Tranzystory (wyszukane: 9632)

1    54  55  56  57  58  59  60  61  62    322
Produkt Koszyk
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Obudowa
Producent
Moc strat
Współczynnik wzmocnienia prądowego
Częstotliwość graniczna
Ładunek bramki
Maksymalna moc rozpraszana
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-bramka
Temperatura pracy (zakres)
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Montaż
Napięcie kolektor-emiter
Napięcie bramka-emiter
Układy tranzystorowe [T/N]
IPB010N06NATMA1 Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK
Symbol Micros: TIPB010n06n info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPB010N06NATMA1 RoHS || IPB010N06NATMA1 D2PAK
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPB010N06NATMA1 RoHS Obudowa dokładna:
D2PAK t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 22,9000 21,0900 19,9900 19,4200 19,0800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
1mOhm 180A 300W D2PAK INFINEON 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
JNG15N120AI JIAENSEMI Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 175W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TJNG15n120ai info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
JNG15N120AI RoHS || JNG15N120AI JIAENSEMI TO 3P
Producent:
JIAENSEMI Symbol Producenta:
JNG15N120AI RoHS Obudowa dokładna:
TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 8,4800 6,2900 5,3700 5,0600 4,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
TO 3P JIAENSEMI 70nC 175W 30A 45A 4,0V ~ 6,0V -55°C ~ 150°C THT 1200V 20V
JNG15N120HS2 JIAENSEMI Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 180W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TJNG15n120hs2 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
JNG15N120HS2 RoHS || JNG15N120HS2 JIAENSEMI TO247
Producent:
JIAENSEMI Symbol Producenta:
JNG15N120HS2 RoHS Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
60 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 60+ 300+
cena netto (PLN) 7,9700 5,9100 5,0400 4,8900 4,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/60
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 JIAENSEMI 70nC 180W 30A 45A 4,0V ~ 6,0V -55°C ~ 150°C THT 1200V 20V
JNG15T120HS JIAENSEMI Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 30A; 45A; 105W; 4,5V~6,5V; 120nC; -40°C~155°C;
Symbol Micros: TJNG15t120hs info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
JNG15T120HS RoHS || JNG15T120HS JIAENSEMI TO247
Producent:
JIAENSEMI Symbol Producenta:
JNG15T120HS RoHS Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
60 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 60+ 300+
cena netto (PLN) 6,7800 5,0300 4,2900 4,1600 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/60
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 JIAENSEMI 120nC 105W 30A 45A 4,5V ~ 6,5V -40°C ~ 155°C THT 1200V 30V
JNG15T65FS1 JIAENSEMI Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 30A; 45A; 28W; 4,5V~6,5V; 40,7nC; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TJNG15t65fs1 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
JNG15T65FS1 RoHS || JNG15T65FS1 JIAENSEMI TO220iso
Producent:
JIAENSEMI Symbol Producenta:
JNG15T65FS1 RoHS Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,1800 3,0700 2,4600 2,1100 1,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
TO220iso JIAENSEMI 40,7nC 28W 30A 45A 4,5V ~ 6,5V -55°C ~ 150°C THT 650V 30V
JNG20T60FS JIAENSEMI Tranzystor IGBT ; 600V; 30V; 40A; 60A; 40W; 4,5V~6,5V; 62nC; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TJNG20t60fs info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
JNG20T60FS RoHS || JNG20T60FS JIAENSEMI TO220iso
Producent:
JIAENSEMI Symbol Producenta:
JNG20T60FS RoHS Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,6000 3,0600 2,3600 2,2800 2,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
TO220iso JIAENSEMI 62nC 40W 40A 60A 4,5V ~ 6,5V -55°C ~ 150°C THT 600V 30V
JNG20T65KS JIAENSEMI Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 40A; 60A; 139W; 5,1V~6,9V; 271nC; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TJNG20t65ks info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
JNG20T65KS RoHS || JNG20T65KS JIAENSEMI TO263
Producent:
JIAENSEMI Symbol Producenta:
JNG20T65KS RoHS Obudowa dokładna:
TO263t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 5,2300 3,4800 2,8800 2,6000 2,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
TO263 JIAENSEMI 271nC 139W 40A 60A 5,1V ~ 6,9V -55°C ~ 150°C SMD 650V 30V
JNG25N120HS JIAENSEMI Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 45A; 80A; 220W; 4,5V~5,5V; 130nC; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TJNG25n120hs info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
JNG25N120HS RoHS || JNG25N120HS JIAENSEMI TO247
Producent:
JIAENSEMI Symbol Producenta:
JNG25N120HS RoHS Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 8,4800 6,2900 5,3700 5,0600 4,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 JIAENSEMI 130nC 220W 45A 80A 4,5V ~ 5,5V -55°C ~ 150°C THT 1200V 30V
JNG25T120HS JIAENSEMI Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 50A; 75A; 275W; 4,5V~6,5V; 200nC; -40°C~155°C;
Symbol Micros: TJNG25t120hs info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
JNG25T120HS RoHS || JNG25T120HS JIAENSEMI TO247
Producent:
JIAENSEMI Symbol Producenta:
JNG25T120HS RoHS Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
60 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 60+ 300+
cena netto (PLN) 7,6300 5,6600 4,8300 4,6800 4,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/60
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 JIAENSEMI 200nC 275W 50A 75A 4,5V ~ 6,5V -40°C ~ 155°C THT 1200V 30V
BCP53T1G Tranzystor PNP; 250; 1,35W; 80V; 1A; 145MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP53TA;
Symbol Micros: TBCP53t1g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BCP53 RoHS || BCP53T1G SOT223t/r
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BCP53 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,4500 0,7960 0,6260 0,5800 0,5560
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT223t/r NXP 1,35W 250 145MHz 1A 80V PNP -55°C ~ 150°C
JNG30N120HS3 JIAENSEMI Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 50A; 100A; 260W; 4V~6V; 165nC; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TJNG30n120hs3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
JNG30N120HS3 RoHS || JNG30N120HS3 JIAENSEMI TO247
Producent:
JIAENSEMI Symbol Producenta:
JNG30N120HS3 RoHS Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 10,0400 7,9700 7,0700 6,7600 6,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 JIAENSEMI 165nC 260W 50A 100A 4,0V ~ 6,0V -55°C ~ 150°C THT 1200V 30V
JNG40T120HS JIAENSEMI Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 80A; 120A; 300W; 4V~6V; 107nC; -55°C~155°C;
Symbol Micros: TJNG40t120hs info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
JNG40T120HS RoHS || JNG40T120HS JIAENSEMI TO247
Producent:
JIAENSEMI Symbol Producenta:
JNG40T120HS RoHS Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 10,9100 9,3800 8,4700 8,0300 7,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 JIAENSEMI 107nC 300W 80A 120A 4,0V ~ 6,0V -55°C ~ 155°C THT 1200V 30V
BCP54,115 Tranzystor NPN; 250; 1,35W; 45V; 1A; 180MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP54E6327HTSA1; BCP54H6327XTSA1; BCP54TA; BCP54,115; BCP54,135;
Symbol Micros: TBCP54 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BCP54,115 RoHS || BCP54,115 SOT223
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BCP54,115 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,6130 0,4020 0,3470 0,3200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT223 NXP 1,35W 250 180MHz 1A 45V NPN -55°C ~ 150°C
BCP54-16,115 Tranzystor NPN; 250; 1,35W; 45V; 1A; 180MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP54-16,115 (SPQ1K); BCP54-16,135 (SPQ4K); BCP54-16 (STM); BCP54-16.115; BCP54-16 NXP;
Symbol Micros: TBCP54-16 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BCP54-16,115 RoHS || BCP54-16,115 SOT223
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BCP54-16,115 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1010 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9140 0,5000 0,3280 0,2830 0,2610
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT223 NXP 1,35W 250 180MHz 1A 45V NPN -55°C ~ 150°C
BCP55 HXY MOSFET Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 60V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP55,115; BCP55,135; BCP55TA; BCP55H6327XTSA;
Symbol Micros: TBCP55 HXY info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
BCP55 RoHS || BCP55 HXY MOSFET SOT223
Producent:
HXY MOSFET Symbol Producenta:
BCP55 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,9850 0,3940 0,2290 0,1910 0,1790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT223 HXY MOSFET 1,5W 250 100MHz 1A 60V NPN -55°C ~ 150°C
IPB072N15N3G Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 7,7mOhm; 100A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB072N15N3GATMA1; IPB072N15N3GE8187; IPB072N15N3G E8187;
Symbol Micros: TIPB072n15n3g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPB072N15N3G RoHS || IPB072N15N3G Infineon TO263/3
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPB072N15N3G RoHS Obudowa dokładna:
TO263/3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
70 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 10,9200 9,0000 8,2700 7,8900 7,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
7,7mOhm 100A 300W TO263/3 Infineon Technologies 150V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPB072N15N3G RoHS Obudowa dokładna:
TO263/3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 10,9200 9,0000 8,2700 7,8900 7,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
7,7mOhm 100A 300W TO263/3 Infineon Technologies 150V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPB072N15N3G RoHS Obudowa dokładna:
TO263/3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 10,9200 9,0000 8,2700 7,8900 7,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
7,7mOhm 100A 300W TO263/3 Infineon Technologies 150V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
IPB090N06N3G INFINEON Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9,3mOhm; 50A; 71W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB090N06N3GATMA1;
Symbol Micros: TIPB090n06n3 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPB090N06N3G RoHS || IPB090N06N3G INFINEON TO263/3
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPB090N06N3G RoHS Obudowa dokładna:
TO263/3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
126 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,7300 2,3600 1,8600 1,7000 1,6200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
9,3mOhm 50A 71W TO263/3 Infineon Technologies 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
BCP55-16,115 Tranzystor NPN; 250; 1,35W; 60V; 1A; 180MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP55-16,115; BCP55-16F; BCP55-16.115; BCP55-16;
Symbol Micros: TBCP5516 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
BCP55-16,115 RoHS || BCP55-16,115 SOT223
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BCP55-16,115 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5367 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,8750 0,4790 0,3140 0,2710 0,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT223 NXP 1,35W 250 180MHz 1A 60V NPN -55°C ~ 150°C
BCP5516TA Tranzystor NPN; 250; 2W; 60V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5516TA; BCP55-16TA;
Symbol Micros: TBCP5516 DIO info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
BCP5516TA RoHS || BCP5516TA SOT223
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
BCP5516TA RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
140 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9450 0,4080 0,2540 0,2170 0,2100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/2000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT223 DIODES 2W 250 150MHz 1A 60V NPN -65°C ~ 150°C
BCP55-16 Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BCP55-16-DIO;
Symbol Micros: TBCP5516 Diotec info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BCP55-16 RoHS || BCP55-16 SOT223
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta:
BCP55-16 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r  
Stan magazynowy:
4000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1400 0,6220 0,4080 0,3530 0,3250
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT223 DIOTEC 1,3W 100 100MHz 1A 60V NPN -55°C ~ 150°C
BCP55-16 SLKOR Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 60V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP55-16,115; BCP5516TA; BCP5516H6327XTSA1;
Symbol Micros: TBCP5516 SLK info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
BCP55-16 RoHS || BCP55-16 SLKOR SOT223
Producent:
SLKOR Symbol Producenta:
BCP55-16 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
565 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,9080 0,3630 0,2110 0,1760 0,1650
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT223 SLKOR 1,5W 250 100MHz 1A 60V NPN -65°C ~ 150°C
IPB107N20N3G INFINEON Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB107N20N3GATMA1;
Symbol Micros: TIPB107n20n3g info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
IPB107N20N3G RoHS || IPB107N20N3G INFINEON TO263/3
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
IPB107N20N3G RoHS Obudowa dokładna:
TO263/3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 18,5600 15,9600 14,9500 14,4000 14,2800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
11mOhm 88A 300W TO263/3 Infineon Technologies 200V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
BCP56 HXY MOSFET Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP56TA; BCP56,115; BCP56T1G; BCP56T3G;
Symbol Micros: TBCP56 HXY info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
BCP56 RoHS || BCP56 HXY MOSFET SOT223
Producent:
HXY MOSFET Symbol Producenta:
BCP56 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
940 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,8580 0,3430 0,2000 0,1660 0,1560
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT223 HXY MOSFET 1,5W 250 100MHz 1A 80V NPN -55°C ~ 150°C
BCP56 JGSEMI Tranzystor NPN; 250; 1,33W; 80V; 1A; 130MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP56TA; BCP56,115; BCP56T1G; BCP56T3G;
Symbol Micros: TBCP56 JGS info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
BCP56 RoHS || BCP56 JGSEMI SOT223
Producent:
JGSEMI Symbol Producenta:
BCP56 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,8970 0,3590 0,2090 0,1740 0,1630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT223 JGSEMI 1,33W 250 130MHz 1A 80V NPN -65°C ~ 150°C
BCP56-16TX Tranzystor NPN; Bipolar; 500mV; 1,35W; 80V; 1A; 100MHz; -55°C~150°C; Odpowiednik: BCP56-16T; BCP56-16TF;
Symbol Micros: TBCP56-16TX info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BCP56-16T RoHS || BCP56-16TX SOT223
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BCP56-16T RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
845 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0200 0,5550 0,3640 0,3150 0,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT223 NXP 1,35W 250 110MHz 1A 80V NPN -55°C ~ 150°C
BCP56-10,115 Tranzystor NPN; 160; 1,35W; 80V; 1A; 180MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP56-10,115; BCP56-10; BCP56-10.115;
Symbol Micros: TBCP5610 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BCP56-10,115 RoHS || BCP56-10,115 SOT223
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BCP56-10,115 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
494 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0700 0,5660 0,4390 0,4050 0,3880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT223 NXP 1,35W 160 180MHz 1A 80V NPN -55°C ~ 150°C
BCP56-16,115 Tranzystor NPN; 250; 1,35W; 80V; 1A; 180MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP56-16,135; BCP56-16,115; BCP56-16 STM; BCP56-16TX; BCP56-16TR; BCP56-16HX; AUTOMOTIVE: BCP56-16-Q; BCP56-16.115; BCP56-16 smd NXP; BCP56-16.135;
Symbol Micros: TBCP5616 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
BCP56-16,115 RoHS || BCP56-16,115 SOT223
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BCP56-16,115 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30101 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9000 0,4510 0,2690 0,2220 0,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT223 NXP 1,35W 250 180MHz 1A 80V NPN -55°C ~ 150°C
BCP56-16 Tranzystor NPN; 250; 1,35W; 80V; 1A; 180MHz; -55°C~150°C;
Symbol Micros: TBCP5616 c info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BCP56-16 RoHS || BCP56-16 SOT223
Producent:
YFW Symbol Producenta:
BCP56-16 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r  
Stan magazynowy:
2000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9320 0,4670 0,2780 0,2300 0,2070
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT223 Yangzhou Yangjie 1,35W 250 180MHz 1A 80V NPN -55°C ~ 150°C
 
Producent:
YY Symbol Producenta:
BCP56-16 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1550 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2500+
cena netto (PLN) 0,9140 0,4630 0,2800 0,2220 0,2030
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Ilość (wielokrotność 1)
SOT223 Yangzhou Yangjie 1,35W 250 180MHz 1A 80V NPN -55°C ~ 150°C
BCP5616TA Tranzystor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TC (4K/REEL); BCP5616TA (1K/REEL);
Symbol Micros: TBCP5616 DIO info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
BCP5616TA RoHS || BCP5616TA SOT223
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
BCP5616TA RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1640 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,8780 0,4400 0,2620 0,2170 0,1950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT223 DIODES 2W 250 150MHz 1A 80V NPN -65°C ~ 150°C
BCP56-16-TP SOT223 MCC MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBCP5616 MCC info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
BCP56-16-TP RoHS || BCP56-16-TP SOT223 MCC MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SOT223
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta:
BCP56-16-TP RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3685 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2500+
cena netto (PLN) 0,9800 0,5420 0,3590 0,3000 0,2800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500/5000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT223 Micro Comercial Components Corp. 1,5W 250 100MHz 1A 80V NPN -55°C ~ 150°C
1    54  55  56  57  58  59  60  61  62    322