Tranzystory polowe (wyszukane: 5971)

1    19  20  21  22  23  24  25  26  27    200
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
AUIRFR8401 International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,25mOhm; 100A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRFR8401TRL; AUIRFR8401TR;
AUIRFR8401 RoHS || AUIRFR8401 International Rectifier DPAK
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
AUIRFR8401 RoHS
Obudowa dokładna:
DPAK t/r
 
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,3400 3,7400 3,1800 2,9100 2,8100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 4,25mOhm 100A 79W SMD -55°C ~ 175°C DPAK International Rectifier
 
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
AUIRFR8401 RoHS
Obudowa dokładna:
DPAK
 
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,6800 3,9800 3,3800 3,0900 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 4,25mOhm 100A 79W SMD -55°C ~ 175°C DPAK International Rectifier
AUIRFS8405 International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 193A; 163W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRFS8405TRL;
AUIRFS8405TRL RoHS || AUIRFS8405 International Rectifier TO263 (D2PAK)
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
AUIRFS8405TRL RoHS
Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,5200 4,9700 4,1200 3,6100 3,4300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 2,3mOhm 193A 163W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) International Rectifier
AUIRLR014N International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 210mOhm; 10A; 28W; -55°C ~ 175°C;
AUIRLR014N RoHS || AUIRLR014N International Rectifier TO252 (DPACK)
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
AUIRLR014N RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
187 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 75+ 225+ 900+
cena netto (PLN) 2,6000 1,6500 1,2500 1,1800 1,1300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75/225
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 16V 210mOhm 10A 28W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) International Rectifier
AUIRLR3705Z International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 12mOhm; 89A; 130W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR3705ZTR; AUIRLR3705ZTRL;
AUIRLR3705Z RoHS || AUIRLR3705Z International Rectifier TO252 (DPACK)
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
AUIRLR3705Z RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
65 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
cena netto (PLN) 8,9000 6,8300 6,0700 5,7300 5,5600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 16V 12mOhm 89A 130W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) International Rectifier
BF1202WR Tranzystor 2xN-MOSFET; 10V; 6V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C;
BR1202WR 115 RoHS || BF1202WR SOT343R
Producent:
Philips
Symbol Producenta:
BR1202WR 115 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT343R
 
Stan magazynowy:
69 szt.
Ilość szt. 3+ 15+ 69+ 345+ 1725+
cena netto (PLN) 1,3200 0,7530 0,5690 0,5020 0,4790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
69
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 10V 6V 30mA 200mW SMD -65°C ~ 150°C SOT343R NXP
BF998 smd Tranzystor N-Channel MOSFET; 12V; 20V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998,215; BF998 E6327;
BF998 RoHS || BF998 smd SOT143
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BF998 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT143 t/r
 
Stan magazynowy:
2890 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0000 1,2100 0,9310 0,8400 0,7990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 12V 20V 30mA 200mW SMD -65°C ~ 150°C SOT143 Infineon Technologies
BM3415E SOT23 BORN Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 4,8A; 1,5W; -50°C ~ 150°C;
BM3415E RoHS || BM3415E SOT23 BORN SOT23
Producent:
BORN
Symbol Producenta:
BM3415E RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
280 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 0,9190 0,4330 0,2410 0,1940 0,1670
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 65mOhm 4,8A 1,5W SMD -50°C ~ 150°C SOT23 BORN
BS107P DIODES Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 30Ohm; 120mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS107AG; BS107ARL1G; BS107P;
BS107P RoHS || BS107P DIODES TO92
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS107P RoHS
Obudowa dokładna:
TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
cena netto (PLN) 3,4500 2,1800 1,7200 1,5400 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 30Ohm 120mA 500mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS107P RoHS
Obudowa dokładna:
TO92
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
cena netto (PLN) 3,4500 2,1800 1,7200 1,5400 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 30Ohm 120mA 500mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIODES
BS170-D26Z (krępowane=forming) Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT;
BS170-D26Z RoHS || BS170-D26Z (krępowane=forming) TO92formed
Producent:
ON-Semiconductor
Symbol Producenta:
BS170-D26Z RoHS
Obudowa dokładna:
TO92formed t/r
 
Stan magazynowy:
3720 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,4100 0,7810 0,6170 0,5600 0,5420
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed ON SEMICONDUCTOR
BS170FTA smd Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5Ohm; 0,15mA; 330mW; -55°C ~ 150°C;
BS170FTA RoHS || BS170FTA smd SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS170FTA RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
565 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,1200 1,2800 0,9880 0,8910 0,8480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2403
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 5Ohm 0,15mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
BS250FTA Tranzystor P-Channel MOSFET; 45V; +/-20V; 90mA; 14Ohm; 330mW; -55°C~150°C;
BS250FTA RoHS || BS250FTA SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS250FTA RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0000 1,2100 0,9320 0,8410 0,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 45V 20V 14Ohm 90mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
BS270 Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Tranzystor: N-MOSFET | unipolarny | 60V | 0,4A | Idm: 2A | 0,625W | TO92
BS270 RoHS || BS270 TO92
Producent:
ON-Semiconductor
Symbol Producenta:
BS270 RoHS
Obudowa dokładna:
TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
494 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 30+ 100+ 494+
cena netto (PLN) 1,5900 1,0300 0,7960 0,6750 0,6100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
494
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 400mA 625mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ONSEMI
BSC016N04LS G Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC016N04LSGATMA1;
BSC016N04LSGATMA1 RoHS || BSC016N04LS G TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC016N04LSGATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
38 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,6200 4,2900 3,5500 3,1100 2,9600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 2,3mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC018NE2LS Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 69W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC018NE2LSI; BSC018NE2LSATMA1;
BSC018NE2LS RoHS || BSC018NE2LS Infineon TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC018NE2LS RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,0600 1,9200 1,5900 1,4200 1,3300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 25V 20V 2,3mOhm 100A 69W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC019N02KSG Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 3mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC019N02KSGAUMA1;
BSC019N02KSG RoHS || BSC019N02KSG Infineon TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC019N02KSG RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,9300 4,1500 3,5300 3,2300 3,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 3mOhm 100A 104W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC022N04LS6 Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 3,2mOhm; 139A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BSC022N04LS6ATMA1;
BSC022N04LS6ATMA1 RoHS || BSC022N04LS6 TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC022N04LS6ATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 12,7900 10,5700 9,2600 8,6300 8,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 3,2mOhm 139A 79W SMD -55°C ~ 175°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC024NE2LS INFINEON Tranzystor N-MOSFET; 25V; 20V; 3,4mOhm; 100A; 48W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC024NE2LSATMA1;
BSC024NE2LSATMA1 RoHS || BSC024NE2LS INFINEON TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC024NE2LSATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,8300 3,2100 2,6600 2,4000 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
510
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 25V 20V 3,4mOhm 100A 48W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC027N04LSG Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,1mOhm; 100A; 83W; -55°C ~ 150°C; BSC027N04LS G; BSC027N04LS G; SP000354810
BSC027N04LSG RoHS || BSC027N04LSG TDSON-8
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC027N04LSG RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
81 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,1400 2,7500 2,2800 2,0500 1,9700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 4,1mOhm 100A 83W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
BSC030P03NS3G Infineon Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 4,6mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC030P03NS3GAUMA1;
BSC030P03NS3G RoHS || BSC030P03NS3G Infineon TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC030P03NS3G RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 5,6400 3,9500 3,2600 3,0100 2,9700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 25V 4,6mOhm 100A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC076N06NS3 G Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,6mOhm; 75A; 69W; -55°C ~ 150°C; BSC076N06NS3GATMA1
BSC076N06NS3GATMA1 RoHS || BSC076N06NS3GATMA1 || BSC076N06NS3 G TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC076N06NS3GATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 800+
cena netto (PLN) 3,8400 2,4300 1,9100 1,7400 1,6700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 7,6mOhm 75A 69W SMD -55°C ~ 150°C TDFN08 INFINEON
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC076N06NS3GATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnętrzny:
25000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,6700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 7,6mOhm 75A 69W SMD -55°C ~ 150°C TDFN08 INFINEON
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC076N06NS3GATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnętrzny:
255000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,6700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 7,6mOhm 75A 69W SMD -55°C ~ 150°C TDFN08 INFINEON
BSC0909NSATMA1 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 34V; 20V; 11,8mOhm; 44A; 27W; -55°C ~ 150°C;
BSC0909NS RoHS || BSC0909NSATMA1 Infineon TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC0909NS RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9800 1,1000 0,8680 0,8180 0,7920
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 34V 20V 11,8mOhm 44A 27W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC440N10NS3GATMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 44mOhm; 5,3A; 29W; -55°C~150°C; BSC440N10NS3 G;
BSC440N10NS3G RoHS || BSC440N10NS3GATMA1 TDSON-8
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC440N10NS3G RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 6,0200 4,2200 3,4800 3,2100 3,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET 100V 20V 44mOhm 5,3A 29W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 INFINEON
BSD214SN Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSD214SNH6327XTSA1; BSD214SNH6327;
BSD214SNH6327XTSA1 RoHS || BSD214SN Infineon SOT363
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSD214SNH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
17 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 40+ 147+ 588+
cena netto (PLN) 1,3400 0,8760 0,6450 0,5560 0,5170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
147
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 250mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 230mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
BSD314SPEH6327XTSA RoHS || BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon SOT363
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSD314SPEH6327XTSA RoHS
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,6110 0,4010 0,3620 0,3190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 230mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
BSH105 Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 8V; 375mOhm; 1,05A; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH105,215; BSH105,235;
BSH105,215 RoHS || BSH105 SOT23
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BSH105,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
844 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9500 1,1800 0,9090 0,8200 0,7800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 20V 8V 375mOhm 1,05A 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSH108 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 30V; 20V; 240mOhm; 1,9A; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH108,215;
BSH108 RoHS || BSH108 SOT23
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BSH108 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
1292 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9100 0,5040 0,3340 0,2790 0,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 30V 20V 240mOhm 1,9A 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BSH108 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
360 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2180+
cena netto (PLN) 0,9100 0,5020 0,3330 0,2770 0,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2180
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 30V 20V 240mOhm 1,9A 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSH111 Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 10V; 8Ohm; 335mA; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH111BKR; BSH111,235;
BSH111 RoHS || BSH111 SOT23
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BSH111 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,1900 1,3200 1,0100 0,9080 0,8770
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 55V 10V 8Ohm 335mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSH114 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 1,15Ohm; 850mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH114,235; BSH114,215; BSH114-VB;
BSH114,215 RoHS || BSH114 SOT23-3
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BSH114,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
63 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 4,6200 3,0500 2,5100 2,2500 2,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20/200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 100V 20V 1,15Ohm 850mA 830mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
BSH201 Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 4,25Ohm; 300mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH201,215; BSH205.215;
BSH201,215 RoHS || BSH201 SOT23-3
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BSH201,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2270 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,0600 1,9400 1,5300 1,3900 1,3300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 60V 20V 4,25Ohm 300mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
BSH203 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 30V; 8V; 1,65Ohm; 470mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH203,215;
BSH203,215 RoHS WJ. || BSH203 SOT23-3
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BSH203,215 RoHS WJ.
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
190 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,6130 0,4020 0,3630 0,3200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 30V 8V 1,65Ohm 470mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
1    19  20  21  22  23  24  25  26  27    200