Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 6932)

1  2  3  4  5  6  7  8  9    232
Produkt Warenkorb
Gehäuse
Hersteller
Max. Drainstrom
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Drain-Source Spannung
Max. Gate-Source Spannung
Maximaler Leistungsverlust
Montage
Widerstand im offenen Kanal
Betriebstemperatur (Bereich)
Transistor-Typ
FS3401 SOT23(T/R) FUXIN Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLML5103; IRLML5103TRPBF;
FS3401 RoHS || FS3401 SOT23(T/R) FUXIN SOT23
Hersteller:
FUXINSEMI
Hersteller-Teilenummer:
FS3401 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1662 0,0791 0,0444 0,0337 0,0302
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 FUXIN 4,2A 30V 12V 350mW SMD 90mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
RC30N06 TO-252 RealChip Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRLR024NTRPBF;
RC30N06 RoHS || RC30N06 TO-252 RealChip TO252
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC30N06 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2441 0,1342 0,0888 0,0739 0,0695
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
TO252 RealChip 30A 60V 20V 50W SMD 33mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
2N7002A DIOTEC Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23
2N7002A RoHS || 2N7002A || 2N7002A DIOTEC SOT23
Hersteller:
DIOTEC
Hersteller-Teilenummer:
2N7002A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0904 0,0356 0,0208 0,0153 0,0139
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 DIOTEC 280mA 60V 30V 350mW SMD 5Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
DIOTEC
Hersteller-Teilenummer:
2N7002A
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
1840 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,0190
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
20
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
SOT23 DIOTEC 280mA 60V 30V 350mW SMD 5Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSS138A SOT323 HT SEMI Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138PW;
BSS138A RoHS || BSS138A SOT323 HT SEMI SOT323
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
BSS138A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2300 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0828 0,0326 0,0191 0,0140 0,0127
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT323 HT SEMI 340mA 50V 20V 350mW SMD 3Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSS84 SOT23 REALCHIP Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: BSS84AK,215;
BSS84 RoHS || BSS84 SOT23 REALCHIP SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
BSS84 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0765 0,0302 0,0176 0,0129 0,0118
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 RealChip 130mA 50V 20V 225mW SMD 10Ohm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
RCD30P03 TO-252 RealChip Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 54mOhm; 25A; 4W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
RCD30P03 RoHS || RCD30P03 TO-252 RealChip TO252
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RCD30P03 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2744 0,1462 0,1137 0,1028 0,0995
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
TO252 RealChip 25A 30V 20V 4W SMD 54mOhm -55°C ~ 175°C P-MOSFET
LGE3407 SOT23 LGE Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AO3400A 003;
LGE3407 RoHS || LGE3407 SOT23 LGE SOT23
Hersteller:
LGE
Hersteller-Teilenummer:
LGE3407 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2990 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1395 0,0663 0,0372 0,0284 0,0253
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23-3 LGE 4,3A 30V 20V 1,4W SMD 48mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
AO3401 SOT23(T/R) 4.2A EASTRONIC Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
AO3401 RoHS || AO3401 SOT23(T/R) 4.2A EASTRONIC SOT23
Hersteller:
EASTRONIC
Hersteller-Teilenummer:
AO3401 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0963 0,0379 0,0222 0,0162 0,0148
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23-3 EASTRONIC 4,2A 30V 12V 1,4W SMD 90mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
AO3400 5.8A SOT23 EASTRONIC Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 54mOhm; 5,8A; 1,3W; -55°C ~ 150°C;
AO3400 RoHS || AO3400 5.8A SOT23 EASTRONIC SOT23
Hersteller:
EASTRONIC
Hersteller-Teilenummer:
AO3400 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0930 0,0367 0,0214 0,0156 0,0143
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23-3 EASTRONIC 5,8A 30V 12V 1,3W SMD 54mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
MOT740F TO-220F MOT Transistor N-Kanal MOSFET; 400V; 30V; 580mOhm; 10A; 45W; -55°C ~ 150°C;
MOT740F RoHS || MOT740F TO-220F MOT TO220iso
Hersteller:
MOT-
Hersteller-Teilenummer:
MOT740F RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5464 0,3302 0,2534 0,2295 0,2183
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/200
Menge (mehrere 1)
TO220iso MOT 10A 400V 20V 45W THT 580mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
RC3422 SOT23-3 RealChip Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 3A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
RC3422 RoHS || RC3422 SOT23-3 RealChip SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC3422 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,1535 0,0725 0,0407 0,0307 0,0279
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
SOT23-3 RealChip 3A 60V 20V 1,6W SMD 130mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
RC4812 SOP-8 REALCHIP Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 45mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF9956TRPBF;
RC4812 RoHS || RC4812 SOP-8 REALCHIP SOP08
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC4812 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,1883 0,0944 0,0563 0,0465 0,0419
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
SOP08 RealChip 6A 30V 20V 2W SMD 45mOhm -55°C ~ 150°C 2xN-MOSFET
BSS138BK SOT23 TECH PUBLIC Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 4,5Ohm; 360mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138BK,215; BSS138BK-TP; BSS138BKT116;
BSS138BK RoHS || BSS138BK SOT23 TECH PUBLIC SOT23
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
BSS138BK RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
29000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0893 0,0351 0,0205 0,0150 0,0137
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 TECH PUBLIC 360mA 50V 20V 350mW SMD 4,5Ohm -55°C ~ 155°C N-MOSFET
AO4832 SOP8 XBLW Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 19mOhm; 10A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AO4832 RoHS || AO4832 SOP8 XBLW SOP08
Hersteller:
XBLW
Hersteller-Teilenummer:
AO4832 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2906 0,1595 0,1046 0,0902 0,0832
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
SOP08 ALPHA&OMEGA 10A 30V 20V 2W SMD 19mOhm -55°C ~ 150°C 2xN-MOSFET
RC3400A SOT23 RealChip Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; YJL3400B; RC3400A;
RC3400A RoHS || RC3400A SOT23 RealChip SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC3400A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1100 0,0505 0,0274 0,0206 0,0183
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23-3 RealChip 5,7A 30V 12V 1,4W SMD 48mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
LGE50N06D TO252 LGE Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 136W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: NDT70N06; LGE50N06D; SUD50N06-09L-E3;
LGE50N06D RoHS || LGE50N06D TO252 LGE TO252
Hersteller:
LGE
Hersteller-Teilenummer:
LGE50N06D RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
 
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2674 0,1472 0,0974 0,0811 0,0763
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
TO252 LGE 50A 60V 20V 136W SMD 20mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
BSS138BW SOT323 KINGTRONICS Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich wie: BSS138PW,115;
BSS138 RoHS || BSS138BW SOT323 KINGTRONICS SOT323
Hersteller:
KINGTRONICS
Hersteller-Teilenummer:
BSS138 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0679 0,0260 0,0128 0,0102 0,0097
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT323 KINGTRONICS 320mA 60V 20V 420mW SMD 1,6Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
MOT8205S SOT23 MOT N-CHANNEL ENHACEMENT; VDSS 20V; RDS 19mOhm; ID 6A; VDSS 20V; TEMP.-55~150°C; ODPOWIEDNIK: TSM2302CX; MOT8205SA6;
MOT8205SA6 RoHS || MOT8205S SOT23 MOT SOT23
Hersteller:
MOT-
Hersteller-Teilenummer:
MOT8205SA6 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1297 0,0595 0,0323 0,0242 0,0216
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 MOT 6A 20V 12V 1,5W SMD 25mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSS138 SOT23-3(T/R) FUXIN Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138-TP-ES; BSS138-TP;
BSS138 RoHS || BSS138 SOT23-3(T/R) FUXIN SOT23
Hersteller:
FUXINSEMI
Hersteller-Teilenummer:
BSS138 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0746 0,0288 0,0140 0,0112 0,0107
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 FUXIN 220mA 50V 20V 350W SMD 6Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
YFW2302B SOT-23 YFW Transistor N-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 78mOhm; 3,2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS205NH6327; BSS214NH6327;
YFW2302B RoHS || YFW2302B SOT-23 YFW SOT23
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW2302B RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0649 0,0251 0,0122 0,0097 0,0093
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 YFW 3,2A 20V 12V 700mW SMD 78mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
2N7002KD SOT-363(T/R) FUXIN N-Kanal SMD MOSFET ESD Protection 60V 0.34A Äquivalent: 2N7002DWH6327XTSA1;
2N7002KD RoHS || 2N7002KD SOT-363(T/R) FUXIN SOT363
Hersteller:
FUXINSEMI
Hersteller-Teilenummer:
2N7002KD RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1362 0,0625 0,0339 0,0253 0,0227
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT363 FUXIN 340mA 60V 20V 150mW SMD 5,3Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
YFW30N06AD TO-252 YFW Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 35W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: STD20NF06T4;
YFW30N06AD RoHS || YFW30N06AD TO-252 YFW TO252 (DPAK)
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW30N06AD RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1065 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1065+
Preis netto (EUR) 0,2441 0,1332 0,0874 0,0756 0,0695
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1065
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPACK) YFW 30A 60V 20V 35W SMD 40mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
NX7002AK SOT23 (NEXPERIA replacement) Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C;
NX7002AK-ES RoHS || NX7002AK SOT23 (NEXPERIA replacement) SOT23
Hersteller:
ElecSuper
Hersteller-Teilenummer:
NX7002AK-ES RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,0988 0,0393 0,0231 0,0170 0,0152
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 10)
SOT23 Nexperia 115mA 60V 20V 225mW SMD 5Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
IRF540NS TO-263 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
IRF540NS RoHS || IRF540NS TO-263 TO263 (D2PAK)
Hersteller:
ARK
Hersteller-Teilenummer:
IRF540NS RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5580 0,3092 0,2441 0,2302 0,2230
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
TO263 ARK 33A 100V 20V 110W SMD 38mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
PT3404 SOT-23(T/R) HT SEMI 30V 5.8A 19mOhm@10V SOT-23 Single FETs, MOSFETs RoHS BSS306N;
PT3404 RoHS || PT3404 SOT-23(T/R) HT SEMI SOT23
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
PT3404 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1279 0,0607 0,0342 0,0260 0,0233
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 HT 5,8A 30V 20V 1,4W SMD 41mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
RC3400 SOT23 REALCHIP Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 350mW; -55°C ~ 150°C; AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS; YJL3400B; AOS AO3400; MOT3400AB2; BSS306NH6327XTSA1; RC2304A; YFW3404B; PT3404; BSS306N-VB; LGE3404;
RC3400 RoHS || RC3400 SOT23 REALCHIP SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC3400 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1950 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 9000+
Preis netto (EUR) 0,1025 0,0409 0,0206 0,0164 0,0158
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000/9000
Menge (mehrere 10)
5,8A 30V 12V 1,4W SMD -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSS138 SOT23 YFW Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
BSS138 RoHS || BSS138 SOT23 YFW SOT23
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
BSS138 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0665 0,0256 0,0125 0,0100 0,0095
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 YFW 220mA 50V 20V 350mW SMD 6Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
8205A TSSOP8(T/R) HT SEMI Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 32mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; PT8205; Ähnlich: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A;
PT8205 RoHS || 8205A TSSOP8(T/R) HT SEMI TSSOP08
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
PT8205 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TSSOP08 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
4800 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1279 0,0512 0,0298 0,0249 0,0233
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5000
Menge (mehrere 1)
TSSOP08 HT 6A 20V 12V 1,6W SMD 32mOhm -55°C ~ 150°C 2xN-MOSFET
PT4606A SOP-8 HT SEMI Transistor N/P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF7319TRPBF; IRF7319PBF; IRF7319PBF-GURT; IRF7319 SMD; YFW6G03S; RC4606; Ähnlich: IRF7319TRPBF;
PT4606A RoHS || PT4606A SOP-8 HT SEMI SOP08
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
PT4606A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2395 0,1328 0,0884 0,0737 0,0686
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOP08 HT 6,5A 30V 20V 2W SMD 25mOhm -55°C ~ 150°C N/P-MOSFET
2302 SOT23 HT SEMI MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
2302 RoHS || 2302 SOT23 HT SEMI SOT23
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
2302 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0379 0,0139 0,0073 0,0055 0,0051
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 HT 3,5A 20V 10V 1,25W SMD 40mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
1  2  3  4  5  6  7  8  9    232

Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.