BSS138LT1G smd

Symbol Micros: TBSS138LT1G
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138L; BSS138; BSS138TA; BSS138LT3G; BSS138-YAN; BSS138-TP; BSS138LT7G; BSS138LT1G;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 200mA
Maksymalna tracona moc: 225mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BSS138LT3G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
120000 szt.
ilość szt. 10000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,1380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BSS138LT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
1173000 szt.
ilość szt. 6000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,1380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2027-05-07
Ilość szt.: 60000
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 200mA
Maksymalna tracona moc: 225mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD