BSS138LT1G smd

Symbol Micros: TBSS138LT1G
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138L; BSS138; BSS138TA; BSS138LT3G; BSS138-YAN; BSS138-TP; BSS138LT7G; BSS138LT1G;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalna tracona moc: 225mW
Maksymalny prąd drenu: 200mA
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BSS138LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2532 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7150 0,3400 0,1910 0,1450 0,1300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/30000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-08-14
Ilość szt.: 30000
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalna tracona moc: 225mW
Maksymalny prąd drenu: 200mA
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD