Tranzystory (wyszukane: 9823)

1    109  110  111  112  113  114  115  116  117    328
Produkt Koszyk
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Obudowa
Producent
Moc strat
Współczynnik wzmocnienia prądowego
Częstotliwość graniczna
Ładunek bramki
Maksymalna moc rozpraszana
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-bramka
Temperatura pracy (zakres)
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Montaż
Napięcie kolektor-emiter
Napięcie bramka-emiter
Układy tranzystorowe [T/N]
MUN5212DW1T1G ONSemiconductor Tranzystor 2xNPN; 100; 385mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TMUN5212dw info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
MUN5212DW1T1G RoHS || MUN5212DW1T1G || MUN5212DW1T1G ONSemiconductor SOT363
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
MUN5212DW1T1G RoHS Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5050 0,2320 0,1260 0,0943 0,0842
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/6000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT363 ON SEMICONDUCTOR 385mW 100 100mA 50V 2xNPN -55°C ~ 150°C
 
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
MUN5212DW1T1G Obudowa dokładna:
SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1028
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		SOT363 ON SEMICONDUCTOR 385mW 100 100mA 50V 2xNPN -55°C ~ 150°C
 
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
MUN5212DW1T1G Obudowa dokładna:
SOT363  
Magazyn zewnetrzny:
87000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1261
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		SOT363 ON SEMICONDUCTOR 385mW 100 100mA 50V 2xNPN -55°C ~ 150°C
MUN5213T1G ONSemiconductor Tranzystor NPN; 140; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TMUN5213 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
MUN5213T1G RoHS || MUN5213T1G || MUN5213T1G ONSemiconductor SC70-3
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
MUN5213T1G RoHS Obudowa dokładna:
SC70-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2800 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2960 0,1140 0,0557 0,0443 0,0423
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SC70-3 ON SEMICONDUCTOR 310mW 140 100mA 50V NPN -55°C ~ 150°C
 
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
MUN5213T1G Obudowa dokładna:
SC70-3  
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0619
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		SC70-3 ON SEMICONDUCTOR 310mW 140 100mA 50V NPN -55°C ~ 150°C
 
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
MUN5213T1G Obudowa dokładna:
SC70-3  
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0680
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		SC70-3 ON SEMICONDUCTOR 310mW 140 100mA 50V NPN -55°C ~ 150°C
 
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
MUN5213T1G Obudowa dokładna:
SC70-3  
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0686
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		SC70-3 ON SEMICONDUCTOR 310mW 140 100mA 50V NPN -55°C ~ 150°C
MUN5233T1G ON Semiconductor Tranzystor NPN; 200; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TMUN5233t1g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
MUN5233T1G SC70-3 RoHS || MUN5233T1G ON Semiconductor SC70-3
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
MUN5233T1G SC70-3 RoHS Obudowa dokładna:
SC70-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5700 0,2610 0,1420 0,1060 0,0950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
SC70-3 ON SEMICONDUCTOR 310mW 200 100mA 50V NPN -55°C ~ 150°C
MUN5311DW1T1G Tranzystor NPN/PNP; 60; 385mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MUN5311DW1T2G;
Symbol Micros: TMUN5311dw info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
MUN5311DW1T1G RoHS || MUN5311DW1T1G || MUN5311DW1T1G SC-88 t/r
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
MUN5311DW1T1G RoHS Obudowa dokładna:
SC-88 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6880 0,3270 0,1840 0,1390 0,1250
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
SC-88 t/r ON SEMICONDUCTOR 385mW 60 100mA 50V NPN/PNP -55°C ~ 150°C
 
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
MUN5311DW1T1G Obudowa dokładna:
SC-88 t/r  
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1250
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		SC-88 t/r ON SEMICONDUCTOR 385mW 60 100mA 50V NPN/PNP -55°C ~ 150°C
 
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
MUN5311DW1T1G Obudowa dokładna:
SC-88 t/r  
Magazyn zewnetrzny:
966000 szt.
Ilość szt. 21000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1250
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		SC-88 t/r ON SEMICONDUCTOR 385mW 60 100mA 50V NPN/PNP -55°C ~ 150°C
MUN5312DW1T1G Tranzystor NPN/PNP; 100; 385mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TMUN5312dw info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
MUN5312DW1T1G RoHS || MUN5312DW1T1G || MUN5312DW1T1G SC-88 t/r
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
MUN5312DW1T1G RoHS Obudowa dokładna:
SC-88 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4860 0,1920 0,1120 0,0819 0,0748
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SC-88 t/r ON SEMICONDUCTOR 385mW 100 100mA 50V NPN/PNP -55°C ~ 150°C
 
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
MUN5312DW1T1G Obudowa dokładna:
SC-88 t/r  
Magazyn zewnetrzny:
303000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1028
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		SC-88 t/r ON SEMICONDUCTOR 385mW 100 100mA 50V NPN/PNP -55°C ~ 150°C
 
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
MUN5312DW1T1G Obudowa dokładna:
SC-88 t/r  
Magazyn zewnetrzny:
951000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1096
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		SC-88 t/r ON SEMICONDUCTOR 385mW 100 100mA 50V NPN/PNP -55°C ~ 150°C
 
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
MUN5312DW1T1G Obudowa dokładna:
SC-88 t/r  
Magazyn zewnetrzny:
123000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1126
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		SC-88 t/r ON SEMICONDUCTOR 385mW 100 100mA 50V NPN/PNP -55°C ~ 150°C
MUN5314DW1T1G ON SEMI Tranzystor NPN/PNP; 140; 385mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TMUN5314dw info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
MUN5314DW1T1G RoHS || MUN5314DW1T1G || MUN5314DW1T1G ON SEMI SC70-6
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
MUN5314DW1T1G RoHS Obudowa dokładna:
SC70-6 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2120 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5500 0,2610 0,1470 0,1120 0,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
SC70-6 ON SEMICONDUCTOR 385mW 140 100mA 50V NPN/PNP -55°C ~ 150°C
 
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
MUN5314DW1T1G Obudowa dokładna:
SC70-6  
Magazyn zewnetrzny:
552000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		SC70-6 ON SEMICONDUCTOR 385mW 140 100mA 50V NPN/PNP -55°C ~ 150°C
 
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
MUN5314DW1T1G Obudowa dokładna:
SC70-6  
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		SC70-6 ON SEMICONDUCTOR 385mW 140 100mA 50V NPN/PNP -55°C ~ 150°C
SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 38A; 17W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSIRA28bdp info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SIRA28BDP-T1-GE3 RoHS || SIRA28BDP-T1-GE3 || SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix PPAK-SO8
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SIRA28BDP-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
PPAK-SO8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 110+ 550+
cena netto (PLN) 4,3100 2,8700 2,3700 2,1300 2,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
110
Ilość (wielokrotność 1)
12mOhm 38A 17W PPAK-SO8 VISHAY 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SIRA28BDP-T1-GE3 Obudowa dokładna:
PPAK-SO8  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		12mOhm 38A 17W PPAK-SO8 VISHAY 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SISH110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 7,8mOhm; 13,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSISH110dn info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SISH110DN-T1-GE3 RoHS || SISH110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix PPAK1212
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SISH110DN-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
PPAK1212  
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 6,0400 4,2300 3,6000 3,2900 3,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
650
Ilość (wielokrotność 1)
7,8mOhm 13,5A 1,5W PPAK1212 Vishay 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SISS22DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 5mOhm; 90,6A; 65,7W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSISS22dn info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SISS22DN-T1-GE3 RoHS || SISS22DN-T1-GE3 Vishay Siliconix PPAK-SO8
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SISS22DN-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
PPAK-SO8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 7,9600 6,3000 5,3700 4,9300 4,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
5mOhm 90,6A 65,7W PPAK-SO8 VISHAY 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SIZ240DT-T1-GE3 Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm/13mOhm; 48A/47A; 33W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSIZ240dt info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SIZ240DT-T1-GE3 RoHS || SIZ240DT-T1-GE3 POWERPAIR08(3.3x3.3)
Producent:
Vishay Symbol Producenta:
SIZ240DT-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna:
POWERPAIR08(3.3x3.3)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 7,7900 6,1800 5,5900 5,2800 5,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
13mOhm 48A 33W POWERPAIR08(3.3x3.3) VISHAY 40V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
NSV1C300ET4G Tranzystor PNP; 360; 2,1W; 100V; 3A; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TNSV1C300et4g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
NSV1C300ET4G RoHS || NSV1C300ET4G || NSV1C300ET4G TO252 (DPACK)
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
NSV1C300ET4G RoHS Obudowa dokładna:
TO252t/r (DPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4000 1,4500 1,1200 1,0100 0,9600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR 2,1W 360 100MHz 3A 100V PNP -65°C ~ 150°C
 
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta:
NSV1C300ET4G Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1509
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR 2,1W 360 100MHz 3A 100V PNP -65°C ~ 150°C
SK3402 SHIKUES Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 65mOhm; 4,2A; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3402;
Symbol Micros: TSK3402 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
SK3402 RoHS || SK3402 SHIKUES SC59
Producent:
SHIKUES Symbol Producenta:
SK3402 RoHS Obudowa dokładna:
SC59
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8580 0,4080 0,2290 0,1740 0,1560
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
65mOhm 4,2A SC59 SHIKUES 30V N-MOSFET -50°C ~ 150°C 12V SMD
SK3407 SHIKUES Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 100mOhm; 4,1A; 25°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3407;
Symbol Micros: TSK3407 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SK3407 RoHS || SK3407 SHIKUES SC59
Producent:
SHIKUES Symbol Producenta:
SK3407 RoHS Obudowa dokładna:
SC-59 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,8860 0,4190 0,2350 0,1770 0,1610
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
100mOhm 4,1A SC59 SHIKUES 30V P-MOSFET 25°C ~ 150°C 20V SMD
SK3414 SHIKUES Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3414;
Symbol Micros: TSK3414 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SK3414 RoHS || SK3414 SHIKUES SC59
Producent:
SHIKUES Symbol Producenta:
SK3414 RoHS Obudowa dokładna:
SC-59 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
270 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9850 0,4660 0,2610 0,1970 0,1790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
60mOhm 4,5A 1,4W SC59 SHIKUES 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SKML2502 SHIKUES Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 4,5A; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
Symbol Micros: TSKML2502 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
SKML2502 RoHS || SKML2502 SHIKUES SOT23
Producent:
SHIKUES Symbol Producenta:
SKML2502 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2480 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9300 0,4420 0,2480 0,1890 0,1690
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
55mOhm 4,5A SOT23 SHIKUES 30V N-MOSFET -50°C ~ 150°C 12V SMD
SKML6401 SHIKUES Tranzystor P-Channel MOSFET; 16V; 8V; 140mOhm; 3A; 25°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
Symbol Micros: TSKML6401 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
SKML6401 RoHS || SKML6401 SHIKUES SOT23
Producent:
SHIKUES Symbol Producenta:
SKML6401 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
750 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,8250 0,3300 0,1920 0,1600 0,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
140mOhm 3A SOT23 SHIKUES 16V P-MOSFET 25°C ~ 150°C 8V SMD
SKQ55P02AD SHIKUES Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 15mOhm; 55A; 38W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TSKQ55P02ad info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SKQ55P02AD RoHS || SKQ55P02AD SHIKUES DFN08(3.3x3.3)
Producent:
SHIKUES Symbol Producenta:
SKQ55P02AD RoHS Obudowa dokładna:
DFN08(3.3x3.3)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
180 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1600 0,7370 0,5170 0,4490 0,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
15mOhm 55A 38W DFN08(3.3x3.3) SHIKUES 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 10V SMD
SMP5116 Transistor JFET 50mA, -40V P-Channel; vDS -15V; Vgs 30V; Gate-Source 4V;
Symbol Micros: TSMP5116 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SMP5116 RoHS || SMP5116 SOT23
Producent:
INTERFET Symbol Producenta:
SMP5116 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 110+
cena netto (PLN) 13,5100 12,0200 11,1200 10,6700 10,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
110
Ilość (wielokrotność 1)
-25mA SOT23 InterFET -15V P-MOSFET 30V SMD
SPA07N60C3 Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA07N60C3XKSA1
Symbol Micros: TSPA07n60c3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPA07N60C3XKSA1 RoHS || SPA07N60C3XKSA1 || SPA07N60C3 TO220iso
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPA07N60C3XKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 7,1400 5,6900 4,8700 4,3800 4,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600mOhm 7,3A 32W TO220FP Infineon 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPA07N60C3XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
70 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		600mOhm 7,3A 32W TO220FP Infineon 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPA07N60C3XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
4890 szt.
Ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		600mOhm 7,3A 32W TO220FP Infineon 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
SPA11N80C3 Tranzystor N-MOSFET; 800V; 20V; 1,05Ohm; 11A; 34W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPA11N80C3XKSA1; SPA11N80C3XKSA2;
Symbol Micros: TSPA11n80c3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPA11N80C3XKSA1 RoHS || SPA11N80C3XKSA2 || SPA11N80C3XKSA1 || SPA11N80C3 TO220iso
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPA11N80C3XKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
16 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 18,5800 15,7300 14,0100 12,9000 12,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
1,05Ohm 11A 34W TO220iso Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPA11N80C3XKSA2 Obudowa dokładna:
TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 12,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		1,05Ohm 11A 34W TO220iso Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPA11N80C3XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
10850 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 12,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		1,05Ohm 11A 34W TO220iso Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPA11N80C3XKSA2 Obudowa dokładna:
TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
492 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 12,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		1,05Ohm 11A 34W TO220iso Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
SPB17N80C3 Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPB17N80C3ATMA1;
Symbol Micros: TSPB17n80c3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPB17N80C3 RoHS || SPB17N80C3ATMA1 || SPB17N80C3 TO263 (D2PAK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPB17N80C3 RoHS Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 13,7800 11,8500 11,0900 10,6900 10,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
670mOhm 17A 227W TO263 (D2PAK) Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPB17N80C3ATMA1 Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
19000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		670mOhm 17A 227W TO263 (D2PAK) Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPB17N80C3ATMA1 Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		670mOhm 17A 227W TO263 (D2PAK) Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SPD06N80C3 Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPD06N80C3ATMA1; SPD06N80C3BTMA1;
Symbol Micros: TSPD06n80c3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPD06N80C3ATMA1 RoHS || SPD06N80C3ATMA1 || SPD06N80C3 TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD06N80C3ATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 16,3800 13,7900 12,2300 11,4600 10,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
2,1Ohm 6A 83W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD06N80C3ATMA1 Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		2,1Ohm 6A 83W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD06N80C3ATMA1 Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		2,1Ohm 6A 83W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SPD07N60C3 Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 1,46Ohm; 7,3A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD07N60C3ATMA1; SPD07N60C3BTMA1;
Symbol Micros: TSPD07n60c3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPD07N60C3 RoHS || SPD07N60C3ATMA1 || SPD07N60C3 TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD07N60C3 RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 4,8100 3,3700 2,8600 2,6200 2,5300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
1,46Ohm 7,3A 83W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD07N60C3ATMA1 Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,5300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		1,46Ohm 7,3A 83W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SPD09P06PL G Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 400mOhm; 9,7A; 42W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPD09P06PLGBTMA1;
Symbol Micros: TSPD09p06pl info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPD09P06PLGBTMA1 RoHS || SPD09P06PLGBTMA1 || SPD09P06PL G TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD09P06PLGBTMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,1800 3,0700 2,4600 2,1100 1,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
400mOhm 9,7A 42W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD09P06PLGBTMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
12 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,1800 3,0700 2,4600 2,1100 1,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
400mOhm 9,7A 42W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD09P06PLGBTMA1 Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		400mOhm 9,7A 42W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
SPD15P10PL G Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 15A; 128W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPD15P10PLGBTMA1;
Symbol Micros: TSPD15p10pl info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPD15P10PLGBTMA1 RoHS || SPD15P10PLGBTMA1 || SPD15P10PL G TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD15P10PLGBTMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 7,9100 5,8600 5,1300 4,7600 4,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
270mOhm 15A 128W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 100V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD15P10PLGBTMA1 Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		270mOhm 15A 128W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 100V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD15P10PLGBTMA1 Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		270mOhm 15A 128W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 100V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
SPD18P06P G Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 18,6A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPD18P06PGBTMA1;
Symbol Micros: TSPD18p06p info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPD18P06PG RoHS || SPD18P06PGBTMA1 || SPD18P06P G TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD18P06PG RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
31 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,8300 3,5400 2,8400 2,4400 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
130mOhm 18,6A 80W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD18P06PGBTMA1 Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		130mOhm 18,6A 80W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD18P06PGBTMA1 Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
75000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		130mOhm 18,6A 80W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
SPD30P06P G Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPD30P06PGBTMA1;
Symbol Micros: TSPD30p06p info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPD30P06PGBTMA1 RoHS || SPD30P06PGBTMA1 || SPD30P06P G TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD30P06PGBTMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,5700 4,2500 3,5200 3,0800 2,9300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
75mOhm 30A 125W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD30P06PGBTMA1 Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
419000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		75mOhm 30A 125W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
SPD50P03L G Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12,5mOhm; 50A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SPD50P03LGBTMA1;
Symbol Micros: TSPD50p03l info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPD50P03LGBTMA1 RoHS || SPD50P03L G TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPD50P03LGBTMA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
9 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 9+ 27+ 81+
cena netto (PLN) 8,1400 6,4400 5,5300 5,0500 4,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
9
Ilość (wielokrotność 1)
12,5mOhm 50A 150W TO252 (DPACK) Infineon Technologies 30V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
SPP04N80C3 Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP04N80C3XKSA1;
Symbol Micros: TSPP04n80c3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPP04N80C3XKSA1 RoHS || SPP04N80C3XKSA1 || SPP04N80C3 TO220
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP04N80C3XKSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,6800 4,3400 3,5900 3,1500 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
3Ohm 4A 63W TO220 Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP04N80C3XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnetrzny:
2868 szt.
Ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		3Ohm 4A 63W TO220 Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP04N80C3XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnetrzny:
1350 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		3Ohm 4A 63W TO220 Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
SPP06N80C3 Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP06N80C3XKSA1;
Symbol Micros: TSPP06N80C3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SPP06N80C3 RoHS || SPP06N80C3XKSA1 || SPP06N80C3 TO220
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP06N80C3 RoHS Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
35 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,4300 5,1300 4,3900 3,9400 3,7800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
2,1Ohm 6A 83W TO220 Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
SPP06N80C3XKSA1 Obudowa dokładna:
TO220  
Magazyn zewnetrzny:
149 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,7505
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		2,1Ohm 6A 83W TO220 Infineon Technologies 800V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
1    109  110  111  112  113  114  115  116  117    328