BSS138LT1G-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TBSS138L CNB
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 115mA; 300mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 6Ohm
Maksymalny prąd drenu: 115mA
Maksymalna tracona moc: 300mW
Obudowa: SOT23
Producent: CHIPNOBO
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: CHIPNOBO Symbol producenta: BSS138LT1G-CN RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2720 0,1050 0,0512 0,0407 0,0389
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 6Ohm
Maksymalny prąd drenu: 115mA
Maksymalna tracona moc: 300mW
Obudowa: SOT23
Producent: CHIPNOBO
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -50°C ~ 150°C
Montaż: SMD