BSS138P NEXPERIA

Symbol Micros: TBSS138p
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 360mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138P.215;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 360mA
Maksymalna tracona moc: 420mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: NXP Symbol producenta: BSS138P,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
8717 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,1300 1,2900 0,9920 0,8950 0,8520
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: NXP Symbol producenta: BSS138P RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
46598 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,1300 1,2900 0,9920 0,8950 0,8520
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/111000
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 360mA
Maksymalna tracona moc: 420mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD