Transistoren (Ergebnisse: 10636)

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Transistorsysteme [J/N]
HUF76423P3 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 16V; 38mOhm; 33A; 85W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: THUF76423p3 Infos
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HUF76423P3 RoHS || HUF76423P3 || HUF76423P3 TO220
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Fairchild Hersteller-Teilenummer:
HUF76423P3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220  
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,9281 0,5886 0,4628 0,4225 0,4035
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38mOhm 33A 85W TO220 ON SEMICONDUCTOR 60V 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 16V THT
 
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ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
HUF76423P3 Präzisionsgehäuse:
TO220  
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20 Euro überschreiten. 		38mOhm 33A 85W TO220 ON SEMICONDUCTOR 60V 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 16V THT
HUF76439S3S N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 16V; 15mOhm; 75A; 180 W; -55 °C ~ 175 °C; Odpowiednik: HUF76439S3ST (T&R); HUF76439P3;
Micros Symbol: THUF76439s3s Infos
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HUF76439S3ST RoHS || HUF76439S3S TO263 (D2PAK)
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Fairchild Hersteller-Teilenummer:
HUF76439S3ST RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263t/r (D2PAK)
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 80+ 400+
Preis netto (EUR) 1,5642 1,0966 0,9304 0,8592 0,8236
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15mOhm 75A 180W TO263 (D2PAK) ON SEMICONDUCTOR 60V 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 16V THT
BC857C GALAXY PNP-Transistor; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857C,215; BC857C,235; BC857CLT1G; BC857CLT3G; BC857CE6327HTSA1; BC857CE6433HTMA1; BC857C RFG; BC857C-7-F;
Micros Symbol: TBC857c GAL Infos
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BC857C RoHS || BC857C GALAXY SOT23
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GALAXY Hersteller-Teilenummer:
BC857C RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0603 0,0226 0,0121 0,0090 0,0083
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SOT23 GALAXY 250mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -55°C ~ 150°C
BC857C JSMICRO PNP-Transistor; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857C,215; BC857C,235; BC857CLT1G; BC857CLT3G; BC857CE6327HTSA1; BC857CE6433HTMA1; BC857C RFG; BC857C-7-F;
Micros Symbol: TBC857c JSM Infos
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BC857C RoHS || BC857C JSMICRO SOT23
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JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
BC857C RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0479 0,0180 0,0096 0,0072 0,0066
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3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 JSMICRO 250mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -65°C ~ 150°C
BC857C JUXING PNP-Transistor; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857C,215; BC857C,235; BC857CLT1G; BC857CLT3G; BC857CE6327HTSA1; BC857CE6433HTMA1; BC857C RFG; BC857C-7-F;
Micros Symbol: TBC857c JUX Infos
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BC857C 0.3MM RoHS || BC857C JUXING SOT23
Hersteller:
JUXING Hersteller-Teilenummer:
BC857C 0.3MM RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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6000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0444 0,0162 0,0085 0,0064 0,0059
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3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 JUXING 200mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -55°C ~ 150°C
BC857C MERRY PNP-Transistor; 800; 200mW, 45V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857C,215; BC857C,235; BC857CLT1G; BC857CLT3G; BC857CE6327HTSA1; BC857CE6433HTMA1; BC857C RFG; BC857C-7-F;
Micros Symbol: TBC857c MER Infos
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BC857C RoHS || BC857C MERRY SOT23
Hersteller:
MERRY Hersteller-Teilenummer:
BC857C RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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6000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0382 0,0140 0,0074 0,0055 0,0051
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3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MERRY 200mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -55°C ~ 150°C
HY3906P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 190A; 4mOhm; 220 W; -55 °C ~ 175 °C; Ähnlich zu: IRFB3306PBF; IRFB3306GPBF;
Micros Symbol: THY3906p Infos
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HY3906P RoHS || HY3906P HUAYI TO220
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HY3906P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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0 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,1820 0,9019 0,7453 0,6551 0,6219
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50
Menge (mehrere 1)
4mOhm 190A 220W TO220 HUAYI 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 25V THT
HYG013N03LS1C2 HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 150A; 2,8mOhm; 65W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG013n03ls1c2 Infos
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HYG013N03LS1C2 RoHS || HYG013N03LS1C2 HUAYI PDFN08(6x5)
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG013N03LS1C2 RoHS Präzisionsgehäuse:
DFN08(6x5)
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6432 0,4035 0,3347 0,2991 0,2801
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100
Menge (mehrere 1)
2,8mOhm 150A 65W PDFN08(6x5) HUAYI 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
HYG020N04NR1P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 220A; 2,4mOhm; 200W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG020n04nr1p Infos
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HYG020N04NR1P RoHS || HYG020N04NR1P HUAYI TO220
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG020N04NR1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,0420 0,6931 0,5744 0,5174 0,4961
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20/100
Menge (mehrere 1)
2,4mOhm 200A 200W TO220 HUAYI 40V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 25V THT
HYG023N04LS1B HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 170A; 3,5mOhm; 150W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG023n04ls1b Infos
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HYG023N04LS1B RoHS || HYG023N04LS1B HUAYI TO263 (D2PAK)
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG023N04LS1B RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263t/r (D2PAK)
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Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,9921 0,6598 0,5459 0,4913 0,4723
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
3,5mOhm 170A 150W TO263 (D2PAK) HUAYI 40V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
BC857C UMW PNP-Transistor; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857C,215; BC857C,235; BC857CLT1G; BC857CLT3G; BC857CE6327HTSA1; BC857CE6433HTMA1; BC857C RFG; BC857C-7-F;
Micros Symbol: TBC857c UMW Infos
Datenblatt
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BC857C RoHS || BC857C UMW SOT23
Hersteller:
UMW Hersteller-Teilenummer:
BC857C RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0458 0,0171 0,0092 0,0068 0,0063
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 UMW 200mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -65°C ~ 150°C
HYG028N10NS1P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 230A; 3,3mOhm; 300W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG028n10ns1p Infos
Datenblatt
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HYG028N10NS1P RoHS || HYG028N10NS1P HUAYI TO220
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG028N10NS1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,5404 1,1393 0,9945 0,9447 0,9067
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Standard-Verpackung:
20/50
Menge (mehrere 1)
3,3mOhm 230A 300W TO220 HUAYI 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
BC857C,215 Transistor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
Micros Symbol: TBC857c Infos
Datenblatt
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BC857C,215 RoHS || BC857C,215 || BC857C,215 SOT23
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BC857C,215 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
43400 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1436 0,0681 0,0385 0,0292 0,0261
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 NXP 250mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -65°C ~ 150°C
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BC857C,215 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
44500 Stk.
Anzahl der Stücke 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0287
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SOT23 NXP 250mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -65°C ~ 150°C
HYG035N10NS2B HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 180A; 4mOhm; 220W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG035n10ns2b Infos
Datenblatt
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HYG035N10NS2B RoHS || HYG035N10NS2B HUAYI TO263 (D2PAK)
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG035N10NS2B RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263t/r (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,3933 1,0634 0,8806 0,7714 0,7334
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
4mOhm 180A 220W TO263 (D2PAK) HUAYI 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
HYG035N10NS2P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 180A; 4mOhm; 220W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG035n10ns2p Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
HYG035N10NS2P RoHS || HYG035N10NS2P HUAYI TO220
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG035N10NS2P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,2271 0,8592 0,7311 0,6670 0,6456
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Standard-Verpackung:
20/100
Menge (mehrere 1)
4mOhm 180A 220W TO220 HUAYI 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
HYG038N03LR1C2 HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 84A; 6,6mOhm; 53W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG038n03lr1c2 Infos
Datenblatt
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HYG038N03LR1C2 RoHS || HYG038N03LR1C2 HUAYI PDFN08(6x5)
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG038N03LR1C2 RoHS Präzisionsgehäuse:
DFN08(6x5)
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2635 0,1683 0,1180 0,1025 0,0959
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
6,6mOhm 84A 53W PDFN08(6x5) HUAYI 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
HYG038N03LR1D HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 78A; 6,3mOhm; 47W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF;
Micros Symbol: THYG038n03lr1d Infos
Datenblatt
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HYG038N03LR1D RoHS || HYG038N03LR1D HUAYI TO252 (DPACK)
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG038N03LR1D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,3181 0,2044 0,1436 0,1222 0,1161
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
6,3mOhm 78A 47W TO252 (DPACK) HUAYI 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
BC857C SOT23-3 Transistor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC857C-YAN
Micros Symbol: TBC857c c Infos
Datenblatt
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BC857C RoHS || BC857C SOT23-3 SOT23-3
Hersteller:
HOTTECH Hersteller-Teilenummer:
BC857C RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r  
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0617 0,0231 0,0124 0,0092 0,0085
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Standard-Verpackung:
3000/15000
Menge (mehrere 10)
SOT23-3 Nexperia 200mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -65°C ~ 150°C
 
Hersteller:
import Hersteller-Teilenummer:
BC857C RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r  
Auf Lager:
1580 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0617 0,0231 0,0124 0,0092 0,0085
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Standard-Verpackung:
3000/18000
Menge (mehrere 10)
SOT23-3 Nexperia 200mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -65°C ~ 150°C
                                                     
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Geplantes Datum: 2026-02-13
Anzahl der Stücke: 9000
                                               
HYG042N10NS1B HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 160A; 4,2mOhm; 200W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG042n10ns1b Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
HYG042N10NS1B RoHS || HYG042N10NS1B HUAYI TO263 (D2PAK)
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG042N10NS1B RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263t/r (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,2675 0,8877 0,7548 0,6907 0,6670
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
4,2mOhm 160A 200W TO263 (D2PAK) HUAYI 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
HYG043N10NS2B HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 164A; 4,8mOhm; 258,6W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG043n10ns2b Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
HYG043N10NS2B RoHS || HYG043N10NS2B HUAYI TO263 (D2PAK)
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG043N10NS2B RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263t/r (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,0111 0,6741 0,5578 0,5032 0,4818
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
4,8mOhm 164A 258,6W TO263 (D2PAK) HUAYI 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
BC857C DIOTEC Transistor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; BC857C-DIO; BC857C DIOTEC;
Micros Symbol: TBC857c DIOTEC Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BC857C RoHS || BC857C || BC857C DIOTEC SOT23-3
Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer:
BC857C RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
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Auf Lager:
650 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0662 0,0256 0,0125 0,0099 0,0095
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23-3 DIOTEC 250mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer:
BC857C Präzisionsgehäuse:
SOT23-3  
Externes Lager:
51000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0095
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SOT23-3 DIOTEC 250mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer:
BC857C Präzisionsgehäuse:
SOT23-3  
Externes Lager:
31006 Stk.
Anzahl der Stücke 18000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0095
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SOT23-3 DIOTEC 250mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -55°C ~ 150°C
HYG053N10NS1B HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 120A; 5,5mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG053n10ns1b Infos
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HYG053N10NS1B RoHS || HYG053N10NS1B HUAYI TO263 (D2PAK)
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG053N10NS1B RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263t/r (D2PAK)
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Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,8189 0,5151 0,4272 0,3798 0,3560
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
5,5mOhm 120A 187,5W TO263 (D2PAK) HUAYI 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
HYG053N10NS1P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 120A; 5,5mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG053n10ns1p Infos
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HYG053N10NS1P RoHS || HYG053N10NS1P HUAYI TO220
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG053N10NS1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,9233 0,6860 0,5103 0,4272 0,4011
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Standard-Verpackung:
20/100
Menge (mehrere 1)
5,5mOhm 120A 187,5W TO220 HUAYI 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
HYG054N10NS1P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 120A; 6,4mOhm; 194,8W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG054n10ns1p Infos
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HYG054N10NS1P RoHS || HYG054N10NS1P HUAYI TO220
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG054N10NS1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1227 0,7453 0,6171 0,5578 0,5340
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Standard-Verpackung:
20/100
Menge (mehrere 1)
6,4mOhm 120A 194,8W TO220 HUAYI 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
HYG055N08NS1P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 120A; 6,8mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG055n08ns1p Infos
Datenblatt
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HYG055N08NS1P RoHS || HYG055N08NS1P HUAYI TO220
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG055N08NS1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,2153 0,8094 0,6693 0,6029 0,5791
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Standard-Verpackung:
20/100
Menge (mehrere 1)
6,8mOhm 120A 187,5W TO220 HUAYI 80V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
BC857CE6327HTSA1 Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23
Micros Symbol: TBC857c INF Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BC857CE6327HTSA1 RoHS || BC857CE6327HTSA1 || BC857CE6327HTSA1 SOT23
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BC857CE6327HTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
2990 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0971 0,0382 0,0223 0,0163 0,0149
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 Infineon Technologies 330mW 800 250MHz 100mA 45V PNP -65°C ~ 150°C
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BC857CE6327HTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
63000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0254
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SOT23 Infineon Technologies 330mW 800 250MHz 100mA 45V PNP -65°C ~ 150°C
HYG060N08NS1P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 105A; 6mOhm; 125W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG060n08ns1p Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
HYG060N08NS1P RoHS || HYG060N08NS1P HUAYI TO220
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG060N08NS1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1227 0,7453 0,5768 0,5578 0,5340
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
6mOhm 105A 125W TO220 HUAYI 80V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
HYG065N03LR1D HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 55A; 10,9mOhm; 42W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF;
Micros Symbol: THYG065n03lr1d Infos
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HYG065N03LR1D RoHS || HYG065N03LR1D HUAYI TO252 (DPACK)
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG065N03LR1D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,2753 0,1766 0,1244 0,1056 0,1004
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
10,9mOhm 55A 42W TO252 (DPACK) HUAYI 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
HYG065N07NS1P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 70V; 20V; 100A; 6,5mOhm; 125W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRF3205PBF;
Micros Symbol: THYG065n07ns1p Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
HYG065N07NS1P RoHS || HYG065N07NS1P HUAYI TO220
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG065N07NS1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7643 0,4795 0,3750 0,3537 0,3323
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
6,5mOhm 100A 125W TO220 HUAYI 70V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
HYG065N15NS1W HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 165A; 7,5mOhm; 375W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG065n15ns1w Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
HYG065N15NS1W RoHS || HYG065N15NS1W HUAYI TO247
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG065N15NS1W RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 2,8008 2,4092 2,1765 2,0626 2,0009
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Standard-Verpackung:
10/30
Menge (mehrere 1)
7,5mOhm 165A 375W TO247 HUAYI 150V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
1    60  61  62  63  64  65  66  67  68    355