Tranzystory (wyszukane: 9632)

1    52  53  54  55  56  57  58  59  60    322
Produkt Koszyk
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Obudowa
Producent
Moc strat
Współczynnik wzmocnienia prądowego
Częstotliwość graniczna
Ładunek bramki
Maksymalna moc rozpraszana
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-bramka
Temperatura pracy (zakres)
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Montaż
Napięcie kolektor-emiter
Napięcie bramka-emiter
Układy tranzystorowe [T/N]
HYG043N10NS2B HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 164A; 4,8mOhm; 258,6W; -55°C ~ 175°C;
HYG043N10NS2B RoHS || HYG043N10NS2B HUAYI TO263 (D2PAK)
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG043N10NS2B RoHS
Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,2600 2,8400 2,3500 2,1200 2,0300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
4,8mOhm 164A 258,6W TO263 (D2PAK) HUAYI 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
HYG053N10NS1B HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120A; 5,5mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
HYG053N10NS1B RoHS || HYG053N10NS1B HUAYI TO263 (D2PAK)
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG053N10NS1B RoHS
Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,4500 2,1700 1,8000 1,6000 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
5,5mOhm 120A 187,5W TO263 (D2PAK) HUAYI 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
HYG053N10NS1P HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120A; 5,5mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
HYG053N10NS1P RoHS || HYG053N10NS1P HUAYI TO220
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG053N10NS1P RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,8900 2,4400 1,9100 1,8000 1,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
5,5mOhm 120A 187,5W TO220 HUAYI 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
HYG054N10NS1P HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120A; 6,4mOhm; 194,8W; -55°C ~ 175°C;
HYG054N10NS1P RoHS || HYG054N10NS1P HUAYI TO220
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG054N10NS1P RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,7300 3,1400 2,6000 2,3500 2,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20/100
Ilość (wielokrotność 1)
6,4mOhm 120A 194,8W TO220 HUAYI 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
HYG055N08NS1P HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 120A; 6,8mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
HYG055N08NS1P RoHS || HYG055N08NS1P HUAYI TO220
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG055N08NS1P RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 5,1200 3,4100 2,8200 2,5400 2,4400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20/100
Ilość (wielokrotność 1)
6,8mOhm 120A 187,5W TO220 HUAYI 80V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
HYG060N08NS1P HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 105A; 6mOhm; 125W; -55°C ~ 175°C;
HYG060N08NS1P RoHS || HYG060N08NS1P HUAYI TO220
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG060N08NS1P RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,7300 3,1400 2,4300 2,3500 2,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
6mOhm 105A 125W TO220 HUAYI 80V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
HYG065N03LR1D HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55A; 10,9mOhm; 42W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF;
HYG065N03LR1D RoHS || HYG065N03LR1D HUAYI TO252 (DPACK)
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG065N03LR1D RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,2700 0,8100 0,5690 0,4840 0,4600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
10,9mOhm 55A 42W TO252 (DPACK) HUAYI 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
BC860B smd Tranzystor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC860B,215; BC860B,235; BC860BE6327; BC860BE6327HTSA1;
BC860B RoHS || BC860B,215 || BC860B smd SOT23
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
BC860B RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3510 0,1380 0,0808 0,0591 0,0540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT23 CDIL 250mW 475 100MHz 100mA 45V PNP -55°C ~ 150°C
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BC860B,215
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SOT23 CDIL 250mW 475 100MHz 100mA 45V PNP -55°C ~ 150°C
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BC860B,215
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
Ilość szt. 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SOT23 CDIL 250mW 475 100MHz 100mA 45V PNP -55°C ~ 150°C
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BC860B,215
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt.
Ilość szt. 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SOT23 CDIL 250mW 475 100MHz 100mA 45V PNP -55°C ~ 150°C
HYG065N07NS1P HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 70V; 20V; 100A; 6,5mOhm; 125W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF3205PBF;
HYG065N07NS1P RoHS || HYG065N07NS1P HUAYI TO220
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG065N07NS1P RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,2200 2,0200 1,5800 1,4900 1,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
6,5mOhm 100A 125W TO220 HUAYI 70V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
HYG065N15NS1W HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 165A; 7,5mOhm; 375W; -55°C ~ 175°C;
HYG065N15NS1W RoHS || HYG065N15NS1W HUAYI TO247
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG065N15NS1W RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 11,8000 10,1500 9,1700 8,6900 8,4300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
7,5mOhm 165A 375W TO247 HUAYI 150V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
HYG090N06LS1P HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 62A; 15,5mOhm; 75W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRLZ44PBF; IRLZ44NPBF;
HYG090N06LS1P RoHS || HYG090N06LS1P HUAYI TO220
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG090N06LS1P RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,5400 2,2200 1,7400 1,6400 1,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
15,5mOhm 62A 75W TO220 HUAYI 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
HYG101N10LA1D HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15A; 125mOhm; 51,7W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRLR120PBF; IRLR120TRLPBF; IRLR120TRPBF; IRLR120TRRPBF; IRLR120NPBF; IRLR120NTRLPBF; IRLR120NTRPBF;
HYG101N10LA1D RoHS || HYG101N10LA1D HUAYI TO252 (DPACK)
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG101N10LA1D RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9000 1,1500 0,8850 0,7990 0,7600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
125mOhm 15A 51,7W TO252 (DPACK) HUAYI 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
HYG170C03LR1S HUAYI Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9.5A/8A; 19,3mOhm/40mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF7319PBF; IRF7319TRPBF;
HYG170C03LR1S RoHS || HYG170C03LR1S HUAYI SOP08
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG170C03LR1S RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
180 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9200 1,2600 0,9030 0,7900 0,7400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
19,3mOhm 9,5A 3W SOP08 HUAYI 30V N/P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
HYG180N10LS1D HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 45A; 30mOhm; 71,4W; -55°C ~ 175°C;
HYG180N10LS1D RoHS || HYG180N10LS1D HUAYI TO252 (DPACK)
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG180N10LS1D RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
85 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0800 1,1500 0,9090 0,8570 0,8300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
30mOhm 45A 71,4W TO252 (DPACK) HUAYI 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
HYG180N10LS1P HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50A; 34mOhm; 93,7W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF540PBF; IRF540NPBF;
HYG180N10LS1P RoHS || HYG180N10LS1P HUAYI TO220
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG180N10LS1P RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,9700 1,8600 1,4600 1,3800 1,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
34mOhm 50A 93,7W TO220 HUAYI 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
BC860C JSMICRO Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC860C,215; BC860C,235; BC860CE6359HTMA1;
BC860C RoHS || BC860C JSMICRO SOT23
Producent:
JSMSEMI
Symbol Producenta:
BC860C RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3280 0,1260 0,0617 0,0491 0,0469
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT23 JSMICRO 250mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -55°C ~ 150°C
HYG180N10LS1S HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9A; 26mOhm; 4,6W; -55°C ~ 150°C;
HYG180N10LS1S RoHS || HYG180N10LS1S HUAYI SOP08
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG180N10LS1S RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9400 1,1800 0,9040 0,8160 0,7760
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
26mOhm 9A 4,6W SOP08 HUAYI 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BC860C smd Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC860C-DIO;
BC860C RoHS || BC860C smd SOT23
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
BC860C RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3350 0,1290 0,0630 0,0501 0,0479
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT23 LGE 250mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -65°C ~ 150°C
 
Producent:
import
Symbol Producenta:
BC860C RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
180 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3350 0,1290 0,0630 0,0501 0,0479
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT23 LGE 250mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -65°C ~ 150°C
HYG210N06LA1S HUAYI Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9A; 23mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF7478PBF; IRF7478TRPBF;
HYG210N06LA1S RoHS || HYG210N06LA1S HUAYI SOP08
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG210N06LA1S RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8700 1,2300 0,8800 0,7690 0,7210
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
23mOhm 9A 3W SOP08 HUAYI 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
BC860C Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC860C; BC860CWH6327; BC860C-DIO;
BC860C RoHS 3G/4G. || BC860C || BC860C SOT23-3
Producent:
DIOTEC
Symbol Producenta:
BC860C RoHS 3G/4G.
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6500 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3740 0,1470 0,0860 0,0629 0,0575
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT23-3 DIOTEC 250mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -55°C ~ 150°C
 
Producent:
DIOTEC
Symbol Producenta:
BC860C
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
Ilość szt. 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0575
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SOT23-3 DIOTEC 250mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -55°C ~ 150°C
HYG210P06LQ1D HUAYI Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40A; 32mOhm; 60W; -55°C ~ 175°C;
HYG210P06LQ1D RoHS || HYG210P06LQ1D HUAYI TO252 (DPACK)
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG210P06LQ1D RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
175 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,1300 1,2900 0,9910 0,8940 0,8510
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
32mOhm 40A 60W TO252 (DPACK) HUAYI 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
HYG210P06LQ1P HUAYI Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45A; 34mOhm; 107W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF4905PBF;
HYG210P06LQ1P RoHS || HYG210P06LQ1P HUAYI TO220
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG210P06LQ1P RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,6000 3,0600 2,5300 2,2800 2,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20/100
Ilość (wielokrotność 1)
34mOhm 45A 107W TO220 HUAYI 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
HYG260P03LR1S HUAYI Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8A; 55mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRF7416PBF; IRF7416TRPBF;
HYG260P03LR1S RoHS || HYG260P03LR1S HUAYI SOP08
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG260P03LR1S RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,5300 1,0100 0,7240 0,6200 0,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
55mOhm 8A 3W SOP08 HUAYI 30V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
HYG450P06LA1D HUAYI Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305TRPBF; IRFR5305TRRPBF; IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF;
HYG450P06LA1D RoHS || HYG450P06LA1D HUAYI TO252 (DPACK)
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG450P06LA1D RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
248 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
cena netto (PLN) 2,3000 1,4000 1,0700 0,9530 0,9200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
62mOhm 20A 37,5W TO252 (DPACK) HUAYI 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
BC868,115 Tranzystor NPN; 375; 1,35W; 20V; 2A; 170MHz; -55°C ~ 150°C; BC868 SMD; BC868,115; BC868;
BC868.115 RoHS || BC868,115 RoHS || BC868,115 || BC868,115 SOT89
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BC868.115 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
23 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2700 0,6710 0,5200 0,4800 0,4600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
33
Ilość (wielokrotność 1)
SOT89 NXP 1,35W 375 170MHz 2A 20V NPN -55°C ~ 150°C
 
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BC868,115 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
520 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2400 0,6570 0,5090 0,4700 0,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT89 NXP 1,35W 375 170MHz 2A 20V NPN -55°C ~ 150°C
 
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BC868.115 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
107 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2700 0,6710 0,5200 0,4800 0,4600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
967
Ilość (wielokrotność 1)
SOT89 NXP 1,35W 375 170MHz 2A 20V NPN -55°C ~ 150°C
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BC868,115
Obudowa dokładna:
SOT89
 
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SOT89 NXP 1,35W 375 170MHz 2A 20V NPN -55°C ~ 150°C
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BC868,115
Obudowa dokładna:
SOT89
 
Magazyn zewnetrzny:
26000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SOT89 NXP 1,35W 375 170MHz 2A 20V NPN -55°C ~ 150°C
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BC868,115
Obudowa dokładna:
SOT89
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SOT89 NXP 1,35W 375 170MHz 2A 20V NPN -55°C ~ 150°C
BC868 NPN 1000mA 20V 500mW 40MHz
BC868 RoHS || BC868 SOT89
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
BC868 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0300 0,5160 0,3080 0,2550 0,2290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT89 LGE 500mW 375 40MHz 1A 20V NPN -55°C ~ 150°C
BC868-25 Tranzystor NPN; 375; 500mW; 20V; 1A; 40MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC868-25,115;
BC868-25 RoHS || BC868-25,115 || BC868-25 SOT89
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
BC868-25 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT89 t/r
 
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0700 0,5370 0,3200 0,2650 0,2380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT89 LGE 500mW 375 40MHz 1A 20V NPN -55°C ~ 150°C
 
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
BC868-25 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT89
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1370 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0700 0,5370 0,3200 0,2650 0,2380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT89 LGE 500mW 375 40MHz 1A 20V NPN -55°C ~ 150°C
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BC868-25,115
Obudowa dokładna:
SOT89
 
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4152
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SOT89 LGE 500mW 375 40MHz 1A 20V NPN -55°C ~ 150°C
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BC868-25,115
Obudowa dokładna:
SOT89
 
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SOT89 LGE 500mW 375 40MHz 1A 20V NPN -55°C ~ 150°C
BC869 Tranzystor PNP; 375; 1,35W; 20V; 2A; 140MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC869,115; BC869,135;
BC869 RoHS || BC869,115 RoHS || BC869,115 || BC869 SOT89
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BC869 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
70 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3100 0,6930 0,5370 0,4960 0,4750
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT89 NXP 1,35W 375 140MHz 2A 20V PNP -55°C ~ 150°C
 
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BC869,115 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
790 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3100 0,6930 0,5370 0,4960 0,4750
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT89 NXP 1,35W 375 140MHz 2A 20V PNP -55°C ~ 150°C
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BC869,115
Obudowa dokładna:
SOT89
 
Magazyn zewnetrzny:
59000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4750
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SOT89 NXP 1,35W 375 140MHz 2A 20V PNP -55°C ~ 150°C
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BC869,115
Obudowa dokładna:
SOT89
 
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4750
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SOT89 NXP 1,35W 375 140MHz 2A 20V PNP -55°C ~ 150°C
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BC869,115
Obudowa dokładna:
SOT89
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4750
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SOT89 NXP 1,35W 375 140MHz 2A 20V PNP -55°C ~ 150°C
BC869-25,115 Tranzystor PNP; 375; 500mW; 20V; 1A; 40MHz; -55°C ~ 150°C;
BC869-25 RoHS || BC869-25,115 || BC869-25,115 SOT89
Producent:
import
Symbol Producenta:
BC869-25 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT89
 
Stan magazynowy:
900 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0300 0,5610 0,3680 0,3180 0,2930
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT89 JCET 500mW 375 40MHz 1A 20V PNP -55°C ~ 150°C
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BC869-25,115
Obudowa dokładna:
SOT89
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4049
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SOT89 JCET 500mW 375 40MHz 1A 20V PNP -55°C ~ 150°C
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BC869-25,115
Obudowa dokładna:
SOT89
 
Magazyn zewnetrzny:
7000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3945
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SOT89 JCET 500mW 375 40MHz 1A 20V PNP -55°C ~ 150°C
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BC869-25,115
Obudowa dokładna:
SOT89
 
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3867
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SOT89 JCET 500mW 375 40MHz 1A 20V PNP -55°C ~ 150°C
BCM846S Tranzystor 2xNPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCM846SH6327XTSA1; BCM846SH6327;
BCM846SH6327 RoHS || BCM846BS-7 || BCM846SH6327XTSA1 || BCM846S SOT363
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BCM846SH6327 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,8960 0,4490 0,2670 0,2210 0,1990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
SOT363 Infineon Technologies 250mW 450 250MHz 100mA 65V 2xNPN -65°C ~ 150°C
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BCM846BS-7
Obudowa dokładna:
SOT363
 
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SOT363 Infineon Technologies 250mW 450 250MHz 100mA 65V 2xNPN -65°C ~ 150°C
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BCM846SH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT363
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2271
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SOT363 Infineon Technologies 250mW 450 250MHz 100mA 65V 2xNPN -65°C ~ 150°C
1    52  53  54  55  56  57  58  59  60    322