BSS138-7-F Diodes

Symbol Micros: TBSS138 DIO
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138-TP; BSS138-13-F;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 200mA
Maksymalna tracona moc: 300mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 50V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BSS138-7-F RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
15000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4950 0,2270 0,1240 0,0924 0,0825
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/18000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BSS138-7-F RoHS .K38 Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4950 0,2270 0,1240 0,0924 0,0825
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BSS138-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
9699000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0825
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BSS138-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
162000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0825
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BSS138-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
13479000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0825
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 3,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 200mA
Maksymalna tracona moc: 300mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD