BSS138-TP

Symbol Micros: TBSS138-TP
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 6Ohm
Maksymalny prąd drenu: 220mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: Micro Comercial Components Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Micro Commercial Components Corp. Symbol producenta: BSS138-TP RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
9000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4740 0,2170 0,1180 0,0885 0,0790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 6Ohm
Maksymalny prąd drenu: 220mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: Micro Comercial Components Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD