Tranzystory (wyszukane: 9632)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HYG043N10NS2B HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 164A; 4,8mOhm; 258,6W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
4,8mOhm | 164A | 258,6W | TO263 (D2PAK) | HUAYI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
HYG053N10NS1B HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120A; 5,5mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
5,5mOhm | 120A | 187,5W | TO263 (D2PAK) | HUAYI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
HYG053N10NS1P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120A; 5,5mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
5,5mOhm | 120A | 187,5W | TO220 | HUAYI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
HYG054N10NS1P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120A; 6,4mOhm; 194,8W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20/100 Ilość (wielokrotność 1) |
6,4mOhm | 120A | 194,8W | TO220 | HUAYI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
HYG055N08NS1P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 120A; 6,8mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20/100 Ilość (wielokrotność 1) |
6,8mOhm | 120A | 187,5W | TO220 | HUAYI | 80V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
HYG060N08NS1P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 105A; 6mOhm; 125W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
6mOhm | 105A | 125W | TO220 | HUAYI | 80V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
HYG065N03LR1D HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55A; 10,9mOhm; 42W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
10,9mOhm | 55A | 42W | TO252 (DPACK) | HUAYI | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BC860B smd
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC860B,215; BC860B,235; BC860BE6327; BC860BE6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: BC860B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | CDIL | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC860B,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | CDIL | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC860B,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | CDIL | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC860B,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | CDIL | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
HYG065N07NS1P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 70V; 20V; 100A; 6,5mOhm; 125W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF3205PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
6,5mOhm | 100A | 125W | TO220 | HUAYI | 70V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
HYG065N15NS1W HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 165A; 7,5mOhm; 375W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
7,5mOhm | 165A | 375W | TO247 | HUAYI | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
HYG090N06LS1P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 62A; 15,5mOhm; 75W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRLZ44PBF; IRLZ44NPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
15,5mOhm | 62A | 75W | TO220 | HUAYI | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
HYG101N10LA1D HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15A; 125mOhm; 51,7W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRLR120PBF; IRLR120TRLPBF; IRLR120TRPBF; IRLR120TRRPBF; IRLR120NPBF; IRLR120NTRLPBF; IRLR120NTRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
125mOhm | 15A | 51,7W | TO252 (DPACK) | HUAYI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
HYG170C03LR1S HUAYI
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9.5A/8A; 19,3mOhm/40mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF7319PBF; IRF7319TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
19,3mOhm | 9,5A | 3W | SOP08 | HUAYI | 30V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
HYG180N10LS1D HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 45A; 30mOhm; 71,4W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
85 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
30mOhm | 45A | 71,4W | TO252 (DPACK) | HUAYI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
HYG180N10LS1P HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50A; 34mOhm; 93,7W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF540PBF; IRF540NPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
34mOhm | 50A | 93,7W | TO220 | HUAYI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BC860C JSMICRO
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC860C,215; BC860C,235; BC860CE6359HTMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: BC860C RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | JSMICRO | 250mW | 800 | 100MHz | 100mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
HYG180N10LS1S HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9A; 26mOhm; 4,6W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
26mOhm | 9A | 4,6W | SOP08 | HUAYI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BC860C smd
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC860C-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | LGE | 250mW | 800 | 100MHz | 100mA | 45V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: BC860C RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
180 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | LGE | 250mW | 800 | 100MHz | 100mA | 45V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
HYG210N06LA1S HUAYI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9A; 23mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF7478PBF; IRF7478TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
23mOhm | 9A | 3W | SOP08 | HUAYI | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BC860C
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC860C; BC860CWH6327; BC860C-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23-3 | DIOTEC | 250mW | 800 | 100MHz | 100mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: BC860C Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23-3 | DIOTEC | 250mW | 800 | 100MHz | 100mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
HYG210P06LQ1D HUAYI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40A; 32mOhm; 60W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
175 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
32mOhm | 40A | 60W | TO252 (DPACK) | HUAYI | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
HYG210P06LQ1P HUAYI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45A; 34mOhm; 107W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF4905PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20/100 Ilość (wielokrotność 1) |
34mOhm | 45A | 107W | TO220 | HUAYI | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
HYG260P03LR1S HUAYI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8A; 55mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF7416PBF; IRF7416TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
55mOhm | 8A | 3W | SOP08 | HUAYI | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
HYG450P06LA1D HUAYI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305TRPBF; IRFR5305TRRPBF; IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
248 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
62mOhm | 20A | 37,5W | TO252 (DPACK) | HUAYI | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BC868,115
Tranzystor NPN; 375; 1,35W; 20V; 2A; 170MHz; -55°C ~ 150°C; BC868 SMD; BC868,115; BC868;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
23 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 33 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | NXP | 1,35W | 375 | 170MHz | 2A | 20V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
520 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | NXP | 1,35W | 375 | 170MHz | 2A | 20V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
107 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 967 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | NXP | 1,35W | 375 | 170MHz | 2A | 20V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC868,115 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT89 | NXP | 1,35W | 375 | 170MHz | 2A | 20V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC868,115 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
26000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT89 | NXP | 1,35W | 375 | 170MHz | 2A | 20V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC868,115 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT89 | NXP | 1,35W | 375 | 170MHz | 2A | 20V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BC868
NPN 1000mA 20V 500mW 40MHz
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | LGE | 500mW | 375 | 40MHz | 1A | 20V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BC868-25
Tranzystor NPN; 375; 500mW; 20V; 1A; 40MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC868-25,115;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: BC868-25 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r |
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | LGE | 500mW | 375 | 40MHz | 1A | 20V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1370 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | LGE | 500mW | 375 | 40MHz | 1A | 20V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC868-25,115 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT89 | LGE | 500mW | 375 | 40MHz | 1A | 20V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC868-25,115 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT89 | LGE | 500mW | 375 | 40MHz | 1A | 20V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BC869
Tranzystor PNP; 375; 1,35W; 20V; 2A; 140MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC869,115; BC869,135;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | NXP | 1,35W | 375 | 140MHz | 2A | 20V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
790 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | NXP | 1,35W | 375 | 140MHz | 2A | 20V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC869,115 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
59000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT89 | NXP | 1,35W | 375 | 140MHz | 2A | 20V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC869,115 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT89 | NXP | 1,35W | 375 | 140MHz | 2A | 20V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC869,115 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT89 | NXP | 1,35W | 375 | 140MHz | 2A | 20V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BC869-25,115
Tranzystor PNP; 375; 500mW; 20V; 1A; 40MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: BC869-25 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 |
Stan magazynowy:
900 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT89 | JCET | 500mW | 375 | 40MHz | 1A | 20V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC869-25,115 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT89 | JCET | 500mW | 375 | 40MHz | 1A | 20V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC869-25,115 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
7000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT89 | JCET | 500mW | 375 | 40MHz | 1A | 20V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC869-25,115 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT89 | JCET | 500mW | 375 | 40MHz | 1A | 20V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BCM846S
Tranzystor 2xNPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCM846SH6327XTSA1; BCM846SH6327;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT363 | Infineon Technologies | 250mW | 450 | 250MHz | 100mA | 65V | 2xNPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BCM846BS-7 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT363 | Infineon Technologies | 250mW | 450 | 250MHz | 100mA | 65V | 2xNPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BCM846SH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT363 | Infineon Technologies | 250mW | 450 | 250MHz | 100mA | 65V | 2xNPN | -65°C ~ 150°C |