Tranzystory polowe (wyszukane: 6943)
| Produkt | Koszyk |
Obudowa
|
Producent
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Typ tranzystora
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7002A DIOTEC
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | DIOTEC | 280mA | 60V | 30V | 350mW | SMD | 5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N7002A Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
4140 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | DIOTEC | 280mA | 60V | 30V | 350mW | SMD | 5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N7002A Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
1840 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | DIOTEC | 280mA | 60V | 30V | 350mW | SMD | 5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
RCD30P03 TO-252 RealChip
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 | RealChip | -25A | -30V | -20V | 50W | SMD | 55mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
FS3401 SOT23(T/R) FUXIN
30V 4.2A 100mOhm@2.5V 350mW 1.4V@250uA 1 P-Channel SOT-23 Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: IRLML5103; IRLML5103TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23-3 | FUXIN | -760mA | -30V | -20V | 540mW | SMD | 600mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
BSS138A SOT323 HT SEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138PW;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT323 | HT SEMI | 360mA | 60V | 20V | 420mW | SMD | 1,6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
AO3400 5.8A SOT23 EASTRONIC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 59mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23-3 | EASTRONIC | 5,8A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 59mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSS138BK SOT23 TECH PUBLIC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 4,5Ohm; 360mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138BK,215; BSS138BK-TP; BSS138BKT116;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
29000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | TECH PUBLIC | 360mA | 50V | 20V | 350mW | SMD | 4,5Ohm | -55°C ~ 155°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
RC3400A SOT23 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; YJL3400B; RC3400A;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23-3 | RealChip | 5,7A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 48mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
LGE3407 SOT23 LGE
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400A 003;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2990 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23-3 | ALPHA&OMEGA | 4,3A | 30V | 20V | 1,4W | SMD | 48mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
LGE50N06D TO252 LGE
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 136W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: NDT70N06; LGE50N06D; SUD50N06-09L-E3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
LGE Symbol Producenta: LGE50N06D RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 | LGE | 50A | 60V | 20V | 136W | SMD | 20mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
NX7002AK SOT23 (NEXPERIA replacement)
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | Nexperia | 115mA | 60V | 20V | 225mW | SMD | 5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSS138BW SOT323 KINGTRONICS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS138PW,115;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
KINGTRONICS Symbol Producenta: BSS138 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT323 | KINGTRONICS | 320mA | 60V | 20V | 420mW | SMD | 1,6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSS84 SOT23 REALCHIP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS84AK,215;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | RealChip | -130mA | -50V | 20V | 360mW | SMD | 7Ohm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
MOT740F TO-220F MOT
Tranzystor N-MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 5,4A; 40W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | MOT | 10A | 400V | 20V | 125W | THT | 5,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
MOT8205S SOT23 MOT
N-CHANNEL ENHACEMENT; VDSS 20V; RDS 19mOhm; ID 6A; VDSS 20V; TEMP.-55~150°C; ODPOWIEDNIK: TSM2302CX; MOT8205SA6;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | MOT | 6A | 20V | 12V | 1,5W | SMD | 25mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
RC3422 SOT23-3 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 12V; 210mOhm; 2,1A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23-3 | RealChip | 2A | 55V | 12V | 1,56W | SMD | 120mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
RC4812 SOP-8 REALCHIP
ODPOWIEDNIK: IRF9956TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | RealChip | 6A | 30V | 20V | 2W | SMD | 30mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
|
RC30N06 TO-252 RealChip
N-Channel 60V 20A 25W Surface Mount TO-252 ODPOWIEDNIK: IRLR024NTRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 | RealChip | 30A | 60V | 20V | 2,5W | SMD | 35mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
AO4832 SOP8 XBLW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 19mOhm; 10A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
XBLW Symbol Producenta: AO4832 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | ALPHA&OMEGA | 10A | 30V | 20V | 2W | SMD | 19mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
|
PTD30P25 TO252 HT SEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; podobny do: YFW60P03AD; PTD40P20; HSU3103; DOD23-O4; DOD30P03; TW40P03D; SP30P20TH; PTD30P25; AOD417;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 | HT | 25A | 30V | 20V | 38W | SMD | 29mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
PT3400 SOT-23(T/R) HT SEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; -50°C ~ 150°C; Podobny do: AO3400; YJL3400B;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | HT | 5,8A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 52mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
PT3404 SOT-23(T/R) HT SEMI
30V 5.8A 19mOhm@10V SOT-23 Single FETs, MOSFETs RoHS Podobny do: BSS306N;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | HT | 5,8A | 30V | 20V | 1,4W | SMD | 41mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
MOT50N06D TO252 MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 75W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: IRLR2905ZTRPBF; IRLR3636TRPBF; YJD50N06A; AOD442;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | MOT | 50A | 60V | 20V | 75W | SMD | 20mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
8205A TSSOP8(T/R) HT SEMI
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 32mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; PT8205; Podobny do: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4800 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Ilość (wielokrotność 1) |
TSSOP08 | HT | 6A | 20V | 12V | 1,6W | SMD | 32mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
|
PT4606A SOP-8 HT SEMI
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 6,5A/5,8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7319TRPBF; IRF7319PBF; IRF7319PBF-GURT; IRF7319 SMD; YFW6G03S; RC4606; Podobny do: IRF7319TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | HT | 6,5A | 30V | 20V | 2W | SMD | 25mOhm | -55°C ~ 150°C | N/P-MOSFET | |||||||||||||
|
2302 SOT23 HT SEMI
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | HT | 3,5A | 20V | 10V | 1,25W | SMD | 40mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
RC3400 SOT23 REALCHIP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS; YJL3400B; AOS AO3400; MOT3400AB2; BSS306NH6327XTSA1; RC2304A; YFW3404B; PT3404; BSS306N-VB; LGE3404;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1950 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 10) |
5,8A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||||||
|
2N7002AK SOT-23 YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002,215; 2N7002BK; 2N7002P,215;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | YFW | 340mA | 60V | 20V | 350mW | SMD | 3Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSS138 SOT23 YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | YFW | 220mA | 50V | 20V | 350mW | SMD | 6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
YFW9926S SOP-8 YFW
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 17V; 8V; 42mOhm; 5,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | YFW | 5,2A | 17V | 8V | 1,25W | SMD | 42mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
|
MOT3401AA3 SOT23 MOT
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 75mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C~150°C; podobny do: AO3401; IRLML9303TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT- Symbol Producenta: MOT3401AA3 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2980 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | MOT | 4,2A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 75mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.