BSS138 Fairchild ONS

Symbol Micros: TBSS138 FAI
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138-FAI; BSS138LT3G;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 6Ohm
Maksymalny prąd drenu: 220mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BSS138 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
1340 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5500 0,2610 0,1470 0,1120 0,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BSS138 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
4392000 szt.
ilość szt. 21000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-03-31
Ilość szt.: 3000
Rezystancja otwartego kanału: 6Ohm
Maksymalny prąd drenu: 220mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD