Transistoren (Ergebnisse: 10636)

1    62  63  64  65  66  67  68  69  70    355
Produkt Warenkorb
Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Gehäuse
Hersteller
Verlustleistung
Stromverstärkungsfaktor
Gate-Ladung
Grenzfrequenz
Maximale Verlustleistung
Max. Drain-Source Spannung
Max. Kollektor-Strom [A]
Max. Kollektor-Emitter-Spannung
Max. Kollektor-Strom im Impuls
Max. Kollektor-Strom
Vorwärtsspannung [Vgeth]
Msx. Drain-Gate Spannung
Transistor-Typ
Betriebstemperatur (Bereich)
Max. Gate-Source Spannung
Kollektor-Emitter-Spannung
Montage
Gate - Emitter Spannung
Transistorsysteme [J/N]
IPA50R199CP N-Channel-MOSFET-Transistor; 550V; 30V; 450 mOhm; 17A; 139W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA50R199CPXKSA1;
Micros Symbol: TIPA50r199cp Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPA50R199CP RoHS || IPA50R199CP TO220iso
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA50R199CP RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,5397 2,1932 1,9914 1,8632 1,8134
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
450mOhm 17A 139W TO220iso Infineon Technologies 550V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
BC858CLT1G ONS Transistor : PNP; Bipolar; 30V; 0,1A; 250mW; SOT23 Transistor : PNP; Bipolar; 30V; 0,1A; 250mW; SOT23
Micros Symbol: TBC858c ONS Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BC858CLT1G RoHS || BC858CLT1G || BC858CLT1G ONS SOT23-3
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
BC858CLT1G RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0779 0,0299 0,0146 0,0116 0,0111
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR 300mW 800 100MHz 100mA 30V PNP -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
BC858CLT1G Präzisionsgehäuse:
SOT23-3  
Externes Lager:
14500 Stk.
Anzahl der Stücke 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0145
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR 300mW 800 100MHz 100mA 30V PNP -55°C ~ 150°C
IPA60R060C7XKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 115mOhm; 16A; 34W; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: TIPA60r060c7 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPA60R060C7XKSA1 RoHS || IPA60R060C7XKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R060C7XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
Datenblatt
Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 20+ 40+ 100+
Preis netto (EUR) 6,3896 5,2479 4,6213 4,4765 4,3460
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
4
Menge (mehrere 1)
115mOhm 16A 34W TO220FP Infineon Technologies 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
IPA60R190C6 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 440 mOhm; 20,2A; 151W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA60R190C6XKSA1;
Micros Symbol: TIPA60r190c6 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPA60R190C6 RoHS || IPA60R190C6XKSA1 || IPA60R190C6 TO220iso
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R190C6 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 3,0144 2,6038 2,3641 2,2098 2,1528
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
440mOhm 20,2A 151W TO220iso Infineon Technologies 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R190C6XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Externes Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,1528
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		440mOhm 20,2A 151W TO220iso Infineon Technologies 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R190C6XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Externes Lager:
118 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,1528
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		440mOhm 20,2A 151W TO220iso Infineon Technologies 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R190C6XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Externes Lager:
2800 Stk.
Anzahl der Stücke 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,1528
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		440mOhm 20,2A 151W TO220iso Infineon Technologies 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
IPA60R280C6 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 660 mOhm; 13,8A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA60R280C6XKSA1;
Micros Symbol: TIPA60r280c6 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPA60R280C6 RoHS || IPA60R280C6 TO220iso
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R280C6 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 2,2121 1,7564 1,5855 1,5001 1,4740
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
660mOhm 13,8A 104W TO220iso Infineon Technologies 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
IPA60R280E6XKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 660 mOhm; 13,8A; 32W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TIPA60r280e6 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPA60R280E6XKSA1 RoHS || IPA60R280E6XKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R280E6XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
Datenblatt
Auf Lager:
33 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,0104 1,6021 1,3719 1,2319 1,1820
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
660mOhm 13,8A 32W TO220FP Infineon Technologies 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
IPA60R380P6 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 889 mOhm; 10,6A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA60R380P6XKSA1;
Micros Symbol: TIPA60r380p6 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPA60R380P6XKSA1 RoHS || IPA60R380P6XKSA1 || IPA60R380P6 TO220iso
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R380P6XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 2,2359 1,8205 1,5808 1,4645 1,3980
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
889mOhm 10,6A 83W TO220iso Infineon Technologies 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R380P6XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Externes Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,3980
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		889mOhm 10,6A 83W TO220iso Infineon Technologies 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R380P6XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Externes Lager:
850 Stk.
Anzahl der Stücke 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,3980
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		889mOhm 10,6A 83W TO220iso Infineon Technologies 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
IPA60R950C6XKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 2,22 Ohm; 4,4A; 26W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TIPA60r950c6 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPA60R950C6XKSA1 RoHS || IPA60R950C6XKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R950C6XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,1868 0,8711 0,6978 0,5981 0,5649
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
2,22Ohm 4,4A 26W TO220FP Infineon Technologies 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
IPA65R225C7XKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 700V; 30V; 478 mOhm; 7A; 29W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TIPA65r225c7 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPA65R225C7XKSA1 RoHS || IPA65R225C7XKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA65R225C7XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 2,1338 1,6401 1,4574 1,3624 1,3339
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
478mOhm 7A 29W TO220FP Infineon Technologies 700V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
BC859C SHIKUES PNP-Transistor; 800; 310mW; 30V; 100mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BC859C,215; BC859C,235; BC859CLT1G; BC859CE6327HTSA1;
Micros Symbol: TBC859c SHK Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BC859C RoHS || BC859C SHIKUES SOT23
Hersteller:
SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
BC859C RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0629 0,0242 0,0118 0,0094 0,0090
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 SHIKUES 310mW 800 150MHz 100mA 30V PNP -65°C ~ 150°C
BC859C smd PNP 100mA 30V 250mW 100MHz 420 < beta < 800 PNP 100mA 30V 250mW 100MHz 420 < beta < 800
Micros Symbol: TBC859c Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BC859C .3G RoHS || BC859C smd SOT23
Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer:
BC859C .3G RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
800 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0641 0,0247 0,0120 0,0096 0,0091
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 NXP 250mW 800 100MHz 100mA 30V PNP -65°C ~ 150°C
IPA80R1K2P7 Infineon Technologies N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 2,7 Ohm; 4,5A; 25W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA80R1K2P7XKSA1; IPA80R1K2P7XKSA1;
Micros Symbol: TIPA80r1k2p7 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPA80R1K2P7XKSA1 RoHS || IPA80R1K2P7 Infineon Technologies TO220iso
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA80R1K2P7XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
47 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,3980 1,0681 0,8830 0,7738 0,7358
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
2,7Ohm 4,5A 25W TO220iso Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
IPAN70R900P7S N-Channel-MOSFET-Transistor; 700V; 30V; 9Ohm; 600mA; 17W; -50 °C ~ 150 °C; Odpowiednik: IPAN70R900P7SXKSA1;
Micros Symbol: TIPAN70r900p7s Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPAN70R900P7SXKSA1 RoHS || IPAN70R900P7S TO220iso
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPAN70R900P7SXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
Preis netto (EUR) 0,8972 0,5934 0,4890 0,4557 0,4272
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/250
Menge (mehrere 1)
900mOhm 6A 17W TO220iso INFINEON 700V 10V MOSFET -40°C ~ 150°C 30V THT
BC860B smd PNP 100mA 45V 250mW 100MHz 220 < beta < 475 PNP 100mA 45V 250mW 100MHz 220 < beta < 475
Micros Symbol: TBC860b Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BC860B RoHS || BC860BE6327HTSA1 || BC860B smd SOT23
Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer:
BC860B RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0807 0,0311 0,0152 0,0121 0,0115
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 CDIL 250mW 475 100MHz 100mA 45V PNP -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BC860BE6327HTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
51000 Stk.
Anzahl der Stücke 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0363
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SOT23 CDIL 250mW 475 100MHz 100mA 45V PNP -55°C ~ 150°C
IPB010N06NATMA1 Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK
Micros Symbol: TIPB010n06n Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPB010N06NATMA1 RoHS || IPB010N06NATMA1 || IPB010N06NATMA1 D2PAK
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB010N06NATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
D2PAK t/r
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 5,4354 5,0058 4,7447 4,6094 4,5287
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
1mOhm 180A 300W D2PAK INFINEON 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB010N06NATMA1 Präzisionsgehäuse:
D2PAK  
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 4,5287
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		1mOhm 180A 300W D2PAK INFINEON 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
BC860C JSMICRO PNP-Transistor; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC860C,215; BC860C,235; BC860CE6359HTMA1;
Micros Symbol: TBC860c JSM Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BC860C RoHS || BC860C JSMICRO SOT23
Hersteller:
JSMSEMI Hersteller-Teilenummer:
BC860C RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0779 0,0299 0,0146 0,0117 0,0111
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 JSMICRO 250mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -55°C ~ 150°C
BC860C smd PNP 100mA 45V 250mW 100MHz 420 < beta < 800 PNP 100mA 45V 250mW 100MHz 420 < beta < 800
Micros Symbol: TBC860c Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BC860C RoHS || BC860C smd SOT23
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
BC860C RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0795 0,0306 0,0150 0,0119 0,0114
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 LGE 250mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -65°C ~ 150°C
 
Hersteller:
import Hersteller-Teilenummer:
BC860C RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0795 0,0306 0,0150 0,0119 0,0114
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 LGE 250mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -65°C ~ 150°C
BC860C DIOTEC Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Micros Symbol: TBC860c DIOTEC Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BC860C RoHS 3G/4G. || BC860C DIOTEC SOT23-3
Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer:
BC860C RoHS 3G/4G. Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0888 0,0349 0,0204 0,0149 0,0136
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23-3 DIOTEC 250mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -55°C ~ 150°C
BC860C SOT23 YFW Transistor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
Micros Symbol: TBC860c YFW Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BC860C RoHS || BC860C SOT23 YFW SOT23
Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer:
BC860C RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
5980 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0567 0,0212 0,0114 0,0085 0,0078
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 YFW 200mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -65°C ~ 150°C
BC868,115 Transistor NPN; 375; 1,35W; 20V; 2A; 170MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 375; 1,35W; 20V; 2A; 170MHz; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: TBC868 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BC868,115 RoHS || BC868.115 RoHS || BC868,115 || BC868,115 SOT89
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BC868,115 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT89 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
420 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2943 0,1559 0,1208 0,1116 0,1068
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
SOT89 NXP 1,35W 375 170MHz 2A 20V NPN -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BC868.115 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT89 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
7 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3014 0,1593 0,1234 0,1139 0,1092
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
967
Menge (mehrere 1)
SOT89 NXP 1,35W 375 170MHz 2A 20V NPN -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BC868.115 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT89 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
23 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3014 0,1593 0,1234 0,1139 0,1092
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
33
Menge (mehrere 1)
SOT89 NXP 1,35W 375 170MHz 2A 20V NPN -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BC868,115 Präzisionsgehäuse:
SOT89  
Externes Lager:
8000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1357
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SOT89 NXP 1,35W 375 170MHz 2A 20V NPN -55°C ~ 150°C
BC868 China NPN 1000mA 20V 500mW 40MHz NPN 1000mA 20V 500mW 40MHz
Micros Symbol: TBC868 LGE Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BC868 RoHS || BC868 China SOT89
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
BC868 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT89 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2445 0,1225 0,0731 0,0605 0,0544
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
SOT89 LGE 500mW 375 40MHz 1A 20V NPN -55°C ~ 150°C
BC868-25 Transistor NPN; 375; 500mW; 20V; 1A; 40MHz; -55°C ~ 150°C; Ersatz: BC868-25,115;
Micros Symbol: TBC868-25 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BC868-25 RoHS CDC || BC868-25 RoHS || BC868-25 SOT89
Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer:
BC868-25 RoHS CDC Präzisionsgehäuse:
SOT89 t/r  
Auf Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1671 0,0669 0,0389 0,0323 0,0304
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
SOT89 LGE 500mW 375 40MHz 1A 20V NPN -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
BC868-25 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT89
Datenblatt
Auf Lager:
940 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2540 0,1275 0,0760 0,0629 0,0565
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
SOT89 LGE 500mW 375 40MHz 1A 20V NPN -55°C ~ 150°C
BC869 SHIKUES PNP-Transistor; 375; 1,2W; 20V; 1A; 140MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BC869,115; BC869,135; BC869TA; BC869-TP;
Micros Symbol: TBC869 SHK Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BC869 RoHS || BC869 SHIKUES SOT89
Hersteller:
SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
BC869 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT89 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2445 0,1225 0,0731 0,0605 0,0544
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
SOT89 SHIKUES 1,2W 375 140MHz 1A 20V PNP -65°C ~ 150°C
BC869 PNP 1A 20V 1.2W 140MHz PNP 1A 20V 1.2W 140MHz
Micros Symbol: TBC869 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BC869,115 RoHS || BC869 SOT89
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BC869,115 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT89 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
450 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4510 0,2492 0,1953 0,1809 0,1735
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
SOT89 NXP 1,35W 375 140MHz 2A 20V PNP -55°C ~ 150°C
BC869-25,115 PNP 2A 20V 0.5W 140MHz PNP 2A 20V 0.5W 140MHz
Micros Symbol: TBC86925 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BC869-25 RoHS || BC869-25,115 SOT89
Hersteller:
import Hersteller-Teilenummer:
BC869-25 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT89  
Auf Lager:
900 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2210 0,1208 0,0793 0,0686 0,0631
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
SOT89 JCET 500mW 375 40MHz 1A 20V PNP -55°C ~ 150°C
BCM846S Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW
Micros Symbol: TBCM846s Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BCM846SH6327 RoHS || BCM846S SOT363
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BCM846SH6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2127 0,1066 0,0634 0,0525 0,0472
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
SOT363 Infineon Technologies 250mW 450 250MHz 100mA 65V 2xNPN -65°C ~ 150°C
JNG15N120AI JIAENSEMI IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 175W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TJNG15n120ai Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
JNG15N120AI RoHS || JNG15N120AI JIAENSEMI TO 3P
Hersteller:
JIAENSEMI Hersteller-Teilenummer:
JNG15N120AI RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P
Datenblatt
Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 2,0128 1,4930 1,2746 1,2010 1,1844
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO 3P JIAENSEMI 70nC 175W 45A 30A 4,0V ~ 6,0V -55°C ~ 150°C 1200V THT 20V
IPB072N15N3G Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 7,7 mOhm; 100A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPB072N15N3GATMA1; IPB072N15N3GE8187; IPB072N15N3G E8187;
Micros Symbol: TIPB072n15n3g Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPB072N15N3G RoHS || IPB072N15N3GATMA1 || IPB072N15N3G Infineon TO263/3
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB072N15N3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263/3
Datenblatt
Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,8371 1,5333 1,3577 1,2722 1,2248
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
7,7mOhm 100A 300W TO263/3 Infineon Technologies 150V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB072N15N3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263/3/t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,8371 1,5333 1,3577 1,2722 1,2248
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
7,7mOhm 100A 300W TO263/3 Infineon Technologies 150V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB072N15N3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263/3
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,8371 1,5333 1,3577 1,2722 1,2248
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
7,7mOhm 100A 300W TO263/3 Infineon Technologies 150V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB072N15N3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263/3
Datenblatt
Auf Lager:
70 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,8371 1,5333 1,3577 1,2722 1,2248
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
7,7mOhm 100A 300W TO263/3 Infineon Technologies 150V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB072N15N3GATMA1 Präzisionsgehäuse:
TO263/3  
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,2248
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		7,7mOhm 100A 300W TO263/3 Infineon Technologies 150V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB072N15N3GATMA1 Präzisionsgehäuse:
TO263/3  
Externes Lager:
27000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,2248
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		7,7mOhm 100A 300W TO263/3 Infineon Technologies 150V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB072N15N3GATMA1 Präzisionsgehäuse:
TO263/3  
Externes Lager:
23015 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,2248
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		7,7mOhm 100A 300W TO263/3 Infineon Technologies 150V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
BCM847BS NXP 2xNPN 45V 100mA 300mW 250MHz 2xNPN 45V 100mA 300mW 250MHz
Micros Symbol: TBCM847bs Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BCM847BS Pbf M1. || BCM847BS,135 || BCM847BS,115 || BCM847BS NXP SC-88
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BCM847BS Pbf M1. Präzisionsgehäuse:
SC-88 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
48 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 248+ 1240+
Preis netto (EUR) 0,3133 0,2053 0,1474 0,1272 0,1203
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
248
Menge (mehrere 1)
SC-88 NXP 300mW 450 250MHz 100mA 45V 2xNPN -65°C ~ 150°C
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BCM847BS,135 Präzisionsgehäuse:
SC-88  
Externes Lager:
10000 Stk.
Anzahl der Stücke 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1203
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SC-88 NXP 300mW 450 250MHz 100mA 45V 2xNPN -65°C ~ 150°C
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BCM847BS,115 Präzisionsgehäuse:
SC-88  
Externes Lager:
15000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1203
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SC-88 NXP 300mW 450 250MHz 100mA 45V 2xNPN -65°C ~ 150°C
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BCM847BS,115 Präzisionsgehäuse:
SC-88  
Externes Lager:
3432000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1203
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		SC-88 NXP 300mW 450 250MHz 100mA 45V 2xNPN -65°C ~ 150°C
IPB090N06N3G INFINEON N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9,3 mOhm; 50A; 71W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPB090N06N3GATMA1;
Micros Symbol: TIPB090n06n3 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPB090N06N3G RoHS || IPB090N06N3GATMA1 || IPB090N06N3G INFINEON TO263/3
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB090N06N3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263/3
Datenblatt
Auf Lager:
126 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8853 0,5602 0,4415 0,4035 0,3845
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
9,3mOhm 50A 71W TO263/3 Infineon Technologies 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB090N06N3GATMA1 Präzisionsgehäuse:
TO263/3  
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3845
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		9,3mOhm 50A 71W TO263/3 Infineon Technologies 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB090N06N3GATMA1 Präzisionsgehäuse:
TO263/3  
Externes Lager:
7000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3845
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		9,3mOhm 50A 71W TO263/3 Infineon Technologies 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB090N06N3GATMA1 Präzisionsgehäuse:
TO263/3  
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3845
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		9,3mOhm 50A 71W TO263/3 Infineon Technologies 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
1    62  63  64  65  66  67  68  69  70    355