Tranzystory polowe (wyszukane: 6174)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AP9971GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 25A; 39W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Advanced Power Electronics Corp. Symbol Producenta: AP9971GH-HF-3 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
240 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 50mOhm | 25A | 39W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP9977GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 125mOhm; 11A; 21W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
240 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 25V | 125mOhm | 11A | 21W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP9997GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 3,2A; 2,8W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
285 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 3,2A | 2,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AUIRF1010EZS International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 84A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRF1010EZSTRL;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: AUIRF1010EZS RoHS Obudowa dokładna: D2PAK |
Stan magazynowy:
6 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 8,5mOhm | 84A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRF1404 International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: AUIRF1404 RoHS Obudowa dokładna: TO220AB |
Stan magazynowy:
18 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 4mOhm | 202A | 333W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRF3710ZSTRL
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRF3710ZSTRL; AUIRF3710ZS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 18mOhm | 59A | 160W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRF4905S International Rectifier
Tranzystor P-MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 70A | 170W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRF7416QTR International Rectifier
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 10A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRF9540N
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 117mOhm; 23A; 140W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
46 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRF9Z34N International Rectifier
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 100mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 100mOhm | 19A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO-220AB | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRFR4104 International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 5,5mOhm; 119A; 140W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 5,5mOhm | 119A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRFR5305 International Rectifier
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRFR5305TRL; AUIRFR5305TR;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75/150 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 65mOhm | 31A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRFR8401 International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,25mOhm; 100A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRFR8401TRL; AUIRFR8401TR;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: AUIRFR8401 RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 4,25mOhm | 100A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: AUIRFR8401 RoHS Obudowa dokładna: DPAK |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 4,25mOhm | 100A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRFS8405 International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 193A; 163W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRFS8405TRL;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 2,3mOhm | 193A | 163W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRFZ44N International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
16 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 17,5mOhm | 49A | 94W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRLR014N International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 210mOhm; 10A; 28W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
212 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75/225 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 210mOhm | 10A | 28W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||||||||||
AUIRLR3705Z International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 12mOhm; 89A; 130W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR3705ZTR; AUIRLR3705ZTRL;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 12mOhm | 89A | 130W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||||||||||
BF1202WR
Tranzystor 2xN-MOSFET; 10V; 6V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Philips Symbol Producenta: BR1202WR 115 RoHS Obudowa dokładna: SOT343R |
Stan magazynowy:
69 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 69 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 10V | 6V | 30mA | 200mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT343R | NXP | ||||||||||||||
BF998 smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 12V; 20V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998,215; BF998 E6327;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BF998 RoHS Obudowa dokładna: SOT143 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 12V | 20V | 30mA | 200mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT143 | Infineon Technologies | ||||||||||||||
BM3415E SOT23 BORN
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 4,8A; 1,5W; -50°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
280 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 65mOhm | 4,8A | 1,5W | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | BORN | |||||||||||||
BS107P DIODES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 30Ohm; 120mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS107AG; BS107ARL1G; BS107P;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 30Ohm | 120mA | 500mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | DIODES | |||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 30Ohm | 120mA | 500mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | DIODES | |||||||||||||
BS170-D26Z (krępowane=forming)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170-D26Z RoHS Obudowa dokładna: TO92formed t/r |
Stan magazynowy:
3720 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92formed | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BS170FTA Obudowa dokładna: TO92formed |
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92formed | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
BS170FTA smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5Ohm; 0,15mA; 330mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BS170FTA RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
565 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2403 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 5Ohm | 0,15mA | 330mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
BS250FTA
Tranzystor P-Channel MOSFET; 45V; +/-20V; 90mA; 14Ohm; 330mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 45V | 20V | 14Ohm | 90mA | 330mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
BS270
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Tranzystor: N-MOSFET | unipolarny | 60V | 0,4A | Idm: 2A | 0,625W | TO92
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
494 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 494 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 400mA | 625mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ONSEMI | |||||||||||||
BSC010NE2LSATMA1 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 1,3mOhm; 100A; 96W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC010NE2LSATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 25V | 20V | 1,3mOhm | 100A | 96W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC016N04LS G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC016N04LSGATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
38 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 2,3mOhm | 100A | 139W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC016N06NS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,9mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
39 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,9mOhm | 100A | 139W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC016N06NSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
55000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,9mOhm | 100A | 139W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC018NE2LS Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 69W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC018NE2LSI; BSC018NE2LSATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 25V | 20V | 2,3mOhm | 100A | 69W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC018NE2LSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 25V | 20V | 2,3mOhm | 100A | 69W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC019N02KSG Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 3mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC019N02KSGAUMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 3mOhm | 100A | 104W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies |