Tranzystory polowe (wyszukane: 5971)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRFR8401 International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,25mOhm; 100A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRFR8401TRL; AUIRFR8401TR;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: AUIRFR8401 RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 4,25mOhm | 100A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | International Rectifier | |||||||||||||
|
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: AUIRFR8401 RoHS Obudowa dokładna: DPAK |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 4,25mOhm | 100A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | International Rectifier | |||||||||||||
|
AUIRFS8405 International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 193A; 163W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRFS8405TRL;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 2,3mOhm | 193A | 163W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
|
AUIRLR014N International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 210mOhm; 10A; 28W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
187 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75/225 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 210mOhm | 10A | 28W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||||||||||
|
AUIRLR3705Z International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 12mOhm; 89A; 130W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR3705ZTR; AUIRLR3705ZTRL;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
65 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 12mOhm | 89A | 130W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||||||||||
|
BF1202WR
Tranzystor 2xN-MOSFET; 10V; 6V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Philips Symbol Producenta: BR1202WR 115 RoHS Obudowa dokładna: SOT343R |
Stan magazynowy:
69 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 69 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 10V | 6V | 30mA | 200mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT343R | NXP | ||||||||||||||
|
BF998 smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 12V; 20V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998,215; BF998 E6327;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BF998 RoHS Obudowa dokładna: SOT143 t/r |
Stan magazynowy:
2890 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 12V | 20V | 30mA | 200mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT143 | Infineon Technologies | ||||||||||||||
|
BM3415E SOT23 BORN
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 4,8A; 1,5W; -50°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
280 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 65mOhm | 4,8A | 1,5W | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | BORN | |||||||||||||
|
BS107P DIODES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 30Ohm; 120mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS107AG; BS107ARL1G; BS107P;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 30Ohm | 120mA | 500mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | DIODES | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 30Ohm | 120mA | 500mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | DIODES | |||||||||||||
|
BS170-D26Z (krępowane=forming)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BS170-D26Z RoHS Obudowa dokładna: TO92formed t/r |
Stan magazynowy:
3720 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92formed | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
BS170FTA smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5Ohm; 0,15mA; 330mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BS170FTA RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
565 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2403 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 5Ohm | 0,15mA | 330mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
|
BS250FTA
Tranzystor P-Channel MOSFET; 45V; +/-20V; 90mA; 14Ohm; 330mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 45V | 20V | 14Ohm | 90mA | 330mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
|
BS270
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Tranzystor: N-MOSFET | unipolarny | 60V | 0,4A | Idm: 2A | 0,625W | TO92
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
494 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 494 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 400mA | 625mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ONSEMI | |||||||||||||
|
BSC016N04LS G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC016N04LSGATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
38 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 2,3mOhm | 100A | 139W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSC018NE2LS Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 69W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC018NE2LSI; BSC018NE2LSATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 25V | 20V | 2,3mOhm | 100A | 69W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSC019N02KSG Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 3mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC019N02KSGAUMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 3mOhm | 100A | 104W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSC022N04LS6
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 3,2mOhm; 139A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BSC022N04LS6ATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 3,2mOhm | 139A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSC024NE2LS INFINEON
Tranzystor N-MOSFET; 25V; 20V; 3,4mOhm; 100A; 48W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC024NE2LSATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 510 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 25V | 20V | 3,4mOhm | 100A | 48W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSC027N04LSG
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,1mOhm; 100A; 83W; -55°C ~ 150°C; BSC027N04LS G; BSC027N04LS G; SP000354810
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
81 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 4,1mOhm | 100A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON-8 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSC030P03NS3G Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 4,6mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC030P03NS3GAUMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 4,6mOhm | 100A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSC076N06NS3 G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,6mOhm; 75A; 69W; -55°C ~ 150°C; BSC076N06NS3GATMA1
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 7,6mOhm | 75A | 69W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDFN08 | INFINEON | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC076N06NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnętrzny:
25000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 7,6mOhm | 75A | 69W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDFN08 | INFINEON | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC076N06NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnętrzny:
255000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 7,6mOhm | 75A | 69W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDFN08 | INFINEON | |||||||||||||
|
BSC0909NSATMA1 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 34V; 20V; 11,8mOhm; 44A; 27W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 34V | 20V | 11,8mOhm | 44A | 27W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSC440N10NS3GATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 44mOhm; 5,3A; 29W; -55°C~150°C; BSC440N10NS3 G;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 100V | 20V | 44mOhm | 5,3A | 29W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON-8 | INFINEON | |||||||||||||
|
BSD214SN Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSD214SNH6327XTSA1; BSD214SNH6327;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
17 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 147 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 250mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 230mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 230mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSH105
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 8V; 375mOhm; 1,05A; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH105,215; BSH105,235;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSH105,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
844 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 20V | 8V | 375mOhm | 1,05A | 417mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
|
BSH108
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 30V; 20V; 240mOhm; 1,9A; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH108,215;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSH108 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1292 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 30V | 20V | 240mOhm | 1,9A | 830mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSH108 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
360 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2180 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 30V | 20V | 240mOhm | 1,9A | 830mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
|
BSH111
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 10V; 8Ohm; 335mA; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH111BKR; BSH111,235;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 55V | 10V | 8Ohm | 335mA | 830mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
|
BSH114
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 1,15Ohm; 850mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH114,235; BSH114,215; BSH114-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
63 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 1,15Ohm | 850mA | 830mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | ||||||||||||
|
BSH201
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 4,25Ohm; 300mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH201,215; BSH205.215;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2270 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 4,25Ohm | 300mA | 417mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | ||||||||||||
|
BSH203
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 30V; 8V; 1,65Ohm; 470mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH203,215;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
190 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 30V | 8V | 1,65Ohm | 470mA | 417mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | ||||||||||||