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO262 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF644S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 280mOhm; 14A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF644SPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF644S RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
134 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 250V | 20V | 280mOhm | 14A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF644SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
350 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 20V | 280mOhm | 14A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
IRF7101 smd
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7101TRPBF; IRF7101PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 150mOhm | 3,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
IRF7104TR UMW
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 12V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7104PBF; IRF7104TRPBF; SP001565336; SP001564756;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 30V | 12V | 400mOhm | 2,3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
IRF7105TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 30mOhm/77mOhm; 6A/5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7105PBF; IRF7105TRPBF; SP001561994; SP001577206;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 77mOhm | 6A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRF7105TRPBF JSMICRO
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm/58mOhm; 7,2A/6,8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7105PBF; IRF7105TRPBF; SP001561994; SP001577206;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: IRF7105TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 58mOhm | 7,2A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | JSMICRO |