Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 7032)

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IPA60R190C6 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 440 mOhm; 20,2A; 151W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA60R190C6XKSA1;
Micros Symbol: TIPA60r190c6 Infos
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IPA60R190C6 RoHS || IPA60R190C6XKSA1 || IPA60R190C6 TO220iso
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IPA60R190C6 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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TO220iso Infineon Technologies 20,2A 650V 30V 151W THT 440mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
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IPA60R190C6XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
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40 Euro überschreiten. 		TO220iso Infineon Technologies 20,2A 650V 30V 151W THT 440mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
IPA60R280C6 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 660 mOhm; 13,8A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA60R280C6XKSA1;
Micros Symbol: TIPA60r280c6 Infos
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IPA60R280C6 RoHS || IPA60R280C6 TO220iso
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IPA60R280C6 RoHS Präzisionsgehäuse:
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TO220iso Infineon Technologies 13,8A 650V 30V 104W THT 660mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
IPA60R280E6XKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 660 mOhm; 13,8A; 32W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TIPA60r280e6 Infos
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IPA60R280E6XKSA1 RoHS || IPA60R280E6XKSA1 TO220FP
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IPA60R280E6XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
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TO220FP Infineon Technologies 13,8A 650V 30V 32W THT 660mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
IPA60R380P6 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 889 mOhm; 10,6A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA60R380P6XKSA1;
Micros Symbol: TIPA60r380p6 Infos
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IPA60R380P6XKSA1 RoHS || IPA60R380P6 TO220iso
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IPA60R380P6XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
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TO220iso Infineon Technologies 10,6A 650V 30V 83W THT 889mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
IPA60R950C6XKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 2,22 Ohm; 4,4A; 26W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TIPA60r950c6 Infos
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IPA60R950C6XKSA1 RoHS || IPA60R950C6XKSA1 TO220FP
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R950C6XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
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TO220FP Infineon Technologies 4,4A 650V 30V 26W THT 2,22Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
IPA65R225C7XKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 700V; 30V; 478 mOhm; 7A; 29W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TIPA65r225c7 Infos
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IPA65R225C7XKSA1 RoHS || IPA65R225C7XKSA1 TO220FP
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA65R225C7XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 2,0481 1,5742 1,3988 1,3077 1,2803
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TO220FP Infineon Technologies 7A 700V 30V 29W THT 478mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
IPA80R1K2P7 Infineon Technologies N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 2,7 Ohm; 4,5A; 25W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA80R1K2P7XKSA1; IPA80R1K2P7XKSA1;
Micros Symbol: TIPA80r1k2p7 Infos
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IPA80R1K2P7XKSA1 RoHS || IPA80R1K2P7 Infineon Technologies TO220iso
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA80R1K2P7XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,3418 1,0252 0,8475 0,7427 0,7062
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50
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TO220iso Infineon Technologies 4,5A 800V 30V 25W THT 2,7Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
IPAN70R900P7S N-Channel-MOSFET-Transistor; 700V; 30V; 9Ohm; 600mA; 17W; -50 °C ~ 150 °C; Odpowiednik: IPAN70R900P7SXKSA1;
Micros Symbol: TIPAN70r900p7s Infos
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IPAN70R900P7SXKSA1 RoHS || IPAN70R900P7S TO220iso
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPAN70R900P7SXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
Preis netto (EUR) 0,8611 0,5695 0,4693 0,4374 0,4101
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50/250
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TO220iso INFINEON 6A 10V 700V 30V 17W THT 900mOhm -40°C ~ 150°C MOSFET
IPB010N06NATMA1 Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK
Micros Symbol: TIPB010n06n Infos
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IPB010N06NATMA1 RoHS || IPB010N06NATMA1 D2PAK
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB010N06NATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
D2PAK t/r
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10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 5,2170 4,8046 4,5540 4,4242 4,3467
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300
Menge (mehrere 1)
D2PAK INFINEON 180A 60V 20V 300W SMD 1mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
IPB072N15N3G Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 7,7 mOhm; 100A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPB072N15N3GATMA1; IPB072N15N3GE8187; IPB072N15N3G E8187;
Micros Symbol: TIPB072n15n3g Infos
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IPB072N15N3G RoHS || IPB072N15N3G Infineon TO263/3
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB072N15N3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263/3/t/r
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,7633 1,4717 1,3031 1,2211 1,1755
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1000
Menge (mehrere 1)
TO263/3 Infineon Technologies 100A 150V 20V 300W SMD 7,7mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB072N15N3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263/3
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14 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,7633 1,4717 1,3031 1,2211 1,1755
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
TO263/3 Infineon Technologies 100A 150V 20V 300W SMD 7,7mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
IPB090N06N3G INFINEON N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9,3 mOhm; 50A; 71W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPB090N06N3GATMA1;
Micros Symbol: TIPB090n06n3 Infos
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IPB090N06N3G RoHS || IPB090N06N3G INFINEON TO263/3
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB090N06N3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263/3
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126 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8498 0,5376 0,4237 0,3873 0,3691
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
TO263/3 Infineon Technologies 50A 60V 20V 71W SMD 9,3mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
IPB107N20N3G INFINEON N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPB107N20N3GATMA1;
Micros Symbol: TIPB107n20n3g Infos
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IPB107N20N3G RoHS || IPB107N20N3G INFINEON TO263/3
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPB107N20N3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263/3
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Auf Lager:
15 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 4,9983 4,2989 4,0255 3,8797 3,8455
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
TO263/3 Infineon Technologies 88A 200V 20V 300W SMD 11mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
IPD090N03LG Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 13,5 mOhm; 40A; 42W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPD090N03LGATMA1;
Micros Symbol: TIPD090n03lg Infos
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IPD090N03LG RoHS || IPD090N03LG Infineon TO252/3 (DPAK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPD090N03LG RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252/3 (DPAK)
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75 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4055 0,2643 0,1898 0,1661 0,1556
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies 40A 30V 20V 42W SMD 13,5mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
IPD100N06S403ATMA2 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3,5 mOhm; 100A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1;
Micros Symbol: TIPD100n06s403 Infos
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IPD100N06S403ATMA2 RoHS || IPD100N06S403ATMA2 DPAK
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPD100N06S403ATMA2 RoHS Präzisionsgehäuse:
DPAK t/r
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Auf Lager:
8 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 4,0734 3,4286 3,0413 2,8500 2,7338
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO-252-3 INFINEON 100A 20V 60V 10V 150W SMD 3,5mOhm -55°C ~ 175°C MOSFET
IPD50P04P4L11ATMA2 P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 10V; 10,6 mOhm; 50A; 58W; -55°C~175°C; Äquivalent: IPD50P04P4L-11; IPD50P04P4L11ATMA1; IPD50P04P4L11ATMA2; IPD50P04P4L11;
Micros Symbol: TIPD50p04p4l11 Infos
Datenblatt
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IPD50P04P4L-11 RoHS || IPD50P04P4L11ATMA2 DPAK
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPD50P04P4L-11 RoHS Präzisionsgehäuse:
DPAK t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,4922 1,1049 0,9659 0,8976 0,8771
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
DPAK INFINEON 50A 40V 10V 58W SMD 10,6mOhm -55°C ~ 175°C P-MOSFET
DMP3068L-7 Trans MOSFET P-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R DMP3068L-13
Micros Symbol: TDMP3068L-7 Diodes Infos
Datenblatt
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DMP3068L-7 RoHS || DMP3068L-7 || DMP3068L-7 SOT23
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
DMP3068L-7 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
2540 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2244 0,1066 0,0599 0,0456 0,0408
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 DIODES/ZETEX -3,9A -30V 12V 700mW SMD 72mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
DMP3068L-7 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,2587
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		SOT23 DIODES/ZETEX -3,9A -30V 12V 700mW SMD 72mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
IPD70R360P7S Transistor N-Kanal MOSFET; 700V; 30V; 360mOhm; 12,5A; 59,5W; -40°C ~ 150°C;
Micros Symbol: TIPD70r360p7s Infos
Datenblatt
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IPD70R360P7SAUMA1 RoHS || IPD70R360P7S TO252 (DPAK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPD70R360P7SAUMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPAK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,6288 0,3964 0,3098 0,2825 0,2734
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPAK) INFINEON 12,5A 700V 30V 59,5W SMD 360mOhm -40°C ~ 150°C N-MOSFET
DMP4047SK3-13 Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 55mOhm; 20A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: PTD40P20;
Micros Symbol: TDMP4047SK3-13 Diodes Infos
Datenblatt
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DMP4047SK3-13 RoHS || DMP4047SK3-13 DPAK
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
DMP4047SK3-13 RoHS Präzisionsgehäuse:
DPAK t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,4374 0,2643 0,2014 0,1811 0,1750
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPAK) DIODES 20A 40V 20V 1,6W SMD 55mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
IDP78CN10NG TO252-3 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 80mOhm; 13A; 31W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPD78CN10NGATMA1;
Micros Symbol: TIPD78cn10n Infos
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IPD78CN10NGATMA1 RoHS || IDP78CN10NG TO252-3 TO252/3 (DPAK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPD78CN10NGATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252/3 (DPAK)
Datenblatt
Auf Lager:
55 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6242 0,3918 0,3258 0,2893 0,2711
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies 13A 100V 20V 31W SMD 80mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
IPD90P04P4L-04 P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 16V; 6,6 mOhm; 90A; 125 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPD90P04P4L04ATMA1;
Micros Symbol: TIPD90p04p4l04 Infos
Datenblatt
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IPD90P04P4L-04 RoHS || IPD90P04P4L-04 TO252 (DPAK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPD90P04P4L-04 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
15 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,7838 1,4170 1,2803 1,2120 1,1892
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPAK) Infineon Technologies 90A 40V 16V 125W SMD 6,6mOhm -55°C ~ 175°C P-MOSFET
IPD90R1K2C3 INFINEON N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 2,5 Ohm; 5.1A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPD90R1K2C3ATMA1; IPD90R1K2C3BTMA1; IPD90R1K2C3ATMA2;
Micros Symbol: TIPD90r1k2c3 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IPD90R1K2C3 RoHS || IPD90R1K2C3 INFINEON TO252
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPD90R1K2C3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,2120 0,8498 0,7222 0,6607 0,6379
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
TO252 Infineon Technologies 5,1A 900V 30V 83W SMD 2,5Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
IPI80N06S407AKSA2 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 7,4 mOhm; 80A; 79W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TIPI80N06S4-07 Infos
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IPI80N06S407AKSA2 RoHS || IPI80N06S407AKSA2 TO262
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPI80N06S407AKSA2 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO262
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34 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3122 0,9181 0,7358 0,7131 0,6903
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
TO262 Infineon Technologies 80A 60V 20V 79W THT 7,4mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
Micros Symbol: TIPN60r3k4ce Infos
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IPN60R3K4CE RoHS || IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPN60R3K4CE RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3144 0,1727 0,1358 0,1258 0,1205
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT223-3 INFINEON 2,6A 600V 20V 5W SMD 3,4kOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
IPN60R600P7S N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 1,145 Ohm; 6A; 7W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPN60R600P7SATMA1;
Micros Symbol: TIPN60r600p7s Infos
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IPN60R600P7SATMA1 RoHS || IPN60R600P7S SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPN60R600P7SATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1004 0,7313 0,6060 0,5468 0,5240
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
SOT223 Infineon Technologies 6A 650V 30V 7W SMD 1,145mOhm -40°C ~ 150°C N-MOSFET
IPP032N06N3G N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3,2 mOhm; 120A; 188W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPP032N06N3GXKSA1;
Micros Symbol: TIPP032n06n3g Infos
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IPP032N06N3GXKSA1 RoHS || IPP032N06N3G TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPP032N06N3GXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Auf Lager:
240 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
Preis netto (EUR) 1,4284 0,9956 0,8452 0,7951 0,7518
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Standard-Verpackung:
50/250
Menge (mehrere 1)
TO220 Infineon Technologies 120A 60V 20V 188W THT 3,2mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
IPP034NE7N3GXKSA1 Transistor N-Kanal MOSFET; 75V; 20V; 3,4mOhm; 100A; 214W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: TIPP034ne7n3g Infos
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IPP034NE7N3GXKSA1 RoHS || IPP034NE7N3GXKSA1 TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPP034NE7N3GXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,8727 1,5719 1,3965 1,2894 1,2484
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 INFINEON 100A 75V 20V 214W THT 3,4mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
IPP041N12N3G N-Channel-MOSFET-Transistor; 120V; 20V; 4,1 mOhm; 120A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPP041N12N3GXKSA1;
Micros Symbol: TIPP041n12n3g Infos
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IPP041N12N3GXKSA1 RoHS || IPP041N12N3G TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPP041N12N3GXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,4171 2,0891 1,8954 1,7724 1,7268
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 Infineon Technologies 120A 120V 20V 300W THT 4,1mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
IPP045N10N3G N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 7,7 mOhm; 100A; 214 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPP045N10N3GXKSA1; IPP045N10N3GHKSA1;
Micros Symbol: TIPP045n10n3g Infos
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IPP045N10N3GXKSA1 RoHS || IPP045N10N3G TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPP045N10N3GXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Auf Lager:
60 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,6608 1,2325 1,0252 0,9910 0,9773
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Standard-Verpackung:
50/150
Menge (mehrere 1)
TO220 Infineon Technologies 100A 100V 20V 214W THT 7,7mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
IPP060N06N N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9mOhm; 45A; 83W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPP060N06NAKSA1;
Micros Symbol: TIPP060n06n Infos
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IPP060N06NAKSA1 RoHS || IPP060N06N TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPP060N06NAKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,2894 0,9022 0,7427 0,6903 0,6789
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO220 Infineon Technologies 45A 60V 20V 83W THT 9mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
IPP110N20N3G N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPP110N20N3GXKSA1;
Micros Symbol: TIPP110n20n3g Infos
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IPP110N20N3G RoHS || IPP110N20N3G TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPP110N20N3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Auf Lager:
8 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 16+ 64+ 192+
Preis netto (EUR) 3,4355 2,9981 2,7862 2,6837 2,6427
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Standard-Verpackung:
16
Menge (mehrere 1)
TO220 Infineon Technologies 88A 200V 20V 300W THT 11mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
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