Tranzystory polowe (wyszukane: 5971)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSH205
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 12V; 8V; 750mOhm; 750mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH205G2R; BSH205,215; BSH205G2VL; BSH205215;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSH205G2 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
4555 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 12V | 8V | 750mOhm | 750mA | 417mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
|
BSL207SPH6327
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSL207SPH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
465 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 65mOhm | 6A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | NXP | |||||||||||||
|
BSL211SPH6327 Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSL211SPH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 110mOhm | 4,7A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSL215CH6327XTSA1
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm/280mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSL215CH6327XTSA1; BSL215C H6327; SP001101000; BSL215CH6327;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2430 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 20V | 12V | 280mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
16 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 20V | 12V | 280mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSN20 NXP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 28Ohm; 173mA; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSN20,215; BSN20,235;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSN20 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 28Ohm | 173mA | 830mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
|
BSN20-7
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 500mA; 600mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1445 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 2Ohm | 500mA | 600mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
|
BSO080P03S
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 8mOhm; 14,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
410 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 8mOhm | 14,9A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 1020 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 8mOhm | 14,9A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSO613SPV G Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 3,44A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSO613SPVGHUMA1; BSO613SPVGXUMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 130mOhm | 3,44A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSP125
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 60Ohm; 120mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP125H6327XTSA1; BSP125H6433XTMA1; BSP125H6327; BSP125L6327HTSA1; BSP125H6327XTSA1S;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 20V | 60Ohm | 120mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSP250 JGSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP250,115; BSP250,135;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
997 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 90mOhm | 5A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | JGSEMI | |||||||||||||
|
BSP299H
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 4Ohm; 400mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP299H6327XUSA1; BSP299L6327HUSA1; BSP299 H6327; BSP299H6327XUSA1/SN;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 20V | 4Ohm | 400mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223-4 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSP315P JGSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 230mOhm; 2A; 2W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 230mOhm | 2A | 2W | SMD | -55°C ~ 125°C | SOT223 | JGSEMI | |||||||||||||
|
BSP315P SOT223 TEC
Tranzystor P-Channel MOSFET; -60V; +/-20V; 130mOhm; -3A; 2W; -55°C~150°C; Podobny do: BSP315P; BSP315P-VB; BSP315PH6327; BSP315PH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
493 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 493 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | -60V | 20V | 130mOhm | -3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1467 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | -60V | 20V | 130mOhm | -3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
|
BSP315P UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 95mOhm; 1,17A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
180 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 95mOhm | 1,17A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | UMW | |||||||||||||
|
BSR606NH6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 90mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 90mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC59 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSR802NL INFINEON
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 32mOhm; 3,7A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSR802NL6327HTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 32mOhm | 3,7A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-59 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
BSS123 CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | CHIPNOBO | |||||||||||||
|
BSS123 GALAXY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | GALAXY | |||||||||||||
|
BSS123 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 9Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
BSS123 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO | |||||||||||||
|
BSS123 JUXING
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | JUXING | |||||||||||||
|
BSS123 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SHIKUES | ||||||||||||
|
BSS123 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 6Ohm | 150mA | 250mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SLKOR | |||||||||||||
|
BSS123 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4550 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
|
BSS123LT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25130 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 6Ohm | 170mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BSS123LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
9651000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 6Ohm | 170mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BSS123 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
5073000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 6Ohm | 170mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BSS123LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
698180 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 6Ohm | 170mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
BSS123
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 10000mΩ; BSS123-YAN
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: BSS123 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 6Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT-23 | YFW | |||||||||||||
|
BSS123 Fairchild
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 12Ohm; 170mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123L; BSS123-G; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: BSS123 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
15 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 12Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Fairchild | |||||||||||||
|
BSS123 SA SOT23 HT SEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BSS123 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
11990 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 10V | 20V | 10Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HT | ||||||||||||
|
BSS123
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS123-YAN;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2900 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 5,5Ohm | 200mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | YY | |||||||||||||
|
BSS123W-7-F Diodes INCORPORATED
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123W; BSS123W-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2875 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | DIODES | ||||||||||||