Transistoren (Ergebnisse: 9573)

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Max. Gate-Source Spannung
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Gate - Emitter Spannung
Transistorsysteme [J/N]
AUIRLR014N International Rectifier N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 210mOhm; 10A; 28W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TAUIRLR014N Infos
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AUIRLR014N RoHS || AUIRLR014N International Rectifier TO252 (DPACK)
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
AUIRLR014N RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
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Auf Lager:
212 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 75+ 225+ 900+
Preis netto (EUR) 0,6109 0,3877 0,2937 0,2772 0,2655
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Standard-Verpackung:
75/225
Menge (mehrere 1)
210mOhm 10A 28W TO252 (DPACK) International Rectifier 55V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 16V SMD
AUIRLR3705Z International Rectifier N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 12mOhm; 89A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; VERALTET; Äquivalent: AUIRLR3705ZTR; AUIRLR3705ZTRL;
Micros Symbol: TAUIRLR3705Z Infos
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AUIRLR3705Z RoHS || AUIRLR3705Z International Rectifier TO252 (DPACK)
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
AUIRLR3705Z RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
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Auf Lager:
75 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Preis netto (EUR) 2,0910 1,6047 1,4261 1,3462 1,3063
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Standard-Verpackung:
75
Menge (mehrere 1)
12mOhm 89A 130W TO252 (DPACK) International Rectifier 55V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 16V SMD
2SC3519 NPN 15A 160V 130W NPN 15A 160V 130W
Micros Symbol: T2SC3519 Infos
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2SC3519 RoHS || 2SC3519 TO 3P
Hersteller:
Sanken Hersteller-Teilenummer:
2SC3519 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P  
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 2,7395 2,2578 2,0417 1,9782 1,9571
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Standard-Verpackung:
30/100
Menge (mehrere 1)
TO 3P PMC-Sierra 130W 50 50MHz 15A 160V NPN -55°C ~ 150°C
IKD04N60R IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;
Micros Symbol: TIKD04n60r Infos
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IKD04N60R RoHS || IKD04N60RATMA1 || IKD04N60R TO252 (DPACK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKD04N60R RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,1747 0,8951 0,7424 0,6508 0,6179
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPAK) Infineon Technologies 27nC 75W 8A 12A 4,3V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C SMD 600V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKD04N60RATMA1 Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
600 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6179
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Standard-Verpackung:
5
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO252 (DPAK) Infineon Technologies 27nC 75W 8A 12A 4,3V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C SMD 600V 20V
BF1202WR 2xN-MOSFET-Transistor; 10V; 6V; 30mA; 200 mW; -65 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBF1202wr Infos
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BR1202WR 115 RoHS || BF1202WR SOT343R
Hersteller:
Philips Hersteller-Teilenummer:
BR1202WR 115 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT343R  
Auf Lager:
69 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 15+ 69+ 345+ 1725+
Preis netto (EUR) 0,3219 0,1898 0,1459 0,1292 0,1236
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Standard-Verpackung:
69
Menge (mehrere 1)
30mA 200mW SOT343R NXP 10V 2xN-MOSFET -65°C ~ 150°C 6V SMD
BF998 smd N-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 20V; 30mA; 200 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998.215;
Micros Symbol: TBF998 Infos
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BF998 RoHS || BF998 smd SOT143
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BF998 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT143 t/r  
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4746 0,2866 0,2211 0,1995 0,1898
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
30mA 200mW SOT143 Infineon Technologies 12V N-MOSFET -65°C ~ 150°C 20V SMD
IKD06N60RF IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKD06N60RFAATMA1;
Micros Symbol: TIKD06n60rf Infos
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IKD06N60RF RoHS || IKD06N60RF TO252 (DPACK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKD06N60RF RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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Auf Lager:
26 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,1935 0,8763 0,7025 0,6038 0,5686
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPAK) Infineon Technologies 48nC 100W 12A 18A 4,3V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C SMD 600V 20V
2SC3838KT146P NPN 50mA 11V 0.2W 3.2GHz NPN 50mA 11V 0.2W 3.2GHz
Micros Symbol: T2SC3838k Infos
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2SC3838KT146P RoHS || 2SC3838KT146P SC-59
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
2SC3838KT146P RoHS Präzisionsgehäuse:
SC-59 t/r
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Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2655 0,1471 0,0973 0,0811 0,0761
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
SC-59 ROHM 200mW 180 3,2GHz 50mA 11V NPN -55°C ~ 150°C
2SC3856 TO-3P NPN 180V 15A 130W 20MHz NPN 180V 15A 130W 20MHz
Micros Symbol: T2SC3856 Infos
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2SC3856 RoHS || 2SC3856 TO-3P TO 3P
Hersteller:
SPTECH Hersteller-Teilenummer:
2SC3856 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P  
Auf Lager:
16 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 16+ 64+ 256+
Preis netto (EUR) 1,9782 1,5107 1,2993 1,2053 1,1630
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Standard-Verpackung:
16
Menge (mehrere 1)
TO 3P Sanken 130W 50 20MHz 15A 180V NPN -55°C ~ 150°C
                                                     
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-07-30
Anzahl der Stücke: 120
                                               
BM3415E SOT23 BORN P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 65mOhm; 4,8A; 1,5 W; -50 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBM3415e BORN Infos
Datenblatt
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BM3415E RoHS || BM3415E SOT23 BORN SOT23
Hersteller:
BORN Hersteller-Teilenummer:
BM3415E RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
280 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,1945 0,0975 0,0580 0,0482 0,0432
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
65mOhm 4,8A 1,5W SOT23 BORN 20V P-MOSFET -50°C ~ 150°C 8V SMD
BS107P DIODES N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 30 Ohm; 120mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS107AG; BS107ARL1G; BS107P;
Micros Symbol: TBS107 Infos
Datenblatt
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BS107P RoHS || BS107P DIODES TO92
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS107P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul
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Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8317 0,5263 0,4159 0,3783 0,3618
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
30Ohm 120mA 500mW TO92 DIODES 200V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS107P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92
Datenblatt
Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8317 0,5263 0,4159 0,3783 0,3618
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
30Ohm 120mA 500mW TO92 DIODES 200V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
BS170-D26Z (krępowane=forming) N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS170_D26Z (Rolle); BS170_D27Z(Rolle); BS170_D74Z/BS170_D75Z(Munition); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170-BAND; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT;
Micros Symbol: TBS170F Infos
Datenblatt
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BS170-D26Z RoHS || BS170FTA || BS170-D26Z (krępowane=forming) TO92formed
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BS170-D26Z RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92formed t/r  
Auf Lager:
3720 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3313 0,1835 0,1450 0,1316 0,1273
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Standard-Verpackung:
2000
Menge (mehrere 1)
5Ohm 500mA 830mW TO92formed ON SEMICONDUCTOR 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS170FTA Präzisionsgehäuse:
TO92formed  
Externes Lager:
60000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1273
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		5Ohm 500mA 830mW TO92formed ON SEMICONDUCTOR 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V THT
BS170FTA smd N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5Ohm; 0,15 mA; 330 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBS170sot23 Infos
Datenblatt
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BS170FTA RoHS || BS170FTA smd SOT23
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS170FTA RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
565 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4981 0,3007 0,2321 0,2093 0,1992
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Standard-Verpackung:
2403
Menge (mehrere 1)
5Ohm 0,15mA 330mW SOT23 DIODES 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BS250FTA P-Channel-MOSFET-Transistor; 45V; +/-20V; 90mA; 14Ohm; 330 mW; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TBS250fta Infos
Datenblatt
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BS250FTA RoHS || BS250FTA || BS250FTA SOT23
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS250FTA RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5451 0,3313 0,2537 0,2293 0,2183
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
14Ohm 90mA 330mW SOT23 DIODES 45V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS250FTA Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2183
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		14Ohm 90mA 330mW SOT23 DIODES 45V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SC4102 NPN 50mA 120V 200mW 140MHz NPN 50mA 120V 200mW 140MHz
Micros Symbol: T2SC4102 Infos
Datenblatt
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2SC4102T106R RoHS T. || 2SC4102 SOT323
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
2SC4102T106R RoHS T. Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2396 0,1208 0,0728 0,0576 0,0531
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
SOT323 ROHM 200mW 390 140MHz 50mA 120V NPN -55°C ~ 150°C
BS270 Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 0,4A | Idm: 2A | 0,625 W | TO92
Micros Symbol: TBS270 Infos
Datenblatt
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BS270 RoHS || BS270 TO92
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BS270 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul
Datenblatt
Auf Lager:
494 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 30+ 100+ 494+
Preis netto (EUR) 0,3736 0,2420 0,1870 0,1586 0,1433
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Standard-Verpackung:
494
Menge (mehrere 1)
2Ohm 400mA 625mW TO92 ONSEMI 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
BSC010NE2LSATMA1 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 20V; 1,3 mOhm; 100A; 96W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC010NE2LSATMA1;
Micros Symbol: TBSC010ne2ls Infos
Datenblatt
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BSC010NE2LSATMA1 RoHS || BSC010NE2LSATMA1 Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC010NE2LSATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,2405 0,9468 0,7847 0,6860 0,6531
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
1,3mOhm 100A 96W TDSON08 Infineon Technologies 25V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC016N04LS G N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 2,3 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC016N04LSGATMA1;
Micros Symbol: TBSC016n04ls Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSC016N04LSGATMA1 RoHS || BSC016N04LS G TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC016N04LSGATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
38 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,3204 1,0079 0,8341 0,7307 0,6954
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
2,3mOhm 100A 139W TDSON08 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC016N06NS N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,9 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSC016n06ns Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSC016N06NS RoHS || BSC016N06NSATMA1 || BSC016N06NS TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC016N06NS RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
39 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 2,5915 2,0558 1,8584 1,7574 1,7269
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
2,9mOhm 100A 139W TDSON08 Infineon Technologies 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC016N06NSATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
20000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,7269
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		2,9mOhm 100A 139W TDSON08 Infineon Technologies 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC018NE2LS Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 20V; 2,3 mOhm; 100A; 69W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC018NE2LSI; BSC018NE2LSATMA1;
Micros Symbol: TBSC018ne2ls Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSC018NE2LS RoHS || BSC018NE2LSATMA1 || BSC018NE2LS Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC018NE2LS RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7894 0,4957 0,4112 0,3665 0,3430
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
2,3mOhm 100A 69W TDSON08 Infineon Technologies 25V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC018NE2LSATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3430
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		2,3mOhm 100A 69W TDSON08 Infineon Technologies 25V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC019N02KSG Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 3mOhm; 100A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC019N02KSGAUMA1;
Micros Symbol: TBSC019n02ksg Infos
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BSC019N02KSG RoHS || BSC019N02KSG Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC019N02KSG RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
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Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,5318 1,0714 0,9116 0,8341 0,8059
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
3mOhm 100A 104W TDSON08 Infineon Technologies 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
BSC019N04NSGATMA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 1,9 mOhm; 100A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSC019n04ns Infos
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BSC019N04NSGATMA1 RoHS || BSC019N04NSGATMA1 || BSC019N04NSGATMA1 TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC019N04NSGATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
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Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 2,6948 2,0699 1,8396 1,7222 1,6846
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
1,9mOhm 100A 125W TDSON08 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC019N04NSGATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,6846
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		1,9mOhm 100A 125W TDSON08 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
IKP15N60T IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1
Micros Symbol: TIKP15n60t Infos
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IKP15N60TXKSA1 RoHS || IKP15N60TXKSA1 || IKP15N60T TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKP15N60TXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Auf Lager:
85 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,7527 1,3016 1,0831 1,0573 1,0314
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
TO220 Infineon Technologies 87nC 130W 26A 45A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKP15N60TXKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
2452 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,0314
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO220 Infineon Technologies 87nC 130W 26A 45A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
BSC022N04LS6 N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 3,2 mOhm; 139A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: BSC022N04LS6ATMA1;
Micros Symbol: TBSC022n04ls6 Infos
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BSC022N04LS6ATMA1 RoHS || BSC022N04LS6 TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC022N04LS6ATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
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Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,0050 2,4834 2,1756 2,0276 1,9383
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
3,2mOhm 139A 79W TDSON08 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
BSC024NE2LS INFINEON N-MOSFET-Transistor; 25V; 20V; 3,4 mOhm; 100A; 48W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC024NE2LSATMA1;
Micros Symbol: TBSC024ne2ls Infos
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BSC024NE2LSATMA1 RoHS || BSC024NE2LSATMA1 || BSC024NE2LS INFINEON TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC024NE2LSATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1348 0,7542 0,6250 0,5639 0,5404
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Standard-Verpackung:
510
Menge (mehrere 1)
3,4mOhm 100A 48W TDSON08 Infineon Technologies 25V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC024NE2LSATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5404
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		3,4mOhm 100A 48W TDSON08 Infineon Technologies 25V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC027N04LSG N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4,1 mOhm; 100A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; BSC027N04LS G; BSC027N04LS G; SP000354810
Micros Symbol: TBSC027n04lsg Infos
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BSC027N04LSG RoHS || BSC027N04LSGATMA1 || BSC027N04LSG TDSON-8
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC027N04LSG RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
Datenblatt
Auf Lager:
81 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,0714 0,7119 0,5897 0,5310 0,5098
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
4,1mOhm 100A 83W TDSON-8 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC027N04LSGATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON-8  
Externes Lager:
10000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5098
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		4,1mOhm 100A 83W TDSON-8 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC027N04LSGATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON-8  
Externes Lager:
35000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5098
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		4,1mOhm 100A 83W TDSON-8 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 5,7 mOhm; 100A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSC040n08ns5 Infos
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BSC040N08NS5ATMA1 RoHS || BSC040N08NS5ATMA1 || BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON TDSON-8
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC040N08NS5ATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3345 0,9351 0,7941 0,7260 0,7025
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Standard-Verpackung:
2300
Menge (mehrere 1)
5,7mOhm 100A 104W TDSON-8 Infineon Technologies 80V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC040N08NS5ATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON-8  
Externes Lager:
10000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7025
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		5,7mOhm 100A 104W TDSON-8 Infineon Technologies 80V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC042N03LSGATMA1 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 6,5 mOhm; 93A; 57W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSC042n03ls Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSC042N03LSG RoHS || BSC042N03LSGATMA1 || BSC042N03LSGATMA1 Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC042N03LSG RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
67 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7401 0,4652 0,3853 0,3430 0,3219
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
6,5mOhm 93A 57W TDSON08 Infineon Technologies 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC042N03LSGATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3219
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		6,5mOhm 93A 57W TDSON08 Infineon Technologies 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 4,2 mOhm; 100A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC042NE7NS3GATMA1; BSC042NE7NS3G;
Micros Symbol: TBSC042ne7ns3g Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSC042NE7NS3G RoHS || BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC042NE7NS3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,8420 1,4590 1,2429 1,1418 1,0831
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
4,2mOhm 100A 125W TDSON08 Infineon Technologies 75V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SC4213-B NPN 300mA 20V 100mW 30MHz 350
Micros Symbol: T2SC4213b Infos
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2SC4213-B RoHS || 2SC4213-B(TE85L,F) || 2SC4213-B SOT323
Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer:
2SC4213-B RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2608 0,1670 0,1170 0,1017 0,0952
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
SOT323 TOSHIBA 100mW 1200 30MHz 300mA 20V NPN -55°C ~ 125°C
 
Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer:
2SC4213-B(TE85L,F) Präzisionsgehäuse:
SOT323  
Externes Lager:
15000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0952
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SOT323 TOSHIBA 100mW 1200 30MHz 300mA 20V NPN -55°C ~ 125°C
1    21  22  23  24  25  26  27  28  29    320