Tranzystory polowe (wyszukane: 6170)

1    16  17  18  19  20  21  22  23  24    206
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
AUIRFS8405 International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 193A; 163W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRFS8405TRL;
Symbol Micros: TAUIRFS8405 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
AUIRFS8405TRL RoHS || AUIRFS8405 International Rectifier TO263 (D2PAK)
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta:
AUIRFS8405TRL RoHS Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,5200 4,9700 4,1200 3,6100 3,4300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 2,3mOhm 193A 163W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) International Rectifier
AUIRFZ44N International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: TAUIRFZ44n info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
AUIRFZ44N RoHS || AUIRFZ44N International Rectifier TO220AB
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta:
AUIRFZ44N RoHS Obudowa dokładna:
TO220AB
karta katalogowa
Stan magazynowy:
16 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,4400 5,1400 4,4000 3,9500 3,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 20V 17,5mOhm 49A 94W THT -55°C ~ 175°C TO220AB International Rectifier
AUIRLR014N International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 210mOhm; 10A; 28W; -55°C ~ 175°C;
Symbol Micros: TAUIRLR014N info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
AUIRLR014N RoHS || AUIRLR014N International Rectifier TO252 (DPACK)
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta:
AUIRLR014N RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
212 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 75+ 225+ 900+
cena netto (PLN) 2,6000 1,6500 1,2500 1,1800 1,1300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75/225
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 16V 210mOhm 10A 28W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) International Rectifier
AUIRLR3705Z International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 12mOhm; 89A; 130W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR3705ZTR; AUIRLR3705ZTRL;
Symbol Micros: TAUIRLR3705Z info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
AUIRLR3705Z RoHS || AUIRLR3705Z International Rectifier TO252 (DPACK)
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta:
AUIRLR3705Z RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
cena netto (PLN) 8,9000 6,8300 6,0700 5,7300 5,5600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 16V 12mOhm 89A 130W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) International Rectifier
BF1202WR Tranzystor 2xN-MOSFET; 10V; 6V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBF1202wr info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BR1202WR 115 RoHS || BF1202WR SOT343R
Producent:
Philips Symbol Producenta:
BR1202WR 115 RoHS Obudowa dokładna:
SOT343R  
Stan magazynowy:
69 szt.
Ilość szt. 3+ 15+ 69+ 345+ 1725+
cena netto (PLN) 1,3200 0,7530 0,5690 0,5020 0,4790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
69
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 10V 6V 30mA 200mW SMD -65°C ~ 150°C SOT343R NXP
BF998 smd Tranzystor N-Channel MOSFET; 12V; 20V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998,215; BF998 E6327;
Symbol Micros: TBF998 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BF998 RoHS || BF998 smd SOT143
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BF998 RoHS Obudowa dokładna:
SOT143 t/r  
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0200 1,2200 0,9410 0,8490 0,8080
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 12V 20V 30mA 200mW SMD -65°C ~ 150°C SOT143 Infineon Technologies
BM3415E SOT23 BORN Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 4,8A; 1,5W; -50°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBM3415e BORN info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BM3415E RoHS || BM3415E SOT23 BORN SOT23
Producent:
BORN Symbol Producenta:
BM3415E RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
280 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 0,9190 0,4330 0,2410 0,1940 0,1670
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 65mOhm 4,8A 1,5W SMD -50°C ~ 150°C SOT23 BORN
BS107P DIODES Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 30Ohm; 120mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS107AG; BS107ARL1G; BS107P;
Symbol Micros: TBS107 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BS107P RoHS || BS107P DIODES TO92
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
BS107P RoHS Obudowa dokładna:
TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,5400 2,2400 1,7700 1,6100 1,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 30Ohm 120mA 500mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
BS107P RoHS Obudowa dokładna:
TO92
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,5400 2,2400 1,7700 1,6100 1,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 30Ohm 120mA 500mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIODES
BS170-D26Z (krępowane=forming) Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT;
Symbol Micros: TBS170F info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
BS170-D26Z RoHS || BS170FTA || BS170-D26Z (krępowane=forming) TO92formed
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
BS170-D26Z RoHS Obudowa dokładna:
TO92formed t/r  
Stan magazynowy:
3720 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,4100 0,7810 0,6170 0,5600 0,5420
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
BS170FTA Obudowa dokładna:
TO92formed  
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5420
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed ON SEMICONDUCTOR
BS170FTA smd Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5Ohm; 0,15mA; 330mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBS170sot23 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BS170FTA RoHS || BS170FTA smd SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
BS170FTA RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
565 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,1200 1,2800 0,9880 0,8910 0,8480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2403
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 5Ohm 0,15mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
BS250FTA Tranzystor P-Channel MOSFET; 45V; +/-20V; 90mA; 14Ohm; 330mW; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TBS250fta info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BS250FTA RoHS || BS250FTA SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
BS250FTA RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3200 1,4100 1,0800 0,9760 0,9290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 45V 20V 14Ohm 90mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
BS270 Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Tranzystor: N-MOSFET | unipolarny | 60V | 0,4A | Idm: 2A | 0,625W | TO92
Symbol Micros: TBS270 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BS270 RoHS || BS270 TO92
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
BS270 RoHS Obudowa dokładna:
TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
494 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 30+ 100+ 494+
cena netto (PLN) 1,5900 1,0300 0,7960 0,6750 0,6100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
494
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 400mA 625mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ONSEMI
BSC010NE2LSATMA1 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 1,3mOhm; 100A; 96W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC010NE2LSATMA1;
Symbol Micros: TBSC010ne2ls info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC010NE2LSATMA1 RoHS || BSC010NE2LSATMA1 Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC010NE2LSATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,2800 4,0300 3,3400 2,9200 2,7800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 25V 20V 1,3mOhm 100A 96W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC016N04LS G Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC016N04LSGATMA1;
Symbol Micros: TBSC016n04ls info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC016N04LSGATMA1 RoHS || BSC016N04LS G TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC016N04LSGATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
38 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,6200 4,2900 3,5500 3,1100 2,9600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 2,3mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC016N06NS Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,9mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSC016n06ns info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC016N06NS RoHS || BSC016N06NS TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC016N06NS RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
39 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 10,0500 7,9800 7,2100 6,8200 6,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 2,9mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC018NE2LS Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 69W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC018NE2LSI; BSC018NE2LSATMA1;
Symbol Micros: TBSC018ne2ls info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC018NE2LS RoHS || BSC018NE2LSATMA1 || BSC018NE2LS Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC018NE2LS RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,0600 1,9200 1,5900 1,4200 1,3300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 25V 20V 2,3mOhm 100A 69W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC018NE2LSATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4381
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 25V 20V 2,3mOhm 100A 69W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC019N02KSG Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 3mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC019N02KSGAUMA1;
Symbol Micros: TBSC019n02ksg info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC019N02KSG RoHS || BSC019N02KSG Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC019N02KSG RoHS Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,9300 4,1500 3,5300 3,2300 3,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 3mOhm 100A 104W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC019N04NSGATMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 1,9mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSC019n04ns info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC019N04NSGATMA1 RoHS || BSC019N04NSGATMA1 || BSC019N04NSGATMA1 TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC019N04NSGATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 11,4700 8,8100 7,8300 7,3300 7,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 1,9mOhm 100A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC019N04NSGATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 40V 20V 1,9mOhm 100A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC022N04LS6 Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 3,2mOhm; 139A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BSC022N04LS6ATMA1;
Symbol Micros: TBSC022n04ls6 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC022N04LS6ATMA1 RoHS || BSC022N04LS6 TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC022N04LS6ATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 12,7900 10,5700 9,2600 8,6300 8,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 3,2mOhm 139A 79W SMD -55°C ~ 175°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC024NE2LS INFINEON Tranzystor N-MOSFET; 25V; 20V; 3,4mOhm; 100A; 48W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC024NE2LSATMA1;
Symbol Micros: TBSC024ne2ls info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC024NE2LSATMA1 RoHS || BSC024NE2LSATMA1 || BSC024NE2LS INFINEON TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC024NE2LSATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,8300 3,2100 2,6600 2,4000 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
510
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 25V 20V 3,4mOhm 100A 48W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC024NE2LSATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 25V 20V 3,4mOhm 100A 48W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC027N04LSG Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,1mOhm; 100A; 83W; -55°C ~ 150°C; BSC027N04LS G; BSC027N04LS G; SP000354810
Symbol Micros: TBSC027n04lsg info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
BSC027N04LSG RoHS || BSC027N04LSGATMA1 || BSC027N04LSG TDSON-8
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC027N04LSG RoHS Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
81 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,1400 2,7500 2,2800 2,0500 1,9700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 4,1mOhm 100A 83W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC027N04LSGATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON-8  
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,9700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 40V 20V 4,1mOhm 100A 83W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 5,7mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSC040n08ns5 info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
BSC040N08NS5ATMA1 RoHS || BSC040N08NS5ATMA1 || BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON TDSON-8
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC040N08NS5ATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,6800 3,9800 3,3800 3,0900 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 80V 20V 5,7mOhm 100A 104W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC040N08NS5ATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON-8  
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 80V 20V 5,7mOhm 100A 104W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC040N08NS5ATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON-8  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 80V 20V 5,7mOhm 100A 104W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
BSC042N03LSGATMA1 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,5mOhm; 93A; 57W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSC042n03ls info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC042N03LSG RoHS || BSC042N03LSGATMA1 || BSC042N03LSGATMA1 Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC042N03LSG RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
67 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,8700 1,8000 1,5000 1,3300 1,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 6,5mOhm 93A 57W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC042N03LSGATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 30V 20V 6,5mOhm 93A 57W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,2mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC042NE7NS3GATMA1; BSC042NE7NS3G;
Symbol Micros: TBSC042ne7ns3g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC042NE7NS3G RoHS || BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC042NE7NS3G RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 7,1400 5,6600 4,8200 4,4200 4,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 75V 20V 4,2mOhm 100A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC070N10NS3 G Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 14mOhm; 90A; 114W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC070N10NS3GATMA1;
Symbol Micros: TBSC070n10ns3 info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
BSC070N10NS3G RoHS || BSC070N10NS3GATMA1 || BSC070N10NS3 G TDSON-8
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC070N10NS3G RoHS Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,4800 6,7700 5,7900 5,2000 4,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 14mOhm 90A 114W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC070N10NS3GATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON-8  
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 100V 20V 14mOhm 90A 114W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC070N10NS3GATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON-8  
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 100V 20V 14mOhm 90A 114W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
BSC0909NSATMA1 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 34V; 20V; 11,8mOhm; 44A; 27W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSC0909ns info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC0909NS RoHS || BSC0909NSATMA1 || BSC0909NSATMA1 Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC0909NS RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9800 1,1000 0,8680 0,8180 0,7920
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 34V 20V 11,8mOhm 44A 27W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC0909NSATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7920
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 34V 20V 11,8mOhm 44A 27W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC190N15NS3G Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 20mOhm; 50A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC190N15NS3GATMA1;
Symbol Micros: TBSC190n15ns3g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC190N15NS3GATMA1 RoHS || BSC190N15NS3GATMA1 || BSC190N15NS3G Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC190N15NS3GATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,2600 6,1300 5,3600 4,9800 4,8600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 150V 20V 20mOhm 50A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC190N15NS3GATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,8600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 150V 20V 20mOhm 50A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC440N10NS3GATMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 44mOhm; 5,3A; 29W; -55°C~150°C; BSC440N10NS3 G;
Symbol Micros: TBSC440n10ns3 info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
BSC440N10NS3G RoHS || BSC440N10NS3GATMA1 TDSON-8
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC440N10NS3G RoHS Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 6,0200 4,2200 3,4800 3,2100 3,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET 100V 20V 44mOhm 5,3A 29W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 INFINEON
BSD214SN Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSD214SNH6327XTSA1; BSD214SNH6327;
Symbol Micros: TBSD214sn info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSD214SNH6327XTSA1 RoHS || BSD214SNH6327XTSA1 || BSD214SN Infineon SOT363
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD214SNH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
17 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 40+ 147+ 588+
cena netto (PLN) 1,3400 0,8760 0,6450 0,5560 0,5170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
147
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 250mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD214SNH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 20V 12V 250mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
BSD235CH6327XTSA1 Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 600mOhm/2,1Ohm; 950mA/530mA; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSD235c info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSD235CH6327XTSA1 RoHS || BSD235CH6327XTSA1 || BSD235CH6327XTSA1 SOT363
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD235CH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3635 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1800 0,6260 0,4850 0,4480 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 20V 12V 2,1Ohm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD235CH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N/P-MOSFET 20V 12V 2,1Ohm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD235CH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
207000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N/P-MOSFET 20V 12V 2,1Ohm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD235CH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N/P-MOSFET 20V 12V 2,1Ohm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
1    16  17  18  19  20  21  22  23  24    206