Tranzystory (wyszukane: 9823)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBT5401 smd
Tranzystor PNP; 240; 300mW; 150V; 500mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT5401-7-F; MMBT5401; MMBT5401LT3G; MMBT5401LT1G; MMBT5401_D87Z; MMBT5401-TP; MMBT5401-FAI; MMBT5401-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: MMBT5401 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 300mW | 240 | 300MHz | 500mA | 150V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: MMBT5401-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | 300mW | 240 | 300MHz | 500mA | 150V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: MMBT5401-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | 300mW | 240 | 300MHz | 500mA | 150V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
MMBT5401
Tranzystor PNP; Bipolar; 300; -150V; -5V; 100MHz; -600mA; 350mW; -55°C~150°C; MMBT5401-LGE; MMBT5401-AU_R1_000A1; MMBT5401-YAN; MMBT5401-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | YFW | 350mW | 300 | 100MHz | -600mA | -150V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
MMBT5401LT1G
Tranzystor PNP; 240; 300mW; 150V; 500mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT5401; MMBT5401-FAI; MMBT5401LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1248 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 240 | 300MHz | 500mA | 150V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT5401LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
237000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 240 | 300MHz | 500mA | 150V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT5401LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
714000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 240 | 300MHz | 500mA | 150V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
MMBT5401
Tranzystor PNP; Bipolar; 160V; 6V; 300MHz; 600mA; 300mW; 300; -55°C~150°C; MMBT5401-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | YY | 300mW | 300 | 300MHz | 600mA | 160V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
SI3459BDV-T1-E3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 288mOhm; 2,9A; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI3459BDV-T1-GE3 RoHS AS.. Obudowa dokładna: TSOP06 t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
288mOhm | 2,9A | 3,3W | TSOP06 | VISHAY | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI3459BDV-T1-GE3 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
288mOhm | 2,9A | 3,3W | TSOP06 | VISHAY | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI3459BDV-T1-GE3 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
288mOhm | 2,9A | 3,3W | TSOP06 | VISHAY | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI3459BDV-T1-GE3 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
288mOhm | 2,9A | 3,3W | TSOP06 | VISHAY | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Tranzystor bipolarny MMBT5401H 2L WEJ
Tranzystor NPN; 100; 300mW; 160V; 600mA; 300MHz SOT23; WEJ;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | WEJ | 300mW | 100 | 300MHz | 600mA | 160V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
MMBT5500
Tranzystor NPN; 250; 300mW; 140V; 600mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT5550LT1G; MMBT5550LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 250 | 600mA | 140V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT5550LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
1554000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 250 | 600mA | 140V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT5550LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 250 | 600mA | 140V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
MMBT5551
Tranzystor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: MMBT5551 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 350mW | 250 | 100MHz | 600mA | 160V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: MMBT5551 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | 350mW | 250 | 100MHz | 600mA | 160V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
MMBT5551
Tranzystor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | HOTTECH | 600mW | 300 | 300MHz | 600mA | 180V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
MMBT5551
Tranzystor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | AnBon | 300mW | 100MHz | 600mA | 180V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Tranzystor bipolarny MMBT5551 G1 WEJ
Tranzystor NPN; 30; 200mW; 30V; 600mA; 300MHz SOT23; WEJ;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | WEJ | 200mW | 30 | 300MHz | 600mA | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
MMBT5551LT1G
Tranzystor NPN; 250; 300mW; 160V; 600mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT5551LT3G; MMBT5551LT1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5651 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 250 | 600mA | 160V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT5551LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
15033000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 250 | 600mA | 160V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT5551LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
150998 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 250 | 600mA | 160V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT5551LT3G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 250 | 600mA | 160V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
MMBT5551-7-F
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23-3 | Diodes Incorporated | 300mW | 250 | 600mA | 160V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBT5551-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
484800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | Diodes Incorporated | 300mW | 250 | 600mA | 160V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
SI3586DV-T1-E3 Vishay
Tranzystor N/P-MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm/220mOhm; 2,9A/2,1A; 830mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
220mOhm | 2,9A | 830mW | TSOP06 | VISHAY | 20V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
MMBT5551M3T5G
Tranzystor NPN; 250; 640mW; 160V; 60mA; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT723 | ON SEMICONDUCTOR | 640mW | 250 | 60mA | 160V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
MMBT6427 smd
Tranzystor NPN; 200000; 300mW; 40V; 500mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT6427; MMBT6427-7-F; MMBT6427LT1G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 200000 | 500mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT6427LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 200000 | 500mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT6427LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
117000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 200000 | 500mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
MMBT6517LT1G
Tranzystor NPN; 200; 300mW; 350V; 100mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT6517LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 200 | 200MHz | 100mA | 350V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
SI4134DY-T1-GE3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 14A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4410BDY-T1-E3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4134DY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
17mOhm | 14A | 5W | SOP08 | VISHAY | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4134DY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
257500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
17mOhm | 14A | 5W | SOP08 | VISHAY | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4134DY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
17mOhm | 14A | 5W | SOP08 | VISHAY | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4134DY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
1250 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
17mOhm | 14A | 5W | SOP08 | VISHAY | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
SI4178DY-T1-GE3 Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 25V; 33mOhm; 12A; 5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4178DY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOIC08t/r |
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
33mOhm | 12A | 5W | SOIC08 | VISHAY | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4178DY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
22500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
33mOhm | 12A | 5W | SOIC08 | VISHAY | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4178DY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
33mOhm | 12A | 5W | SOIC08 | VISHAY | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4178DY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
1550 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
33mOhm | 12A | 5W | SOIC08 | VISHAY | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
SI4286DY
Tranzystor 2xN-MOSFET; 40V; 20V; 40mOhm; 7A; 2,9W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4286DY-T1-GE3; SI4286DY-T1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4286DY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
40mOhm | 7A | 2,9W | SOP08 | VISHAY | 40V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
SI4401BDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 8,7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4401BDY-T1-E3; SI4401BDY-E3; SI4401BDY-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4401BDY RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
47 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
21mOhm | 8,7A | 1,5W | SOP08 | VISHAY | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4401BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
6126 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
21mOhm | 8,7A | 1,5W | SOP08 | VISHAY | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
SI4401DDY-T1-GE3 Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 16,1A; 6,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4401DDY-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4401DDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOIC08 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
22mOhm | 16,1A | 6,3W | SOIC08 | VISHAY | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4401DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
22mOhm | 16,1A | 6,3W | SOIC08 | VISHAY | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4401DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
22mOhm | 16,1A | 6,3W | SOIC08 | VISHAY | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
SI4403BDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 32mOhm; 7,3A; 1,35W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4403BDY RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
32mOhm | 7,3A | 1,35W | SOP08 | VISHAY | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4403BDY RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
32mOhm | 7,3A | 1,35W | SOP08 | VISHAY | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
MMBTA05
Tranzystor NPN; 100; 300mW; 60V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA05-7-F; MMBTA05-TP; MMBTA05LT1G; MMBTA05LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 100 | 100MHz | 500mA | 60V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTA05LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 100 | 100MHz | 500mA | 60V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBTA05-7-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 100 | 100MHz | 500mA | 60V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTA05LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 100 | 100MHz | 500mA | 60V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
SI4420BDY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4420BDY RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
11mOhm | 9,5A | 1,4W | SOP08 | VISHAY | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4420BDY-T1-E3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
11mOhm | 9,5A | 1,4W | SOP08 | VISHAY | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
SI4425BDY-T1-E3
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 19mOhm; 8,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4425BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
8 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 50 Ilość (wielokrotność 1) |
19mOhm | 8,8A | 1,5W | SOP08 | VISHAY | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4425BDY-T1-E3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
19mOhm | 8,8A | 1,5W | SOP08 | VISHAY | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
MMBTA06LT1G
Tranzystor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4826 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 100 | 100MHz | 500mA | 80V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTA06LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1062000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 100 | 100MHz | 500mA | 80V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: MMBTA06-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
553000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 100 | 100MHz | 500mA | 80V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTA06LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
198000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 300mW | 100 | 100MHz | 500mA | 80V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
SI4431CDY-T1-GE3
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 49mOhm; 9A; 4,2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4431CDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOIC08t/r |
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
49mOhm | 9A | 4,2W | SOIC08 | VISHAY | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4431CDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
49mOhm | 9A | 4,2W | SOIC08 | VISHAY | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4431CDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
49mOhm | 9A | 4,2W | SOIC08 | VISHAY | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
MMBTA13
Tranzystor NPN Darlington; 10000; 30V; 1.2A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA13-LGE
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
LGE Symbol Producenta: MMBTA13 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2995 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 10000 | 1,2A | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||
SI4442DY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 7,5mOhm; 15A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4442DY-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
7,5mOhm | 15A | 1,6W | SOP08 | VISHAY | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD |