BSS138LT1G smd

Symbol Micros: TBSS138L
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138L; BSS138; BSS138TA; BSS138LT3G; BSS138-YAN; BSS138-TP; BSS138LT7G; BSS138LT1G;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 200mA
Maksymalna tracona moc: 225mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BSS138LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
183292 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8330 0,4220 0,2560 0,2030 0,1850
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/30000
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BSS138 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
415 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8330 0,4220 0,2560 0,2030 0,1850
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/30000
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 200mA
Maksymalna tracona moc: 225mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD