Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5478)

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Transistor-Typ
Max. Drain-Source Spannung
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Gate-Source Spannung
Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Montage
Betriebstemperatur (Bereich)
Gehäuse
Hersteller
IRLR2908 Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 24mOhm; 31A; 53,5W; -55°C~175°C; Äquivalent: IRLR2908TRPBF-TP; IRLR2908TRPBF-VB;
IRLR2908TRPBF-TP RoHS || IRLR2908 TO252
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
IRLR2908TRPBF-TP RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,9093 0,6031 0,5003 0,4512 0,4325
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 24mOhm 31A 53,5W SMD -55°C ~ 175°C TO252 TECH PUBLIC
GAN063-650WSAQ N-Channel-GaN/MOS-FET-Transistor; 650V; 20V; 120 mOhm; 34,5A; 143W; -55 °C ~ 175 °C;
GAN063-650WSAQ RoHS || GAN063-650WSAQ || GAN063-650WSAQ TO247
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
GAN063-650WSAQ RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 10+ 20+ 40+
Preis netto (EUR) 17,3290 14,3391 13,5911 13,0464 12,6490
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Standard-Verpackung:
5
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 20V 120mOhm 34,5A 143W THT -55°C ~ 175°C TO247 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
GAN063-650WSAQ
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 12,6490
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 650V 20V 120mOhm 34,5A 143W THT -55°C ~ 175°C TO247 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
GAN063-650WSAQ
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
260 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 12,6490
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 650V 20V 120mOhm 34,5A 143W THT -55°C ~ 175°C TO247 NXP
BSS138 SOT23 HT SEMI Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2,5Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C;
BSS138 RoHS || BSS138 SOT23 HT SEMI SOT23
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
BSS138 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
11600 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0652 0,0252 0,0123 0,0098 0,0093
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 50V 22V 2,5Ohm 340mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HT
BSS84 SOT23 HT SEMI Transistor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Ähnlich: BSS84-7-F
BSS84 RoHS || BSS84 SOT23 HT SEMI SOT23
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
BSS84 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
11900 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0610 0,0228 0,0122 0,0091 0,0084
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
P-MOSFET -60V 20V 10Ohm -130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT-23 HT
YFW9926S SOP-8 YFW 20V 5.2A 2W 50m?@4.5V,2.6A 700mV 2 N-Channel SO-8 MOSFETs ROHS Odpowiednik: IRF7301; IRF7301TRPBF;
YFW9926S RoHS || YFW9926S SOP-8 YFW SOP08
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW9926S RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 20+ 60+ 180+
Preis netto (EUR) 0,4231 0,2712 0,2244 0,1830 0,1632
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Standard-Verpackung:
180
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 20V 12V 19mOhm 7,1A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08
2N7002K SOT23 MDD Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C;
2N7002K RoHS || 2N7002K SOT23 MDD SOT23
Hersteller:
MDD(Microdiode Electronics)
Hersteller-Teilenummer:
2N7002K RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0909 0,0358 0,0209 0,0153 0,0140
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 10)
MOSFET 60V 20V 3Ohm 300mA 300mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 MDD
 
Hersteller:
MDD(Microdiode Electronics)
Hersteller-Teilenummer:
2N7002K RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0909 0,0358 0,0209 0,0153 0,0140
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
MOSFET 60V 20V 3Ohm 300mA 300mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 MDD
2N7000 DIOTEC N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000-DIO;
2N7000 RoHS || 2N7000 || 2N7000 DIOTEC TO92
Hersteller:
DIOTEC
Hersteller-Teilenummer:
2N7000 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO92ammoformed
Datenblatt
Auf Lager:
6200 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 4000+
Preis netto (EUR) 0,1763 0,0704 0,0409 0,0339 0,0320
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Standard-Verpackung:
4000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIOTEC
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7000
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
85370 Stk.
Anzahl der Stücke 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0662
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIOTEC
 
Hersteller:
DIOTEC
Hersteller-Teilenummer:
2N7000
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
4000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0320
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIOTEC
SK3400 SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
SK3400 RoHS || SK3400 SHIKUES SOT23
Hersteller:
SHIKUES
Hersteller-Teilenummer:
SK3400 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1531 0,0727 0,0409 0,0311 0,0278
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 12V 55mOhm 5,8A SMD -50°C ~ 150°C SOT23 SHIKUES
AO3400A N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 48mOhm; 5,7A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
AO3400A RoHS || AO3400A SOT23
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AO3400A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2284 0,1262 0,0839 0,0701 0,0652
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 12V 48mOhm 5,7A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
AO3400A UMW N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 48mOhm; 5,8A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
AO3400A RoHS || AO3400A UMW SOT23
Hersteller:
UMW
Hersteller-Teilenummer:
AO3400A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3050 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1248 0,0573 0,0311 0,0233 0,0208
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 12V 48mOhm 5,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
AO3401A UMW P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 120mOhm; 4,2A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
AO3401A RoHS || AO3401A UMW SOT23
Hersteller:
UMW
Hersteller-Teilenummer:
AO3401A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1389 0,0636 0,0346 0,0259 0,0231
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 12V 120mOhm 4,2A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
AO3420 N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
AO3420 RoHS || AO3420 SOT23
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AO3420 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
988 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2293 0,1164 0,0704 0,0559 0,0510
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 20V 12V 55mOhm 6A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-06-27
Anzahl der Stücke: 3000
                     
AO4629 N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 48mOhm/74mOhm; 6A/5,5A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
AO4629 RoHS || AO4629 SOP08
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AO4629 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3343 0,2190 0,1569 0,1372 0,1286
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N/P-MOSFET 30V 20V 74mOhm 6A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ALPHA&OMEGA
AO4805 2xP-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 29mOhm; 9A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
AO4805 RoHS || AO4805 || AO4805 SOP08
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AO4805 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6195 0,3927 0,3086 0,2805 0,2688
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
2xP-MOSFET 30V 25V 29mOhm 9A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ALPHA&OMEGA
 
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AO4805
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2688
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xP-MOSFET 30V 25V 29mOhm 9A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ALPHA&OMEGA
2N7002 N-Channel-MOSFET-Transistor; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350 mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO;
2N7002 RoHS || 2N7002 || 2N7002 SOT23
Hersteller:
DIOTEC
Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
9465 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0879 0,0346 0,0202 0,0148 0,0135
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 30V 7Ohm 280mA 350mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
 
Hersteller:
DIOTEC
Hersteller-Teilenummer:
2N7002
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
789000 Stk.
Anzahl der Stücke 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0135
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 30V 7Ohm 280mA 350mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7002
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
201000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0254
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 30V 7Ohm 280mA 350mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
 
Hersteller:
-
Hersteller-Teilenummer:
2N7002
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
4960 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0193
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Standard-Verpackung:
20
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 30V 7Ohm 280mA 350mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
AO4842 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 30mOhm; 7,7A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
AO4842 RoHS || AO4842 SOP08
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AO4842 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3343 0,2190 0,1569 0,1372 0,1286
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 30V 20V 30mOhm 7,7A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ALPHA&OMEGA
RTR040N03TL 30V 6.5A 30m@10V,3.2A 1.7W 1.1V@250uA 17pF@15V N Channel 335pF@15V 2.1nC@4.5V -55~+150@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs ROHS
RTR040N03TL RoHS || RTR040N03TL SOT23
Hersteller:
VBsemi
Hersteller-Teilenummer:
RTR040N03TL RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
130 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 350+ 1750+
Preis netto (EUR) 0,3693 0,2050 0,1618 0,1489 0,1424
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Standard-Verpackung:
350
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 12V 48mOhm 5,3A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VBsemi
AOD409 UMW P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 55mOhm; 26A; 60W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: AOD409 Alpha&Omega Semiconductor AOS
AOD409 RoHS || AOD409 UMW TO252 (DPACK)
Hersteller:
UMW
Hersteller-Teilenummer:
AOD409 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4395 0,2665 0,2043 0,1842 0,1753
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 55mOhm 26A 60W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) UMW
AOD409 P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 55mOhm; 26A; 60W; -55 °C ~ 175 °C;
AOD409 RoHS || AOD409 TO252
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AOD409 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
 
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6405 0,4044 0,3203 0,2922 0,2782
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 55mOhm 26A 60W SMD -55°C ~ 175°C TO252 ALPHA&OMEGA
AOD417 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55 °C ~ 175 °C;
AOD417 RoHS || AOD417 DPAK
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AOD417 RoHS
Präzisionsgehäuse:
DPAK t/r
 
Auf Lager:
125 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,4745 0,2852 0,2183 0,1966 0,1898
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 55mOhm 25A 50W SMD -55°C ~ 175°C DPAK ALPHA&OMEGA
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-05-09
Anzahl der Stücke: 500
                     
2N7002-T1-E3 VISHAY N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 40V; 13,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-T1-GE3;
2N7002-T1-E3 RoHS || 2N7002-T1-E3 VISHAY SOT23
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
2N7002-T1-E3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2211 0,1050 0,0591 0,0449 0,0402
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3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 40V 13,5Ohm 115mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
IRLR2908TR Transistor N-Kanal MOSFET; 100V; 20V; 0,035Ohm; 40A; 3,75W; -55°C~175°C; Ersatz: IRLR2908TRLPBF-VG; IRLR2908TRPBF; IRLR2908TRPBF-VB;
IRLR2908TR RoHS || IRLR2908TR TO252
Hersteller:
VBsemi
Hersteller-Teilenummer:
IRLR2908TR RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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55 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
Preis netto (EUR) 1,0800 0,7177 0,5727 0,5213 0,5143
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 35mOhm 40A 3,75W SMD -55°C ~ 175°C TO252 VBsemi
AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 300 mOhm; 1,8A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2311GN; AP2311GH-HF; AP2311GN-HF-3; AP2311GN-HF-VB; AP2311GN-VB;
AP2311GN-HF-3 Pbf B22D || AP2311GN-HF RoHS || AP2311GN RoHS || AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP2311GN-HF-3 Pbf B22D
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2618 0,1396 0,1082 0,0998 0,0956
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,8A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
 
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP2311GN-HF RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
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11545 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2618 0,1396 0,1082 0,0998 0,0956
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Standard-Verpackung:
3000/78000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,8A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
 
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP2311GN RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
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360 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2618 0,1396 0,1082 0,0998 0,0956
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,8A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
                           
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Geplantes Datum: 2025-05-01
Anzahl der Stücke: 30000
                     
AP4435GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 36mOhm; 40A; 44,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
AP4435GH-HF RoHS || AP4435GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP4435GH-HF RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
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Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4184 0,2310 0,1816 0,1683 0,1613
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 36mOhm 40A 44,6W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
 
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP4435GH-HF RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4184 0,2310 0,1816 0,1683 0,1613
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 36mOhm 40A 44,6W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AO3407 HXY MOSFET P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 98mOhm; 4,1A; 1,32W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AO3407 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
AO3407 RoHS || AO3407 HXY MOSFET SOT23
Hersteller:
HXY MOSFET
Hersteller-Teilenummer:
AO3407 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1608 0,0764 0,0430 0,0325 0,0292
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 98mOhm 4,1A 1,32W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HXY MOSFET
AO3407 JUXING P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 350mW; -50°C ~ 150°C; Äquivalent: AO3407 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
JX3407"3407" RoHS || AO3407 JUXING SOT23
Hersteller:
JUXING
Hersteller-Teilenummer:
JX3407"3407" RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1660 0,0788 0,0444 0,0337 0,0302
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 87mOhm 4,1A 350mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 JUXING
8205A Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Ersatz: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A; VBZC8205A; TPM8205AT8; UT8205AG-P08-R; NM8205A;
8205A RoHS || 8205A TSSOP08
Hersteller:
HXY MOSFET
Hersteller-Teilenummer:
8205A RoHS
Präzisionsgehäuse:
TSSOP08 t/r
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85 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2829 0,1550 0,1017 0,0877 0,0809
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 20V 12V 27mOhm 6A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C TSSOP08 HXY MOSFET
BS170 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS170 (Masse); BS170G (Röhre); BS170D27Z; BS170D26Z; BS170G; BS170-GURT;BS170-D26Z; BS170-D27Z; BS170-D74Z; BS170-D75Z; BS170-LOSE; BS170; BS 170 Bulk;
BS170 RoHS || BS170 || BS170-D27Z || BS170 TO92
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
BS170 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO92bul
 
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1800 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2712 0,1307 0,0893 0,0790 0,0771
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
BS170
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
17000 Stk.
Anzahl der Stücke 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0771
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
BS170
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
89378 Stk.
Anzahl der Stücke 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0771
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
BS170-D27Z
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0771
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
BS250P P-Channel-MOSFET-Transistor; 45V; 20V; 14Ohm; 230mA; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS250KL; BS250P; BS250P-DIC; BS250;
BS250P RoHS || BS250P || BS250P TO92formed
Hersteller:
Zetex
Hersteller-Teilenummer:
BS250P RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO92bul
 
Auf Lager:
435 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,8018 0,5049 0,3951 0,3600 0,3483
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 45V 20V 14Ohm 230mA 700mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
BS250P
Präzisionsgehäuse:
TO92formed
 
Externes Lager:
42029 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3483
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 45V 20V 14Ohm 230mA 700mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed DIODES
BSP318SH6327XTSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 150 mOhm; 2,6A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP318SH6327XTSA1; BSP318SH6534XTMA1; BSP318SL6327HTSA1; BSP318S L6327; BSP318SH6327XTSA1; BSP318S;
BSP318SH6327XTSA1 RoHS || BSP318SH6327XTSA1 || BSP318SH6327XTSA1 SOT223
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP318SH6327XTSA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
45 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7364 0,4629 0,3834 0,3413 0,3203
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 150mOhm 2,6A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP318SH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
686620 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3203
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 150mOhm 2,6A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP318SH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
2650 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3734
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 150mOhm 2,6A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.