Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 6953)
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Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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8205A TSSOP8(T/R) HT SEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; PT8205; Similar to: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A;
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Hersteller:
HT SEMI Hersteller-Teilenummer: PT8205 RoHS 8205A Präzisionsgehäuse: TSSOP08 t/r |
Auf Lager:
5000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5000 Menge (mehrere 1) |
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PT3400 SOT-23(T/R) HT SEMI
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; -50°C ~ 150°C; AO3400; YJL3400B;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 52mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HT | |||||||||||||
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PT3404 SOT-23(T/R) HT SEMI
30V 5.8A 19mOhm@10V SOT-23 Single FETs, MOSFETs RoHS BSS306N;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 41mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HT | |||||||||||||
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PT4606A SOP-8 HT SEMI
Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7319TRPBF; IRF7319PBF; IRF7319PBF-GURT; IRF7319 SMD; YFW6G03S; RC4606; Podobny do: IRF7319TRPBF;
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Hersteller:
HT SEMI Hersteller-Teilenummer: PT4606A RoHS APH5DJ Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
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BSP297 SOT-223 TECH PUBLIC
N-CHANNEL 200V 1A 2.1W Surface Mount SOT-223
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Hersteller:
TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: BSP297 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT223t/r |
Auf Lager:
150 Stk. |
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Standard-Verpackung: 150 Menge (mehrere 1) |
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IRF7201TRPBF SOP8 VBSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 50mOhm; 7,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7201PBF; IRF7201TRPBF; IRF7201PBF-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201PBF-HXY;
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Hersteller:
VBsemi Hersteller-Teilenummer: IRF7201TRPBF-VB RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
25 Stk. |
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Standard-Verpackung: 25 Menge (mehrere 1) |
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2026-05-20
Anzahl der Stücke: 500
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LGE350N04 SOT23 LGE
N-Channel 40 V 4A (Ta) 2.5W Surface Mount SOT-23 Podobny do: YJL05N04A; YJL05N04A-F2-0000HF; SI2318A-TP;
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Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer: LGE350N04 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
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BSS138A SOT323 HT SEMI
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; BSS138PW;
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Hersteller:
HT SEMI Hersteller-Teilenummer: BSS138A RoHS J1 Präzisionsgehäuse: SOT323 t/r |
Auf Lager:
2600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
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RCD30P03 TO-252 RealChip
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
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Hersteller:
REALCHIP Hersteller-Teilenummer: RCD30P03 RoHS Präzisionsgehäuse: TO252t/r |
Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
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NX7002AK SOT23 (NEXPERIA replacement)
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C;
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Hersteller:
ElecSuper Hersteller-Teilenummer: NX7002AK-ES RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 10) |
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AO3401 SOT23(T/R) 4.2A EASTRONIC
P-Channel 30V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
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Hersteller:
EASTRONIC Hersteller-Teilenummer: AO3401 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
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2302 SOT23 HT SEMI
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 20V | 10V | 40mOhm | 3,5A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HT | |||||||||||||
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LGE50N06D TO252 LGE
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 136W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: NDT70N06; LGE50N06D; SUD50N06-09L-E3;
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Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer: LGE50N06D RoHS Präzisionsgehäuse: TO252t/r |
Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
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LGE3407 SOT23 LGE
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400A 003;
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Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer: LGE3407 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
2990 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
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YFWG120N10AC TO220 YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058; SKG45N10-T;
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Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer: YFWG120N10AC RoHS Präzisionsgehäuse: TO220 |
Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
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TW40P03D TO252-2L(T/R) TWGMC
30V 35A 4W 1.5V@250uA TO-252-2L Single FETs, MOSFETs ROHS
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Hersteller:
TWGMC Hersteller-Teilenummer: TW40P03D RoHS Präzisionsgehäuse: TO252t/r |
Auf Lager:
150 Stk. |
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Standard-Verpackung: 150 Menge (mehrere 1) |
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BSS138W SOT323 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 280mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; podobny do: BSS138PW; BSS138PW,115;
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Hersteller:
REALCHIP Hersteller-Teilenummer: BSS138W RoHS Präzisionsgehäuse: SOT323 t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
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RC4805 SOIC8(T/R) RealChip
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7328TRPBF; IRF7328PBF; IRF7328PBF-GURT; IRF7328TRPBFXTMA1
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Hersteller:
REALCHIP Hersteller-Teilenummer: RC4805 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
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BSS84 SOT23 REALCHIP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS84AK,215;
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Hersteller:
REALCHIP Hersteller-Teilenummer: BSS84 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
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YFW4406AS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: YFW4406AS; IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308;
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Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer: YFW4406AS RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
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BSS138 SOT23 YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C;
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Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer: BSS138 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
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IRLR2705TRPBF YFW
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 65mOhm; 28A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR2705PBF; IRLR2705TRPBF; IRLR2705TRLPBF; IRLR2705PBF-GURT; IRLR2705; YFW50N06AD; MOT30N06D; DH300N08D;
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Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer: YFW50N06AD RoHS Präzisionsgehäuse: TO252 (DPACK) t/r |
Auf Lager:
2500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Menge (mehrere 1) |
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2N7002K SOT23 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: NX7002AK; 2N7002,215;
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Hersteller:
REALCHIP Hersteller-Teilenummer: 2N7002K RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
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YFW15N06S SOP8 YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 30mOhm; 7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: YFW15N06S; PTS6012; IRF7478PBF; IRF7478TRPBF; IRF7478PBF-GURT;
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Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer: YFW15N06S RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
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YFW65R380AF
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 450mOhm; 11A; 160W; -65°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: STP11NM60FD; STP11NM60FD-VB;
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Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer: YFW65R380AF RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/200 Menge (mehrere 1) |
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YFW30N10AC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRL540NPBF; IRL 540 NPBF; YFW30N10AC; IRL540NPBF-VB; IRL540N-CN;
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Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer: YFW30N10AC RoHS Präzisionsgehäuse: TO220 |
Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/200 Menge (mehrere 1) |
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T2N7002BK-ES SOT23 ELECSUPER
N-Channel 60V 300mA 350mW Surface Mount SOT-23
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
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RC2302A SOT23 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS205NH6327; BSS214NH6327; BSS806NH6327XTSA1; BSS205N; BSS205NH6327XTSA1; MOT2302AB2; PT2302B; RC2302A;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
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RC2305A SOT23 REALCHIP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 113mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: DMP2305U-7; SI2305; LGE2305; KI2305;
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Hersteller:
REALCHIP Hersteller-Teilenummer: RC2305A RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
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RC2309A SOT23 RealChip
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,8A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2311GN; AP2311GH-HF; AP2311GN-HF-3; AP2311GN-HF-VB; AP2311GN-VB;
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Hersteller:
REALCHIP Hersteller-Teilenummer: RC2309A RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.