Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 7032)

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HYG043N10NS2B HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 164A; 4,8mOhm; 258,6W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG043n10ns2b Infos
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HYG043N10NS2B RoHS || HYG043N10NS2B HUAYI TO263 (D2PAK)
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HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG043N10NS2B RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263t/r (D2PAK)
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,9705 0,6470 0,5354 0,4830 0,4625
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100
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TO263 (D2PAK) HUAYI 164A 100V 20V 258,6W SMD 4,8mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
HYG053N10NS1B HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 120A; 5,5mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG053n10ns1b Infos
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HYG053N10NS1B RoHS || HYG053N10NS1B HUAYI TO263 (D2PAK)
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HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG053N10NS1B RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263t/r (D2PAK)
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7860 0,4944 0,4101 0,3645 0,3417
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100
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TO263 (D2PAK) HUAYI 120A 100V 20V 187,5W SMD 5,5mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
HYG053N10NS1P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 120A; 5,5mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG053n10ns1p Infos
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HYG053N10NS1P RoHS || HYG053N10NS1P HUAYI TO220
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HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG053N10NS1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Anzahl der Stücke 2+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,8862 0,6584 0,4898 0,4101 0,3850
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20/100
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TO220 HUAYI 120A 100V 20V 187,5W THT 5,5mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
HYG054N10NS1P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 120A; 6,4mOhm; 194,8W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG054n10ns1p Infos
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HYG054N10NS1P RoHS || HYG054N10NS1P HUAYI TO220
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HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG054N10NS1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,0776 0,7153 0,5923 0,5354 0,5126
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20/100
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TO220 HUAYI 120A 100V 20V 194,8W THT 6,4mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
HYG055N08NS1P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 120A; 6,8mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG055n08ns1p Infos
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HYG055N08NS1P RoHS || HYG055N08NS1P HUAYI TO220
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HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG055N08NS1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1664 0,7769 0,6424 0,5787 0,5559
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20/100
Menge (mehrere 1)
TO220 HUAYI 120A 80V 20V 187,5W THT 6,8mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
HYG060N08NS1P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 105A; 6mOhm; 125W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG060n08ns1p Infos
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HYG060N08NS1P RoHS || HYG060N08NS1P HUAYI TO220
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HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG060N08NS1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,0776 0,7153 0,5536 0,5354 0,5126
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50/100
Menge (mehrere 1)
TO220 HUAYI 105A 80V 20V 125W THT 6mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
HYG065N03LR1D HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 55A; 10,9mOhm; 42W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF;
Micros Symbol: THYG065n03lr1d Infos
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HYG065N03LR1D RoHS || HYG065N03LR1D HUAYI TO252 (DPAK)
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HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG065N03LR1D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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300 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,2643 0,1695 0,1194 0,1014 0,0964
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300
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPAK) HUAYI 55A 30V 20V 42W SMD 10,9mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
HYG065N07NS1P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 70V; 20V; 100A; 6,5mOhm; 125W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRF3205PBF;
Micros Symbol: THYG065n07ns1p Infos
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HYG065N07NS1P RoHS || HYG065N07NS1P HUAYI TO220
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HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG065N07NS1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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50 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7336 0,4602 0,3600 0,3394 0,3189
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
TO220 HUAYI 100A 70V 20V 125W THT 6,5mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
HYG065N15NS1W HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 165A; 7,5mOhm; 375W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG065n15ns1w Infos
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HYG065N15NS1W RoHS || HYG065N15NS1W HUAYI TO247
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HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG065N15NS1W RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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25 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 2,6882 2,3123 2,0891 1,9797 1,9205
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10/30
Menge (mehrere 1)
TO247 HUAYI 165A 150V 20V 375W THT 7,5mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
HYG101N10LA1D HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 15A; 125mOhm; 51,7W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRLR120PBF; IRLR120TRLPBF; IRLR120TRPBF; IRLR120TRRPBF; IRLR120NPBF; IRLR120NTRLPBF; IRLR120NTRPBF;
Micros Symbol: THYG101n10la1d Infos
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HYG101N10LA1D RoHS || HYG101N10LA1D HUAYI TO252 (DPAK)
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG101N10LA1D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4123 0,2711 0,1941 0,1697 0,1590
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPAK) HUAYI 15A 100V 20V 51,7W SMD 125mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
HYG170C03LR1S HUAYI N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 9,5A/8A; 19,3mOhm/40mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRF7319PBF; IRF7319TRPBF;
Micros Symbol: THYG170c03lr1s Infos
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HYG170C03LR1S RoHS || HYG170C03LR1S HUAYI SOP08
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG170C03LR1S RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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Auf Lager:
160 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4032 0,2643 0,1891 0,1654 0,1549
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
SOP08 HUAYI 9,5A 30V 20V 3W SMD 19,3mOhm -55°C ~ 175°C N/P-MOSFET
HYG180N10LS1D HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 45A; 30mOhm; 71,4W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG180n10ls1d Infos
Datenblatt
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HYG180N10LS1D RoHS || HYG180N10LS1D HUAYI TO252 (DPAK)
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG180N10LS1D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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Auf Lager:
60 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4351 0,2415 0,1907 0,1797 0,1741
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPAK) HUAYI 45A 100V 20V 71,4W SMD 30mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
HYG180N10LS1P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 50A; 34mOhm; 93,7W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRF540PBF; IRF540NPBF;
Micros Symbol: THYG180n10ls1p Infos
Datenblatt
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HYG180N10LS1P RoHS || HYG180N10LS1P HUAYI TO220
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG180N10LS1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6242 0,4647 0,3440 0,2893 0,2711
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Standard-Verpackung:
20/100
Menge (mehrere 1)
TO220 HUAYI 50A 100V 20V 93,7W THT 34mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
 
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG180N10LS1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6242 0,3918 0,3076 0,2893 0,2711
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
TO220 HUAYI 50A 100V 20V 93,7W THT 34mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
HYG180N10LS1S HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 9A; 26mOhm; 4,6W; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: THYG180n10ls1s Infos
Datenblatt
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HYG180N10LS1S RoHS || HYG180N10LS1S HUAYI SOP08
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG180N10LS1S RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4420 0,2688 0,2059 0,1859 0,1768
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
SOP08 HUAYI 9A 100V 20V 4,6W SMD 26mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
HYG210N06LA1S HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9A; 23mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRF7478PBF; IRF7478TRPBF;
Micros Symbol: THYG210n06la1s Infos
Datenblatt
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HYG210N06LA1S RoHS || HYG210N06LA1S HUAYI SOP08
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG210N06LA1S RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4260 0,2802 0,2005 0,1752 0,1643
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
SOP08 HUAYI 9A 60V 20V 3W SMD 23mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
HYG210P06LQ1D HUAYI P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 40A; 32mOhm; 60W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: THYG210p06lq1d Infos
Datenblatt
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HYG210P06LQ1D RoHS || HYG210P06LQ1D HUAYI TO252 (DPAK)
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG210P06LQ1D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
125 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4852 0,2939 0,2258 0,2037 0,1939
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPAK) HUAYI 40A 60V 20V 60W SMD 32mOhm -55°C ~ 175°C P-MOSFET
HYG210P06LQ1P HUAYI P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 45A; 34mOhm; 107W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRF4905PBF;
Micros Symbol: THYG210p06lq1p Infos
Datenblatt
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HYG210P06LQ1P RoHS || HYG210P06LQ1P HUAYI TO220
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG210P06LQ1P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,9614 0,6402 0,5285 0,4784 0,4579
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Standard-Verpackung:
20/100
Menge (mehrere 1)
TO220 HUAYI 45A 60V 20V 107W THT 34mOhm -55°C ~ 175°C P-MOSFET
HYG260P03LR1S HUAYI P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 8A; 55mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRF7416PBF; IRF7416TRPBF;
Micros Symbol: THYG260p03lr1s Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
HYG260P03LR1S RoHS || HYG260P03LR1S HUAYI SOP08
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG260P03LR1S RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,3212 0,2110 0,1515 0,1299 0,1235
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
SOP08 HUAYI 8A 30V 20V 3W SMD 55mOhm -55°C ~ 175°C P-MOSFET
HYG350N06LA1D HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 26A; 44mOhm; 42,8W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRLR024PBF; IRLR024TRLPBF; IRLR024TRPBF; IRLR024NPBF; IRLR024NTRLPBF; IRLR024NTRPBF; IRLR024NTRRPBF;
Micros Symbol: THYG350n06la1d Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
HYG350N06LA1D RoHS || HYG350N06LA1D HUAYI TO252 (DPAK)
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG350N06LA1D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
175 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4078 0,2688 0,1918 0,1677 0,1572
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPAK) HUAYI 26A 60V 20V 42,8W SMD 44mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
HYG450P06LA1D HUAYI P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305TRPBF; IRFR5305TRRPBF; IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF;
Micros Symbol: THYG450p06la1d Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
HYG450P06LA1D RoHS || HYG450P06LA1D HUAYI TO252 (DPAK)
Hersteller:
HUAYI Hersteller-Teilenummer:
HYG450P06LA1D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
248 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
Preis netto (EUR) 0,4830 0,2916 0,2253 0,1998 0,1930
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPAK) HUAYI 20A 60V 20V 37,5W SMD 62mOhm -55°C ~ 175°C P-MOSFET
IPA045N10N3GXKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 7,7 mOhm; 64A; 39W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TIPA045n10n3g Infos
Datenblatt
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IPA045N10N3GXKSA1 RoHS || IPA045N10N3GXKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA045N10N3GXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,5810 1,2598 1,0799 0,9682 0,9295
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220FP Infineon Technologies 64A 100V 20V 39W THT 7,7mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
IPA057N06N3GXKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5,7 mOhm; 60A; 38W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TIPA057n06n3g Infos
Datenblatt
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IPA057N06N3GXKSA1 RoHS || IPA057N06N3GXKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA057N06N3GXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,4763 1,1254 0,9318 0,8179 0,7769
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220FP Infineon Technologies 60A 60V 20V 38W THT 5,7mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
IPA075N15N3GXKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 7,9 mOhm; 43A; 39W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TIPA075n15n3g Infos
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IPA075N15N3GXKSA1 RoHS || IPA075N15N3GXKSA1 TO220FP
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA075N15N3GXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
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10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 4,2738 3,5972 3,1917 2,9890 2,8682
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO220FP Infineon (IRF) 43A 150V 20V 39W THT 7,9mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
IPA083N10N5XKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 11mOhm; 44A; 36W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TIPA083n10n5 Infos
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IPA083N10N5XKSA1 RoHS || IPA083N10N5XKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA083N10N5XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
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Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,3988 1,0662 0,8839 0,7746 0,7358
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220FP Infineon Technologies 44A 100V 20V 36W THT 11mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
IPA086N10N3GXKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 15,4 mOhm; 45A; 37,5 W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TIPA086n10n3g Infos
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IPA086N10N3GXKSA1 RoHS || IPA086N10N3GXKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA086N10N3GXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
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Auf Lager:
45 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,1596 0,8862 0,7336 0,6424 0,6105
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220FP Infineon Technologies 45A 100V 20V 37,5W THT 15,4mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
IPA105N15N3GXKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 11,1 mOhm; 37A; 40,5 W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TIPA105n15n3g Infos
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IPA105N15N3GXKSA1 RoHS || IPA105N15N3GXKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA105N15N3GXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
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Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,5243 2,9138 2,5538 2,3761 2,2736
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO220FP Infineon Technologies 37A 150V 20V 40,5W THT 11,1mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
IPA180N10N3GXKSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 33mOhm; 28A; 30W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TIPA180n10n3g Infos
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IPA180N10N3GXKSA1 RoHS || IPA180N10N3GXKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA180N10N3GXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
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Auf Lager:
45 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,4193 1,0844 0,8976 0,7860 0,7472
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220FP Infineon Technologies 28A 100V 20V 30W THT 33mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
IPA50R140CP N-Channel-MOSFET-Transistor; 550V; 30V; 320 mOhm; 23A; 34W; -55 °C ~ 150 °C; Odpowiednik: IPA50R140CPXKSA1;
Micros Symbol: TIPA50r140cp Infos
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IPA50R140CP RoHS || IPA50R140CP TO220iso
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA50R140CP RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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Auf Lager:
12 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,3398 2,9707 2,7475 2,6358 2,5698
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO220iso Infineon Technologies 23A 550V 30V 34W THT 320mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
IPA50R199CP N-Channel-MOSFET-Transistor; 550V; 30V; 450 mOhm; 17A; 139W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA50R199CPXKSA1;
Micros Symbol: TIPA50r199cp Infos
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IPA50R199CP RoHS || IPA50R199CP TO220iso
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA50R199CP RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,4376 2,1050 1,9114 1,7884 1,7405
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220iso Infineon Technologies 17A 550V 30V 139W THT 450mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
IPA60R060C7XKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 115mOhm; 16A; 34W; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: TIPA60r060c7 Infos
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IPA60R060C7XKSA1 RoHS || IPA60R060C7XKSA1 TO220FP
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IPA60R060C7XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
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Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 20+ 40+ 100+
Preis netto (EUR) 6,1328 5,0370 4,4356 4,2966 4,1713
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Standard-Verpackung:
4
Menge (mehrere 1)
TO220FP Infineon Technologies 16A 650V 20V 34W THT 115mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
1    40  41  42  43  44  45  46  47  48    235