Tranzystory polowe (wyszukane: 6762)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSP372
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 1,8A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP372NH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 270mOhm | 1,8A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP372NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 270mOhm | 1,8A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP372NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
436800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 270mOhm | 1,8A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP372NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
155000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 270mOhm | 1,8A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSP76E6433HUMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 42V; 12V; 200mOhm; 1.4A; 3.8W; -40°C~150°C; Odpowiednik: BSP78E6433; BSP76E6433; BSP76E6433HUMA1; BSP76; BSP76E6327HUSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 42V | 12V | 200mOhm | 1,4A | 3,8W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOT223 | INFINEON | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP76E6433HUMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
16610 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 42V | 12V | 200mOhm | 1,4A | 3,8W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOT223 | INFINEON | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP76E6433HUMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 42V | 12V | 200mOhm | 1,4A | 3,8W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOT223 | INFINEON | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP76E6433HUMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
32000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 42V | 12V | 200mOhm | 1,4A | 3,8W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOT223 | INFINEON | |||||||||||||
|
BSP88H6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 15Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 240V | 20V | 15Ohm | 350mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP88H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
675 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 240V | 20V | 15Ohm | 350mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP88H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
58000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 240V | 20V | 15Ohm | 350mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP88H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 240V | 20V | 15Ohm | 350mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSP89
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 7,5Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP89.115; BSP89 L6327; BSP89H6327XTSA1; BSP89L6327HTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
7 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 240V | 20V | 7,5Ohm | 350mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 240V | 20V | 7,5Ohm | 350mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP89H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
9175 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 240V | 20V | 7,5Ohm | 350mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSR606NH6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 90mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 90mOhm | 2,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC59 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSR802NL INFINEON
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 32mOhm; 3,7A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSR802NL6327HTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 32mOhm | 3,7A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-59 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSR802NL6327HTSA1 Obudowa dokładna: SC-59 |
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 32mOhm | 3,7A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-59 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
BSS119NH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 190mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS119NH6327XTSA1; BSS119 L6327; BSS119NH6433XTMA1
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2540 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 190mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS119NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
5700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 190mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS119NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
216000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 190mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS123LT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
28450 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 6Ohm | 170mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS123LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
6195000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 6Ohm | 170mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS123LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
3549000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 6Ohm | 170mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS123 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
876000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 6Ohm | 170mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
BSS123
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 10000mΩ; BSS123-YAN
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: BSS123 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 6Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT-23 | YFW | |||||||||||||
|
BSS123 Fairchild
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 12Ohm; 170mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123L; BSS123-G; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: BSS123 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
15 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 12Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Fairchild | |||||||||||||
|
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: BSS123-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
2808000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 12Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Fairchild | |||||||||||||
|
BSS123 GALAXY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | GALAXY | |||||||||||||
|
BSS123 SA SOT23 HT SEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BSS123 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
11990 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 10V | 20V | 10Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HT | ||||||||||||
|
BSS123 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 9Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
BSS123 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO | |||||||||||||
|
BSS123 JUXING
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | JUXING | |||||||||||||
|
BSS123 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SHIKUES | ||||||||||||
|
BSS123 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 6Ohm | 150mA | 250mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SLKOR | |||||||||||||
|
BSS123
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS123-YAN;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 5,5Ohm | 200mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | YY | |||||||||||||
|
BSS123-7-F DIODES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123-13-F;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2700 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | |||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS123-13-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
30000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | |||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS123-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
1092000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | |||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS123-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
1740000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | |||||||||||||
|
BSS123W-7-F Diodes INCORPORATED
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123W; BSS123W-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2875 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | DIODES | ||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS123W-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
258000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | DIODES | ||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS123W-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
354000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | DIODES | ||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS123W-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
30000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | DIODES | ||||||||||||
|
BSS126H6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 700Ohm; 21mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS126H6327XTSA2; BSS126 H6327; BSS126H6327XT; BSS126H6327XTSA2; BSS126H6906XTSA1; BSS126 H6327;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 20V | 700Ohm | 21mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS126H6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
330000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 700Ohm | 21mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS126H6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
54000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 700Ohm | 21mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS127H6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 600Ohm; 21mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS127H6327XTSA2; BSS127S-7; [Obsolete: BSS127H6327XTSA1; BSS127L6327HTSA1; BSS127 E6327;] BSS127H6327; BSS127 H6327
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5935 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 20V | 600Ohm | 21mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS127H6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
30000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 600Ohm | 21mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS131 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 4,5Ohm; 100mA; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 250V | 20V | 4,5Ohm | 100mA | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO | |||||||||||||
|
BSS131H6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 110mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS131H6327XTSA1; BSS131 H6327; BSS131;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 240V | 20V | 20Ohm | 110mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS131H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
195700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 240V | 20V | 20Ohm | 110mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS131H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
303000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 240V | 20V | 20Ohm | 110mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS131
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Odpowiedniki: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: BSS131 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 240V | 20V | 14Ohm | 100mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 240V | 20V | 14Ohm | 100mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
BSS138
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138-TP; BSS138-13-F; BSS138LT1G-MS MSKSEMI; BSS138-7-F; BSS138TA; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138-FAI; BSS138P,215; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138LT1G-HXY;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: BSS138 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
530 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 220mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ||||||||||||||
|
Producent:
YY Symbol Producenta: BSS138-F2-0000HF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 220mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ||||||||||||||
|
BSS138 SOT23-3 CJ
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 3,5Ohm | 220mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | CJ | |||||||||||||
|
BSS138-7-F Diodes
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138-TP; BSS138-13-F;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
11860 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/18000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 3,5Ohm | 200mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | ||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS138-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
14694000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 3,5Ohm | 200mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | ||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS138-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
2846000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 3,5Ohm | 200mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | ||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS138-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
3501000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 3,5Ohm | 200mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | ||||||||||||
|
BSS138LT1G-ES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138LT1G-ES; BSS138NH6327-ES; ESBSS138LT1G; BSS138-13-F-ES; BSS138; BSS138-TP-ES; BSS138LT1G-MS MSKSEMI; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138-TP; BSS138 RFG; LBSS138LT1G-ES;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ElecSuper Symbol Producenta: BSS138LT1G-ES RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
691 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2891 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 220mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ElecSuper | |||||||||||||
|
BSS138 Fairchild ONS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138-FAI; BSS138LT3G;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS138 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
340 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 220mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS138 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
3360000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 220mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS138 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
1083000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 220mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS138 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
9288000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 220mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||