Tranzystory polowe (wyszukane: 6492)

1    16  17  18  19  20  21  22  23  24    217
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
BSC0909NSATMA1 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 34V; 20V; 11,8mOhm; 44A; 27W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSC0909ns info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC0909NS RoHS || BSC0909NSATMA1 || BSC0909NSATMA1 Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC0909NS RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,1800 1,2100 0,9530 0,8990 0,8700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 34V 20V 11,8mOhm 44A 27W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC0909NSATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 34V 20V 11,8mOhm 44A 27W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC190N15NS3G Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 20mOhm; 50A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC190N15NS3GATMA1;
Symbol Micros: TBSC190n15ns3g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSC190N15NS3GATMA1 RoHS || BSC190N15NS3GATMA1 || BSC190N15NS3G Infineon TDSON08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC190N15NS3GATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,0100 6,3600 5,7500 5,4400 5,3400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 150V 20V 20mOhm 50A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC190N15NS3GATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,3400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 150V 20V 20mOhm 50A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC190N15NS3GATMA1 Obudowa dokładna:
TDSON08  
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,3400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 150V 20V 20mOhm 50A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC440N10NS3GATMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 44mOhm; 5,3A; 29W; -55°C~150°C; BSC440N10NS3 G;
Symbol Micros: TBSC440n10ns3 info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
BSC440N10NS3G RoHS || BSC440N10NS3GATMA1 TDSON-8
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSC440N10NS3G RoHS Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 6,6300 4,6400 3,8300 3,5400 3,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET 100V 20V 44mOhm 5,3A 29W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 INFINEON
BSD214SN Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSD214SNH6327XTSA1; BSD214SNH6327;
Symbol Micros: TBSD214sn info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSD214SNH6327XTSA1 RoHS || BSD214SNH6327XTSA1 || BSD214SN Infineon SOT363
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD214SNH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
17 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 40+ 147+ 588+
cena netto (PLN) 1,4800 0,9630 0,7090 0,6110 0,5680
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
147
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 250mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD214SNH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5680
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 20V 12V 250mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
BSD235CH6327XTSA1 Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 600mOhm/2,1Ohm; 950mA/530mA; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSD235c info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSD235CH6327XTSA1 RoHS || BSD235CH6327XTSA1 || BSD235CH6327XTSA1 SOT363
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD235CH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3635 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1800 0,6260 0,4850 0,4480 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 20V 12V 2,1Ohm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD235CH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N/P-MOSFET 20V 12V 2,1Ohm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD235CH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
279000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N/P-MOSFET 20V 12V 2,1Ohm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD235CH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N/P-MOSFET 20V 12V 2,1Ohm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
BSD235NH6327XTSA1 Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 226mOhm; 950mA; 500mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652;
Symbol Micros: TBSD235nh info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSD235NH6327XTSA1 RoHS || BSD235NH6327XTSA1 || BSD235NH6327XTSA1 SOT363
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD235NH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1600 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,6180 0,4100 0,3430 0,3190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET 20V 12V 225mOhm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 INFINEON
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD235NH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
114000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		MOSFET 20V 12V 225mOhm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 INFINEON
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD235NH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		MOSFET 20V 12V 225mOhm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 INFINEON
BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 230mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSD314spe info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSD314SPEH6327XTSA RoHS || BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon SOT363
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD314SPEH6327XTSA RoHS Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,6110 0,4010 0,3620 0,3190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 230mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
BSD840N Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 400mOhm; 880mA; 500mW; -55°C~150°C; Odpowiedniki: BSD840NH6327XTSA1; BSD840NH6327;
Symbol Micros: TBSD840n info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSD840NH6327XTSA1 RoHS || BSD840NH6327XTSA1 || BSD840N SOT363
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD840NH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9450 0,5230 0,3470 0,2900 0,2700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 20V 8V 400mOhm 880mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 INFINEON
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSD840NH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
762000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		2xN-MOSFET 20V 8V 400mOhm 880mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 INFINEON
BSH103,215 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 600mOhm; 850mA; 750mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH103,215; BSH103,235; BSH103.215;
Symbol Micros: TBSH103 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH103 RoHS || BSH103,215 || BSH103,235 || BSH103,215 SOT23
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH103 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
3890 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1800 0,6260 0,4850 0,4480 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 8V 600mOhm 850mA 750mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH103,215 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 30V 8V 600mOhm 850mA 750mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH103,235 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt.
Ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 30V 8V 600mOhm 850mA 750mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH103,235 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
70000 szt.
Ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 30V 8V 600mOhm 850mA 750mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSH105 Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 8V; 375mOhm; 1,05A; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH105,215; BSH105,235;
Symbol Micros: TBSH105 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH105,215 RoHS || BSH105,235 || BSH105,215 || BSH105 SOT23
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH105,215 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
4144 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,4100 0,7790 0,6130 0,5670 0,5440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 20V 8V 375mOhm 1,05A 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH105,235 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 20V 20V 8V 375mOhm 1,05A 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH105,215 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 20V 20V 8V 375mOhm 1,05A 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH105,215 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
72000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 20V 20V 8V 375mOhm 1,05A 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSH108 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 30V; 20V; 240mOhm; 1,9A; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH108,215;
Symbol Micros: TBSH108 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH108 RoHS || BSH108,215 || BSH108 SOT23
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH108 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
360 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2180+
cena netto (PLN) 0,9100 0,5020 0,3330 0,2770 0,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2180
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 30V 20V 240mOhm 1,9A 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH108 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
1500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9100 0,5040 0,3340 0,2790 0,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 30V 20V 240mOhm 1,9A 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH108,215 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3428
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 30V 30V 20V 240mOhm 1,9A 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH108,215 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3237
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 30V 30V 20V 240mOhm 1,9A 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSH111 Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 10V; 8Ohm; 335mA; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH111BKR; BSH111,235;
Symbol Micros: TBSH111 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH111 RoHS || BSH111BKR || BSH111 SOT23
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH111 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,4100 1,4500 1,1100 0,9970 0,9630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 55V 10V 8Ohm 335mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH111BKR Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 55V 55V 10V 8Ohm 335mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH111BKR Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 55V 55V 10V 8Ohm 335mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH111BKR Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
114000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 55V 55V 10V 8Ohm 335mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSH114 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 1,15Ohm; 850mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH114,235; BSH114,215; BSH114-VB;
Symbol Micros: TBSH114 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH114,215 RoHS || BSH114 SOT23-3
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH114,215 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
63 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 4,6200 3,0500 2,5100 2,2500 2,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20/200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 100V 20V 1,15Ohm 850mA 830mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
BSH201 Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 4,25Ohm; 300mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH201,215; BSH205.215;
Symbol Micros: TBSH201 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH201,215 RoHS || BSH201,215 || BSH201 SOT23-3
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH201,215 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2520 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1600 0,6130 0,4750 0,4380 0,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 60V 20V 4,25Ohm 300mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH201,215 Obudowa dokładna:
SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 60V 20V 4,25Ohm 300mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH201,215 Obudowa dokładna:
SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
186000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 60V 20V 4,25Ohm 300mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH201,215 Obudowa dokładna:
SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 60V 20V 4,25Ohm 300mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
BSH202 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 30V; 20V; 1,35Ohm; 520mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH202,215;
Symbol Micros: TBSH202 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH202 RoHS || BSH202 SOT23
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH202 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,2200 0,7810 0,5500 0,4670 0,4440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 30V 20V 1,35Ohm 520mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSH203 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 30V; 8V; 1,65Ohm; 470mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH203,215;
Symbol Micros: TBSH203 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH203,215 RoHS WJ. || BSH203,215 || BSH203 SOT23-3
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH203,215 RoHS WJ. Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
190 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2300 0,6720 0,4410 0,3980 0,3510
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 30V 8V 1,65Ohm 470mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH203,215 Obudowa dokładna:
SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3510
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 30V 30V 8V 1,65Ohm 470mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH203,215 Obudowa dokładna:
SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3510
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 30V 30V 8V 1,65Ohm 470mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
BSH205 Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 12V; 8V; 750mOhm; 750mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH205G2R; BSH205,215; BSH205G2VL; BSH205215;
Symbol Micros: TBSH205 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH205G2 RoHS || BSH205G2R || BSH205G2VL || BSH205 SOT23
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH205G2 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
5265 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,1100 0,6140 0,4080 0,3400 0,3170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/6000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 12V 12V 8V 750mOhm 750mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH205G2R Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 12V 12V 8V 750mOhm 750mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH205G2VL Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
Ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 12V 12V 8V 750mOhm 750mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH205G2R Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 12V 12V 8V 750mOhm 750mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSL207SPH6327 Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSL207SPH6327XTSA1;
Symbol Micros: TBSL207sph info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSL207SPH6327 Pbf sPA || BSL207SPH6327XTSA1 || BSL207SPH6327 TSOP06
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL207SPH6327 Pbf sPA Obudowa dokładna:
TSOP06 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
465 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,3500 0,7470 0,5900 0,5350 0,5180
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 65mOhm 6A 2W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 NXP
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL207SPH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
TSOP06  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6905
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 20V 12V 65mOhm 6A 2W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 NXP
BSL211SPH6327 Infineon Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSL211SPH6327XTSA1;
Symbol Micros: TBSL211sp info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSL211SPH6327 RoHS || BSL211SPH6327XTSA1 || BSL211SPH6327 Infineon TSOP06
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL211SPH6327 RoHS Obudowa dokładna:
TSOP06 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7300 1,1300 0,8100 0,7080 0,6640
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 110mOhm 4,7A 2W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL211SPH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
TSOP06  
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6640
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 20V 12V 110mOhm 4,7A 2W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL211SPH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
TSOP06  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6640
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 20V 12V 110mOhm 4,7A 2W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
BSL215CH6327XTSA1 Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm/280mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSL215CH6327XTSA1; BSL215C H6327; SP001101000; BSL215CH6327;
Symbol Micros: TBSL215c info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSL215CH6327 RoHS || BSL215CH6327XTSA1 RoHS || BSL215CH6327XTSA1 || BSL215CH6327XTSA1 TSOP06
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL215CH6327 RoHS Obudowa dokładna:
TSOP06 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
16 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9500 1,1800 0,9060 0,8180 0,7780
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 20V 12V 280mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL215CH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TSOP06 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4260 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9500 1,1800 0,9060 0,8180 0,7780
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 20V 12V 280mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL215CH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
TSOP06  
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7780
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N/P-MOSFET 20V 12V 280mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
BSL307SPH6327 Infineon Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 74mOhm; 5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSL307SPH6327XTSA1;
Symbol Micros: TBSL307sp info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSL307SPH6327XTSA1 RoHS || BSL307SPH6327XTSA1 || BSL307SPH6327 Infineon TSOP06
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL307SPH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TSOP06 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1150 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,9900 1,8900 1,4900 1,3600 1,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 74mOhm 5,5A 2W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL307SPH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
TSOP06  
Magazyn zewnetrzny:
180000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 30V 20V 74mOhm 5,5A 2W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
BSN20 NXP Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 28Ohm; 173mA; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSN20,215; BSN20,235;
Symbol Micros: TBSN20 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSN20 RoHS || BSN20 NXP SOT23
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSN20 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
2900 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9410 0,4770 0,2890 0,2290 0,2090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 50V 50V 20V 28Ohm 173mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSN20-7 Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 500mA; 600mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSN20-7 Diodes info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSN20-7 RoHS || BSN20-7 || BSN20-7 SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
BSN20-7 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2215 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8100 0,4110 0,2490 0,1970 0,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 50V 20V 2Ohm 500mA 600mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
BSN20-7 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2158
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 50V 20V 2Ohm 500mA 600mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
BSN20-7 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
300000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1864
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 50V 20V 2Ohm 500mA 600mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
BSN20-7 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1887
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 50V 20V 2Ohm 500mA 600mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
BSO080P03S Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 8mOhm; 14,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSO080p03s info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSO080P03S RoHS || BSO080P03S SOP08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSO080P03S RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
410 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,4300 3,8100 3,2300 2,9600 2,8600
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 25V 8mOhm 14,9A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSO080P03S RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,9100 4,1400 3,5200 3,2200 3,1100
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
1020
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 25V 8mOhm 14,9A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Infineon Technologies
BSO220N03MDG INFINEON Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 27mOhm; 7,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSO220N03MDGXUMA1;
Symbol Micros: TBSO220n03mdg info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSO220N03MDG RoHS || BSO220N03MDGXUMA1 || BSO220N03MDG INFINEON SOIC08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSO220N03MDG RoHS Obudowa dokładna:
SOIC08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4900 1,3800 1,0900 1,0300 0,9950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 30V 20V 27mOhm 7,7A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOIC08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSO220N03MDGXUMA1 Obudowa dokładna:
SOIC08  
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		2xN-MOSFET 30V 20V 27mOhm 7,7A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOIC08 Infineon Technologies
BSO613SPV G Infineon Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 3,44A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSO613SPVGHUMA1; BSO613SPVGXUMA1;
Symbol Micros: TBSO613spv info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BS0613SPV G RoHS || BSO613SPV G Infineon SOIC08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BS0613SPV G RoHS Obudowa dokładna:
SOIC08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,6300 2,2800 1,8900 1,6900 1,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 130mOhm 3,44A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOIC08 Infineon Technologies
BSP125 Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 60Ohm; 120mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP125H6327XTSA1; BSP125H6433XTMA1; BSP125H6327; BSP125L6327HTSA1; BSP125H6327XTSA1S;
Symbol Micros: TBSP125 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSP125-L6327 RoHS || BSP125H6433XTMA1 || BSP125 SOT223
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP125-L6327 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,5000 1,3900 1,0900 1,0300 0,9980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 600V 20V 60Ohm 120mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP125H6433XTMA1 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
Ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 600V 20V 60Ohm 120mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
BSP129H6327XTSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129;
Symbol Micros: TBSP129 info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
BSP129H6327XTSA1 RoHS || BSP129H6327XTSA1 || BSP129H6327XTSA1 SOT223-3
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP129H6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223-4 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,8200 2,5400 2,1000 1,9000 1,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 240V 20V 20Ohm 350mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP129H6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1755 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,8200 2,5400 2,1000 1,9000 1,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 240V 20V 20Ohm 350mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP129H6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223-3  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 240V 20V 20Ohm 350mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP129H6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223-3  
Magazyn zewnetrzny:
19000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 240V 20V 20Ohm 350mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP129H6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223-3  
Magazyn zewnetrzny:
4375 szt.
Ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 240V 20V 20Ohm 350mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon (IRF)
BSP135 Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 60Ohm; 120mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP135H6327; BSP135H6327XTSA1; BSP135H6906XTSA1; BSP135H6433XTMA1; BSP135H6327/SN;
Symbol Micros: TBSP135 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSP135H6327XTSA1 RoHS || BSP135H6327XTSA1 || BSP135 SOT223
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP135H6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,5600 5,0000 4,1400 3,6300 3,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 600V 20V 60Ohm 120mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP135H6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 600V 20V 60Ohm 120mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP135H6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 600V 20V 60Ohm 120mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP135H6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
124604 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 600V 20V 60Ohm 120mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
BSP170P Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP170PH6327XTSA1; BSP170P H6327;
Symbol Micros: TBSP170p info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSP170PH6327 RoHS || BSP170PH6327XTSA1 || BSP170P SOT223
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP170PH6327 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,6500 1,6600 1,3800 1,2300 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,9A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP170PH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
8250 szt.
Ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,9A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP170PH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
74000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,9A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP170PH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
219000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,9A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
1    16  17  18  19  20  21  22  23  24    217