Tranzystory polowe (wyszukane: 7020)
| Produkt | Koszyk |
Obudowa
|
Producent
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Typ tranzystora
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUM90P10-19L-E3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SUM90P10-19L-E3 RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 96 Ilość (wielokrotność 1) |
TO263 (D2PAK) | VISHAY | 90A | 100V | 20V | 375W | SMD | 21mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
WPM2015 SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 2,4A; 110mOhm; 1,1W; -55°C~150°C; Odpowiednik: HXY MOSFET WPM2015; WILLSEMI WPM2015-3/TR; VBSEMI WPM2015-3/TR; WPM2015-HXY;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | KUU | 2,4A | 20V | 8V | 1,1W | SMD | 110mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | KUU | 2,4A | 20V | 8V | 1,1W | SMD | 110mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF7401TR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: YFW4406AS; IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308; IRF7401TRPBF-VB; IRF7401TR(UMW); IRF7401TRPBF-JSM;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | UMW | 8,7A | 20V | 12V | 2,5W | SMD | 30mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 180 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | UMW | 8,7A | 20V | 12V | 2,5W | SMD | 30mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
2N6027
Tranzystor PUT; 300mW; -50°C ~ 100°C; Odpowiednik: 2N6027G; 2N6027RL1G; 2N6027RLRAG; 2N6027G-T92-B;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
995 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | UTC | 150mA | 40V | 300mW | THT | -50°C ~ 100°C | PUT | |||||||||||||||
|
2N7000 ZEHUA
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
750 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | ZEHUA | 200mA | 60V | 20V | 400mW | THT | 5,3Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
2N7000
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000BU (bulk); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: 2N7000BU RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 200mA | 60V | 60V | 20V | 400mW | THT | 9Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: 2N7000-D26Z Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnętrzny:
90000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 200mA | 60V | 60V | 20V | 400mW | THT | 9Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: 2N7000TA Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnętrzny:
132000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 200mA | 60V | 60V | 20V | 400mW | THT | 9Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
2N7000 TO92(ammo formed PIN) LGE
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000-LGE; (ONS: 2N7000TA; 2N7000-D26Z; 2N7000-D74Z; 2N7000-D75Z);
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
LGE Symbol Producenta: 2N7000 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
1678 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/10000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92ammoformed | 200mA | 60V | 60V | 20V | 400mW | THT | 5,3Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-12-20
Ilość szt.: 3000
|
|||||||||||||||||||||||
|
2N7000
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
790 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | LGE | 200mA | 60V | 350mW | THT | 6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-12-20
Ilość szt.: 2000
|
|||||||||||||||||||||||
|
2N7002 GALAXY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | GALAXY | 115mA | 60V | 60V | 20V | 200mW | SMD | 13,5Ohm | -50°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
7002 SOT23 GAOGE
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 4Ohm; 340mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2364 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | GAOGE | 340mA | 60V | SMA | 4Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||||
|
2N7002 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | HXY MOSFET | 300mA | 60V | 20V | 350mW | SMD | 3Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
2N7002 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
7150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | JSMICRO | 115mA | 60V | 60V | 20V | 200mW | SMD | 13,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
2N7002 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
8460 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | SLKOR | 115mA | 60V | 20V | 225mW | SMD | 7,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
2N7002 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 430mA; 830mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | SHIKUES | 430mA | 60V | 20V | 830mW | SMD | 4Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
2N7002-7-F
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
85700 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | DIODES | 210mA | 60V | 60V | 20V | 540mW | SMD | 13,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
2N7002
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000mΩ ODPOWIEDNIK: AT2N7002ESA;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
EASTRONIC Symbol Producenta: 2N7002K RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT-23 | MIC | 300mA | 60V | 60V | 30V | 830mW | SMD | 5Ohm | -65°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
Producent:
MIC Symbol Producenta: 2N7002 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
20475 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT-23 | MIC | 300mA | 60V | 60V | 30V | 830mW | SMD | 5Ohm | -65°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
2N7002 JUXING
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | JUXING | 300mA | 60V | 20V | 350mW | SMD | 4Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
K2N7002-7-F KUU
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 3Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002; K2N7002T-7-F;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: K2N7002-7-F RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | KUU | 115mA | 60V | 60V | 20V | 225mW | SMD | 3mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
2N7002LT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002LT3G (10Kpcs/T&R); 2N7002LT1H; 2N7002LT7G;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5395 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 115mA | 60V | 60V | 20V | 300mW | SMD | 13,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: 2N7002LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
315000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 115mA | 60V | 60V | 20V | 300mW | SMD | 13,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: 2N7002LT3G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
585999 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 115mA | 60V | 60V | 20V | 300mW | SMD | 13,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
2N7002PS SOT363=TSSOP6
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1995 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT363 | NXP | 320mA | 60V | 20V | 420mW | SMD | 2Ohm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
|
2N7002 SOT23 YANGJIE
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-YAN;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000/24000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 340mA | 60V | 60V | 20V | 350mW | SMD | 3Ohm | -55°C ~ 150°C | MOSFET | ||||||||||||
|
2N7002-TP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
21000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23-3 | Micro Comercial Components Corp. | 115mA | 60V | 20V | 200mW | SMD | 7,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: 2N7002-TP Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23-3 | Micro Comercial Components Corp. | 115mA | 60V | 20V | 200mW | SMD | 7,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: 2N7002-TP Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
1728000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23-3 | Micro Comercial Components Corp. | 115mA | 60V | 20V | 200mW | SMD | 7,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
2N7002A-7
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 220mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002A-13;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2350 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | DIODES | 220mA | 60V | 20V | 540mW | SMD | 6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: 2N7002-13-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | DIODES | 220mA | 60V | 20V | 540mW | SMD | 6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
2N7002BK CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002BK,215;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | CHIPNOBO | 300mA | 60V | 20V | 350mW | SMD | 2,4Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
2N7002BK JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002BK,215;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | JGSEMI | 300mA | 60V | 20V | 350mW | SMD | 3Ohm | -50°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
2N7002BK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 1,6Ohm; 350mA; 440mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002BK,215; 2N7002BK.215;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: 2N7002BK,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
18000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | NXP | 350mA | 60V | 20V | 440mW | SMD | 1,6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: 2N7002BK,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
462000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | NXP | 350mA | 60V | 20V | 440mW | SMD | 1,6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
2N7002BKS,115
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 300mA; 340mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002BKS,115;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1720 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT363 | NXP | 300mA | 60V | 20V | 340mW | SMD | 2Ohm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
|
2N7002BKW,115
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 330mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002BKW,115; 2N7002BKW.115; 2N7002BKW;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3690 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT323 | NXP | 310mA | 60V | 20V | 330mW | SMD | 2Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: 2N7002BKW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
57000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT323 | NXP | 310mA | 60V | 20V | 330mW | SMD | 2Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
2N7002DW
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002DW-7-F;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
235 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SC70-6 | DIODES | 115mA | 60V | 60V | 20V | 200mW | SMD | 13,5Ohm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | ||||||||||||
|
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: 2N7002DW-TP Obudowa dokładna: SC70-6 |
Magazyn zewnętrzny:
60000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SC70-6 | DIODES | 115mA | 60V | 60V | 20V | 200mW | SMD | 13,5Ohm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: 2N7002DW Obudowa dokładna: SC70-6 |
Magazyn zewnętrzny:
141000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SC70-6 | DIODES | 115mA | 60V | 60V | 20V | 200mW | SMD | 13,5Ohm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | ||||||||||||
|
2N7002DWH6327
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: 2N7002DW-7-F; 2N7002DWH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT363 | INFINEON | 300mA | 60V | 20V | 500mW | SMD | 4Ohm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: 2N7002DWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
8300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT363 | INFINEON | 300mA | 60V | 20V | 500mW | SMD | 4Ohm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||