Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 6369)

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HYG053N10NS1P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 120A; 5,5mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG053n10ns1p Infos
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HYG053N10NS1P RoHS || HYG053N10NS1P HUAYI TO220
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HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG053N10NS1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,9148 0,5738 0,4492 0,4233 0,3974
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50/100
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N-MOSFET 100V 20V 5,5mOhm 120A 187,5W THT -55°C ~ 175°C TO220 HUAYI
HYG054N10NS1P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 120A; 6,4mOhm; 194,8W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG054n10ns1p Infos
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HYG054N10NS1P RoHS || HYG054N10NS1P HUAYI TO220
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HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG054N10NS1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1123 0,7384 0,6114 0,5526 0,5291
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20/100
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N-MOSFET 100V 20V 6,4mOhm 120A 194,8W THT -55°C ~ 175°C TO220 HUAYI
HYG055N08NS1P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 120A; 6,8mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG055n08ns1p Infos
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HYG055N08NS1P RoHS || HYG055N08NS1P HUAYI TO220
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HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG055N08NS1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,2040 0,8019 0,6632 0,5973 0,5738
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20/100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 80V 20V 6,8mOhm 120A 187,5W THT -55°C ~ 175°C TO220 HUAYI
HYG060N08NS1P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 105A; 6mOhm; 125W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG060n08ns1p Infos
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HYG060N08NS1P RoHS || HYG060N08NS1P HUAYI TO220
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HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG060N08NS1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1123 0,7384 0,5714 0,5526 0,5291
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50/100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 80V 20V 6mOhm 105A 125W THT -55°C ~ 175°C TO220 HUAYI
HYG065N03LR1D HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 55A; 10,9mOhm; 42W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF;
Micros Symbol: THYG065n03lr1d Infos
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HYG065N03LR1D RoHS || HYG065N03LR1D HUAYI TO252 (DPACK)
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HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG065N03LR1D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,2987 0,1905 0,1338 0,1138 0,1082
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300
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 10,9mOhm 55A 42W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) HUAYI
HYG065N07NS1P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 70V; 20V; 100A; 6,5mOhm; 125W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRF3205PBF;
Micros Symbol: THYG065n07ns1p Infos
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HYG065N07NS1P RoHS || HYG065N07NS1P HUAYI TO220
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HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG065N07NS1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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75 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7572 0,4750 0,3716 0,3504 0,3292
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50/100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 70V 20V 6,5mOhm 100A 125W THT -55°C ~ 175°C TO220 HUAYI
HYG065N15NS1W HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 165A; 7,5mOhm; 375W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG065n15ns1w Infos
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HYG065N15NS1W RoHS || HYG065N15NS1W HUAYI TO247
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HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG065N15NS1W RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 2,7749 2,3869 2,1564 2,0436 1,9824
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30
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 150V 20V 7,5mOhm 165A 375W THT -55°C ~ 175°C TO247 HUAYI
HYG090N06LS1P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 62A; 15,5mOhm; 75W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRLZ44PBF; IRLZ44NPBF;
Micros Symbol: THYG090n06ls1p Infos
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HYG090N06LS1P RoHS || HYG090N06LS1P HUAYI TO220
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HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG090N06LS1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,8325 0,5221 0,4092 0,3857 0,3621
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 15,5mOhm 62A 75W THT -55°C ~ 175°C TO220 HUAYI
HYG101N10LA1D HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 15A; 125mOhm; 51,7W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRLR120PBF; IRLR120TRLPBF; IRLR120TRPBF; IRLR120TRRPBF; IRLR120NPBF; IRLR120NTRLPBF; IRLR120NTRPBF;
Micros Symbol: THYG101n10la1d Infos
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HYG101N10LA1D RoHS || HYG101N10LA1D HUAYI TO252 (DPACK)
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG101N10LA1D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4468 0,2704 0,2081 0,1879 0,1787
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200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 125mOhm 15A 51,7W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) HUAYI
HYG170C03LR1S HUAYI N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 9,5A/8A; 19,3mOhm/40mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRF7319PBF; IRF7319TRPBF;
Micros Symbol: THYG170c03lr1s Infos
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HYG170C03LR1S RoHS || HYG170C03LR1S HUAYI SOP08
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG170C03LR1S RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4515 0,2963 0,2124 0,1858 0,1740
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N/P-MOSFET 30V 20V 19,3mOhm 9,5A 3W SMD -55°C ~ 175°C SOP08 HUAYI
HYG180N10LS1D HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 45A; 30mOhm; 71,4W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG180n10ls1d Infos
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HYG180N10LS1D RoHS || HYG180N10LS1D HUAYI TO252 (DPACK)
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG180N10LS1D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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Auf Lager:
85 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4891 0,2704 0,2138 0,2015 0,1952
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 30mOhm 45A 71,4W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) HUAYI
HYG180N10LS1P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 50A; 34mOhm; 93,7W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRF540PBF; IRF540NPBF;
Micros Symbol: THYG180n10ls1p Infos
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HYG180N10LS1P RoHS || HYG180N10LS1P HUAYI TO220
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG180N10LS1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6984 0,4374 0,3433 0,3245 0,3034
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 34mOhm 50A 93,7W THT -55°C ~ 175°C TO220 HUAYI
HYG180N10LS1S HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 9A; 26mOhm; 4,6W; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: THYG180n10ls1s Infos
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HYG180N10LS1S RoHS || HYG180N10LS1S HUAYI SOP08
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG180N10LS1S RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4562 0,2775 0,2126 0,1919 0,1825
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 26mOhm 9A 4,6W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 HUAYI
HYG210N06LA1S HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9A; 23mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRF7478PBF; IRF7478TRPBF;
Micros Symbol: THYG210n06la1s Infos
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HYG210N06LA1S RoHS || HYG210N06LA1S HUAYI SOP08
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG210N06LA1S RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4398 0,2892 0,2069 0,1808 0,1696
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 23mOhm 9A 3W SMD -55°C ~ 175°C SOP08 HUAYI
HYG210P06LQ1D HUAYI P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 40A; 32mOhm; 60W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG210p06lq1d Infos
Datenblatt
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HYG210P06LQ1D RoHS || HYG210P06LQ1D HUAYI TO252 (DPACK)
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG210P06LQ1D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5009 0,3034 0,2330 0,2102 0,2001
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 32mOhm 40A 60W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) HUAYI
HYG210P06LQ1P HUAYI P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 45A; 34mOhm; 107W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRF4905PBF;
Micros Symbol: THYG210p06lq1p Infos
Datenblatt
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HYG210P06LQ1P RoHS || HYG210P06LQ1P HUAYI TO220
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG210P06LQ1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,0817 0,7196 0,5950 0,5362 0,5150
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Standard-Verpackung:
20/100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 34mOhm 45A 107W THT -55°C ~ 175°C TO220 HUAYI
HYG260P03LR1S HUAYI P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 8A; 55mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRF7416PBF; IRF7416TRPBF;
Micros Symbol: THYG260p03lr1s Infos
Datenblatt
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HYG260P03LR1S RoHS || HYG260P03LR1S HUAYI SOP08
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG260P03LR1S RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,3598 0,2375 0,1703 0,1458 0,1387
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 55mOhm 8A 3W SMD -55°C ~ 175°C SOP08 HUAYI
HYG450P06LA1D HUAYI P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305TRPBF; IRFR5305TRRPBF; IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF;
Micros Symbol: THYG450p06la1d Infos
Datenblatt
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HYG450P06LA1D RoHS || HYG450P06LA1D HUAYI TO252 (DPACK)
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG450P06LA1D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
248 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
Preis netto (EUR) 0,5409 0,3292 0,2516 0,2241 0,2163
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 62mOhm 20A 37,5W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) HUAYI
IPA045N10N3GXKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 7,7 mOhm; 64A; 39W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TIPA045n10n3g Infos
Datenblatt
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IPA045N10N3GXKSA1 RoHS || IPA045N10N3GXKSA1 || IPA045N10N3GXKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA045N10N3GXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,6320 1,3004 1,1147 0,9994 0,9595
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 7,7mOhm 64A 39W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA045N10N3GXKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220FP  
Externes Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,9595
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 100V 20V 7,7mOhm 64A 39W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA057N06N3GXKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5,7 mOhm; 60A; 38W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TIPA057n06n3g Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPA057N06N3GXKSA1 RoHS || IPA057N06N3GXKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA057N06N3GXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,5238 1,1617 0,9618 0,8442 0,8019
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 5,7mOhm 60A 38W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA075N15N3GXKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 7,9 mOhm; 43A; 39W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TIPA075n15n3g Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPA075N15N3GXKSA1 RoHS || IPA075N15N3GXKSA1 || IPA075N15N3GXKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA075N15N3GXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 4,4116 3,7132 3,2946 3,0853 2,9607
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 150V 20V 7,9mOhm 43A 39W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon (IRF)
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA075N15N3GXKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220FP  
Externes Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,9607
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 150V 20V 7,9mOhm 43A 39W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon (IRF)
IPA083N10N5XKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 11mOhm; 44A; 36W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TIPA083n10n5 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPA083N10N5XKSA1 RoHS || IPA083N10N5XKSA1 || IPA083N10N5XKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA083N10N5XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,4439 1,1006 0,9124 0,7995 0,7596
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50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 11mOhm 44A 36W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
 
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA083N10N5XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220FP  
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Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7596
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 100V 20V 11mOhm 44A 36W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA086N10N3GXKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 15,4 mOhm; 45A; 37,5 W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TIPA086n10n3g Infos
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IPA086N10N3GXKSA1 RoHS || IPA086N10N3GXKSA1 || IPA086N10N3GXKSA1 TO220FP
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA086N10N3GXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,1970 0,9148 0,7572 0,6632 0,6302
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 15,4mOhm 45A 37,5W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA086N10N3GXKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220FP  
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5800 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6302
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Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 100V 20V 15,4mOhm 45A 37,5W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA086N10N3GXKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220FP  
Externes Lager:
7320 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6302
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 100V 20V 15,4mOhm 45A 37,5W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA105N15N3GXKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 11,1 mOhm; 37A; 40,5 W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TIPA105n15n3g Infos
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IPA105N15N3GXKSA1 RoHS || IPA105N15N3GXKSA1 || IPA105N15N3GXKSA1 TO220FP
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA105N15N3GXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,6379 3,0077 2,6362 2,4527 2,3469
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10
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N-MOSFET 150V 20V 11,1mOhm 37A 40,5W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA105N15N3GXKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220FP  
Externes Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,3469
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 150V 20V 11,1mOhm 37A 40,5W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA180N10N3GXKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 33mOhm; 28A; 30W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TIPA180n10n3g Infos
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IPA180N10N3GXKSA1 RoHS || IPA180N10N3GXKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA180N10N3GXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
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Auf Lager:
45 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,4651 1,1194 0,9265 0,8113 0,7713
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 33mOhm 28A 30W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA50R140CP N-Channel-MOSFET-Transistor; 550V; 30V; 320 mOhm; 23A; 34W; -55 °C ~ 150 °C; Odpowiednik: IPA50R140CPXKSA1;
Micros Symbol: TIPA50r140cp Infos
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IPA50R140CP RoHS || IPA50R140CPXKSA1 || IPA50R140CP TO220iso
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA50R140CP RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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Auf Lager:
12 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,7884 3,3675 3,1159 2,9889 2,9136
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 550V 30V 320mOhm 23A 34W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA50R140CPXKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Externes Lager:
5700 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,9136
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 550V 30V 320mOhm 23A 34W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
IPA50R199CP N-Channel-MOSFET-Transistor; 550V; 30V; 450 mOhm; 17A; 139W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA50R199CPXKSA1;
Micros Symbol: TIPA50r199cp Infos
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IPA50R199CP RoHS || IPA50R199CP TO220iso
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA50R199CP RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,7655 2,3892 2,1682 2,0294 1,9754
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 550V 30V 450mOhm 17A 139W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
IPA60R060C7XKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 115mOhm; 16A; 34W; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: TIPA60r060c7 Infos
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IPA60R060C7XKSA1 RoHS || IPA60R060C7XKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R060C7XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
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Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 20+ 40+ 100+
Preis netto (EUR) 6,3305 5,1994 4,5786 4,4351 4,3058
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Standard-Verpackung:
4
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 20V 115mOhm 16A 34W THT -55°C ~ 150°C TO220FP Infineon Technologies
IPA60R190C6 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 440 mOhm; 20,2A; 151W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA60R190C6XKSA1;
Micros Symbol: TIPA60r190c6 Infos
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IPA60R190C6 RoHS || IPA60R190C6XKSA1 || IPA60R190C6 TO220iso
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R190C6 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,9865 2,5797 2,3422 2,1894 2,1329
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 30V 440mOhm 20,2A 151W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R190C6XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Externes Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,1329
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 650V 30V 440mOhm 20,2A 151W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R190C6XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Externes Lager:
679 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,1329
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 650V 30V 440mOhm 20,2A 151W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
IPA60R280C6 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 660 mOhm; 13,8A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA60R280C6XKSA1;
Micros Symbol: TIPA60r280c6 Infos
Datenblatt
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IPA60R280C6 RoHS || IPA60R280C6 TO220iso
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R280C6 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 2,4057 1,9095 1,7261 1,6320 1,6038
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 30V 660mOhm 13,8A 104W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
1    32  33  34  35  36  37  38  39  40    213