BSS138-TD TDSEMIC

Symbol Micros: TBSS138 TDS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 300mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: TDSEMIC
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: TDSEMIC Symbol producenta: BSS138-TD RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
9000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2650 0,1020 0,0499 0,0397 0,0379
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 300mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: TDSEMIC
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD