Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5478)
Produkt | Warenkorb |
Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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IRLR2908
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 24mOhm; 31A; 53,5W; -55°C~175°C; Äquivalent: IRLR2908TRPBF-TP; IRLR2908TRPBF-VB;
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Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 24mOhm | 31A | 53,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
GAN063-650WSAQ
N-Channel-GaN/MOS-FET-Transistor; 650V; 20V; 120 mOhm; 34,5A; 143W; -55 °C ~ 175 °C;
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Auf Lager:
5 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 650V | 20V | 120mOhm | 34,5A | 143W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | NXP | |||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: GAN063-650WSAQ Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
300 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 120mOhm | 34,5A | 143W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | NXP | |||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: GAN063-650WSAQ Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
260 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 120mOhm | 34,5A | 143W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | NXP | |||||||||||||
BSS138 SOT23 HT SEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2,5Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C;
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Auf Lager:
11600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 50V | 22V | 2,5Ohm | 340mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HT | |||||||||||||
BSS84 SOT23 HT SEMI
Transistor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Ähnlich: BSS84-7-F
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Auf Lager:
11900 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
P-MOSFET | -60V | 20V | 10Ohm | -130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT-23 | HT | |||||||||||||
YFW9926S SOP-8 YFW
20V 5.2A 2W 50m?@4.5V,2.6A 700mV 2 N-Channel SO-8 MOSFETs ROHS Odpowiednik: IRF7301; IRF7301TRPBF;
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Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer: YFW9926S RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
180 Stk. |
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Standard-Verpackung: 180 Menge (mehrere 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 19mOhm | 7,1A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ||||||||||||||
2N7002K SOT23 MDD
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C;
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Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 10) |
MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 300mA | 300mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | MDD | |||||||||||||
Auf Lager:
0 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 300mA | 300mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | MDD | |||||||||||||
2N7000 DIOTEC
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000-DIO;
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Auf Lager:
6200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 4000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | DIOTEC | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7000 Präzisionsgehäuse: TO92 |
Externes Lager:
85370 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | DIOTEC | ||||||||||||
Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer: 2N7000 Präzisionsgehäuse: TO92 |
Externes Lager:
4000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 4000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | DIOTEC | ||||||||||||
SK3400 SHIKUES
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 55mOhm | 5,8A | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | SHIKUES | ||||||||||||||
AO3400A
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 48mOhm; 5,7A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AO3400A RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 48mOhm | 5,7A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO3400A UMW
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 48mOhm; 5,8A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
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Auf Lager:
3050 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 48mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
AO3401A UMW
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 120mOhm; 4,2A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
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Auf Lager:
6000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 120mOhm | 4,2A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
AO3420
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
988 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 55mOhm | 6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-06-27
Anzahl der Stücke: 3000
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AO4629
N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 48mOhm/74mOhm; 6A/5,5A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AO4629 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 74mOhm | 6A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4805
2xP-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 29mOhm; 9A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AO4805 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
2xP-MOSFET | 30V | 25V | 29mOhm | 9A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AO4805 Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
2xP-MOSFET | 30V | 25V | 29mOhm | 9A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
2N7002
N-Channel-MOSFET-Transistor; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350 mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO;
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Auf Lager:
9465 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 30V | 7Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer: 2N7002 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
789000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 30V | 7Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
201000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 30V | 7Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
Hersteller:
- Hersteller-Teilenummer: 2N7002 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
4960 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 30V | 7Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
AO4842
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 30mOhm; 7,7A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 30mOhm | 7,7A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
RTR040N03TL
30V 6.5A 30m@10V,3.2A 1.7W 1.1V@250uA 17pF@15V N Channel 335pF@15V 2.1nC@4.5V -55~+150@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs ROHS
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Auf Lager:
130 Stk. |
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Standard-Verpackung: 350 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 48mOhm | 5,3A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VBsemi | |||||||||||||
AOD409 UMW
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 55mOhm; 26A; 60W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: AOD409 Alpha&Omega Semiconductor AOS
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Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 55mOhm | 26A | 60W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | UMW | |||||||||||||
AOD409
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 55mOhm; 26A; 60W; -55 °C ~ 175 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD409 RoHS Präzisionsgehäuse: TO252 (DPACK) t/r |
Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 55mOhm | 26A | 60W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD417
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55 °C ~ 175 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD417 RoHS Präzisionsgehäuse: DPAK t/r |
Auf Lager:
125 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 55mOhm | 25A | 50W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-05-09
Anzahl der Stücke: 500
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2N7002-T1-E3 VISHAY
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 40V; 13,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-T1-GE3;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 40V | 13,5Ohm | 115mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
IRLR2908TR
Transistor N-Kanal MOSFET; 100V; 20V; 0,035Ohm; 40A; 3,75W; -55°C~175°C; Ersatz: IRLR2908TRLPBF-VG; IRLR2908TRPBF; IRLR2908TRPBF-VB;
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Auf Lager:
55 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 35mOhm | 40A | 3,75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | VBsemi | |||||||||||||
AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 300 mOhm; 1,8A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2311GN; AP2311GH-HF; AP2311GN-HF-3; AP2311GN-HF-VB; AP2311GN-VB;
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Auf Lager:
0 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 300mOhm | 1,8A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
Auf Lager:
11545 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000/78000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 300mOhm | 1,8A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
Auf Lager:
360 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 300mOhm | 1,8A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-05-01
Anzahl der Stücke: 30000
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AP4435GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 36mOhm; 40A; 44,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
40 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 36mOhm | 40A | 44,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 36mOhm | 40A | 44,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AO3407 HXY MOSFET
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 98mOhm; 4,1A; 1,32W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AO3407 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 98mOhm | 4,1A | 1,32W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
AO3407 JUXING
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 350mW; -50°C ~ 150°C; Äquivalent: AO3407 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 87mOhm | 4,1A | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | JUXING | |||||||||||||
8205A
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Ersatz: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A; VBZC8205A; TPM8205AT8; UT8205AG-P08-R; NM8205A;
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Auf Lager:
85 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 27mOhm | 6A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSSOP08 | HXY MOSFET | |||||||||||||
BS170
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS170 (Masse); BS170G (Röhre); BS170D27Z; BS170D26Z; BS170G; BS170-GURT;BS170-D26Z; BS170-D27Z; BS170-D74Z; BS170-D75Z; BS170-LOSE; BS170; BS 170 Bulk;
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BS170 RoHS Präzisionsgehäuse: TO92bul |
Auf Lager:
1800 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BS170 Präzisionsgehäuse: TO92 |
Externes Lager:
17000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BS170 Präzisionsgehäuse: TO92 |
Externes Lager:
89378 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BS170-D27Z Präzisionsgehäuse: TO92 |
Externes Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
BS250P
P-Channel-MOSFET-Transistor; 45V; 20V; 14Ohm; 230mA; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS250KL; BS250P; BS250P-DIC; BS250;
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Hersteller:
Zetex Hersteller-Teilenummer: BS250P RoHS Präzisionsgehäuse: TO92bul |
Auf Lager:
435 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 45V | 20V | 14Ohm | 230mA | 700mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92formed | DIODES | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BS250P Präzisionsgehäuse: TO92formed |
Externes Lager:
42029 Stk. |
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Standard-Verpackung: 4000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 45V | 20V | 14Ohm | 230mA | 700mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92formed | DIODES | |||||||||||||
BSP318SH6327XTSA1
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 150 mOhm; 2,6A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP318SH6327XTSA1; BSP318SH6534XTMA1; BSP318SL6327HTSA1; BSP318S L6327; BSP318SH6327XTSA1; BSP318S;
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Auf Lager:
45 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 2,6A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP318SH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT223 |
Externes Lager:
686620 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 2,6A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP318SH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT223 |
Externes Lager:
2650 Stk. |
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Standard-Verpackung: 25 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 2,6A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies |
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.